公开(公告)号：KR101918810B1

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：KR1020160027463

申请日：2016-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  야마구치가츠마사 ,  우츠기야스후미

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/22 ,  H01L21/683 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10 ,  H01L21/3213

Abstract: (과제) 기판의탑재대로부터의박리를정확하게검지할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(11)는, 기판 G를수용하여그 기판 G에플라즈마에의해플라즈마에칭을실시하는챔버(20)와, 그챔버(20)의내부에설치되어기판 G를탑재하는탑재대(21)와, 그탑재대(21)에내장되어기판 G를탑재대(21)에정전흡착하는정전흡착전극(27)과, 그정전흡착전극(27)에직류전압을인가하는직류전원(28)과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는플라즈마생성용고주파전원(41)과, 정전흡착전극(27)에인가되는직류전압을감시하는직류전압모니터(46)를구비하고, 직류전압모니터(46)에의해감시된직류전압이소정의임계치를넘었을때, 플라즈마생성용고주파전원(41)은고주파전력의공급을정지한다.

公开(公告)号：KR101902107B1

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：KR1020170040565

申请日：2017-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  후지이유키

IPC: H01J37/32

Abstract: (과제) 바이어스용전력을펄스변조하는경우에도, 아크방전발생의개연성, 또는실제로아크방전이발생한것을검지할수 있는플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 기판 G에대하여소정의플라즈마처리를실시하는플라즈마처리장치(1)는, 기판 G를수용하는처리용기(2)와, 처리용기(2) 내에처리가스를공급하는가스공급부(28)와, 처리용기(2) 내에배치된전극(3)과, 전극(3)에, 펄스변조된고주파전력을공급하는고주파전원부(53)와, 처리용기(2)로부터고주파전원부(53)로향해돌아오는반사파전력을소정주기로측정하는반사파전력측정부(54)와, 반사파전력측정부(54)에서측정한반사파전력이소정의조건이되었을때에, 처리용기(2) 내에서아크방전이발생할개연성이있다고, 또는실제로아크방전이발생했다고판정하는판정부(121)를구비하고, 펄스변조된고주파전력의펄스주기와, 반사파전력측정부(54)에있어서의측정주기가상이하다.

公开(公告)号：KR101858316B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020150060272

申请日：2015-04-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  우츠기야스후미 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.

公开(公告)号：KR1020170119319A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020170133384

申请日：2017-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  우츠기야스후미 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.

Abstract translation: 即使在施加载置台的高频电力和高电力的情况下，也能够有效地防止处理室内的不需要部分的放电和等离子体侵入排气区域。 基板G被载置在处理容器4内的载置台23的载置面上，一边对处理容器4内的基板G照射载置台23的高频电力一边进行等离子体处理 1。一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：设置在安装面下的处理室（41），将处理室（4）划分为用于对基板（G）进行等离子体处理的处理区域（41） 并且，多个分隔部件50与接地电位连接，不具有开口部，相邻的分隔部件50与供给到处理区域41的处理气体41连接， 并且形成用于将排气引导至排气区域42的开口60。

公开(公告)号：KR1020150129608A

公开(公告)日：2015-11-20

申请号：KR1020150060272

申请日：2015-04-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  우츠기야스후미 ,  사사키가즈오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.

Abstract translation: 即使对芯片施加强大的高频功率，也能够有效地防止处理室内的意外部分的放电或等离子体的侵入进入排气区域。 本发明涉及一种等离子体处理装置，其能够将衬底G安装在处理室（4）中的管芯（23）的安装表面上，并且在向管芯（23）施加用于偏压的高频电力的同时处理等离子体， 。 该装置包括多个分配器（50），放置在安装表面的下部位置，将处理室（4）分成处理区域（41），处理基板G上的等离子体和连接的排气区域 到排气系统，并由导电材料形成。 分隔器（50）连接到地电位，不具有开口部分，并且彼此远离以形成开口（60），以将提供给处理区域（41）的处理气体引导到排气区域 42）。

公开(公告)号：KR1020140022453A

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：KR1020140015504

申请日：2014-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3211

Abstract: The purpose of the present invention is to secure good plasma controllability in a plasma processing apparatus having a plurality of high frequency antennas installed to be adjacent to each other and to form a spiral pattern. An antenna unit (50) includes a high frequency antenna (13) comprising: a first antenna (13a) provided with first high frequency power to form an inductive electric field and having a swirling ring-shape; a second antenna (13b) installed to have a concentric ring shape with the first swirling ring-shaped antenna, provided with second high frequency power to form an inductive electric field, and having a swirling ring shape; and a separation member disposed between the first antenna (13a) and the second antenna (13b), in a state of grounding or floating, forming a closed circuit, and separating the electric field formed by the first antenna (13a) and the electric field formed by the second antenna (13b).

Abstract translation: 本发明的目的是确保具有安装成彼此相邻并且形成螺旋图案的多个高频天线的等离子体处理装置中的良好的等离子体可控性。 天线单元（50）包括高频天线（13），包括：第一天线（13a），其设置有第一高频功率以形成感应电场并且具有旋转环形; 安装成与第一旋转环形天线具有同心环形状的第二天线（13b），设置有第二高频电力以形成感应电场，并且具有旋转环形状; 以及设置在第一天线（13a）和第二天线（13b）之间的分离构件，处于接地或浮动的状态，形成闭合电路，并且分离由第一天线（13a）形成的电场和电场 由第二天线（13b）形成。

公开(公告)号：KR1020130132355A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020130132085

申请日：2013-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  도조도시히로

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: Provided is an inductive coupling plasma-processing device capable of dealing with a larger size to-be-processed substrate and improving the controllability of plasma distribution in a processing room. The inductive coupling plasma-processing device of the present invention includes a high frequency antenna for generating inductive coupling plasma in a plasma generation area of a processing room and a metal window between the plasma generation area and the high frequency antenna, wherein the metal window is electrically insulated and divided by a group of more than two lines running along the circumference direction of the metal window and another group of lines crossing the circumference direction of the metal window.

Abstract translation: 提供了能够处理较大尺寸的待处理基板并提高处理室中的等离子体分布的可控性的感应耦合等离子体处理装置。 本发明的电感耦合等离子体处理装置包括用于在处理室的等离子体产生区域中产生感应耦合等离子体的高频天线和等离子体产生区域与高频天线之间的金属窗口，其中金属窗口 电绝缘并且沿着金属窗的圆周方向延伸的两条线以及与金属窗的圆周方向交叉的另一组线分开。

公开(公告)号：KR101314511B1

公开(公告)日：2013-10-07

申请号：KR1020110047409

申请日：2011-05-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  후루야아츠키

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  C23C16/458 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은, 전열 가스의 가스 유로의 압력 손실의 영향을 없애 기판의 위치 어긋남 검출 정밀도를 향상시키는 것을 과제로 한다.
적재대(300)와 그 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스 공급원으로부터의 가스를 공급하기 위한 가스 유로(352)와, 적재대의 기판 유지면에 형성되어, 가스 유로로부터의 가스를 기판 유지면(Ls) 위로 안내하는 복수의 가스 구멍(354)과, 기판 유지면에 있어서의 가스 구멍 형성 영역(R)의 외측에 형성되어, 기판의 이면에 걸리는 압력을 검출하는 복수의 압력 검출 구멍(370a∼370d)과, 이들 압력 검출 구멍에 접속된 압력 센서(380a∼380d)를 설치하여, 이들 압력 센서로부터의 검출 압력에 기초하여 기판의 위치 어긋남을 검출하도록 했다.

公开(公告)号：KR1020130070545A

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：KR1020120148323

申请日：2012-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01Q7/005 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4682

Abstract: PURPOSE: An antenna unit for inductively coupled plasma and an inductively coupled plasma processing apparatus are provided to improve controllability over each induction field formed by each of the antennas, thereby securing good controllability over the plasma. CONSTITUTION: A high frequency antenna(13) has a first antenna(13a), a second antenna(13b), and a separation member. The first antenna forms an induction field by supplying a first high frequency power, and has a spiral shape. The second antenna which is installed to be concentric to the first antenna forms an induction field by supplying a second high frequency power, and has a spiral shape, The separation member is disposed between the first and second antennas in a state of grounding or floating, and configures a closed circuit. The separation member separates the magnetic field which is formed by the first antenna and the magnetic field which is formed by the second antenna.

Abstract translation: 目的：提供用于电感耦合等离子体的天线单元和电感耦合等离子体处理装置，以提高由每个天线形成的每个感应场的可控性，从而确保在等离子体上的良好的可控性。 构成：高频天线（13）具有第一天线（13a），第二天线（13b）和分离构件。 第一天线通过提供第一高频功率形成感应场，并且具有螺旋形状。 安装成与第一天线同心的第二天线通过提供第二高频功率形成感应场，并且具有螺旋形状。分离构件以接地或浮动的状态设置在第一和第二天线之间， 并配置闭路电路。 分离构件分离由第一天线形成的磁场和由第二天线形成的磁场。

公开(公告)号：KR1020120120071A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020120041574

申请日：2012-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  도조도시히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma processing apparatus is provided to divide a metal window into two or more areas along circumferential direction through a slit by arranging the metal window between a plasma generation area and a high frequency antenna. CONSTITUTION: A metal window(3) is divided into two by a line along a circumferential direction Θ of a metal window. The metal window comprises an inner metal window(3a) and an outer metal window(3b). High frequency antennas(11a,11b) generate inductively coupled plasma in a plasma generation area. The metal window is arranged between the plasma generation area and the high frequency antenna. The metal window is divided into a first division and a second division by the line along the circumferential direction. The first division and the second division are electrically insulated each other.

Abstract translation: 目的：提供电感耦合等离子体处理装置，通过在等离子体产生区域和高频天线之间布置金属窗口，通过狭缝将金属窗口沿圆周方向分成两个或更多个区域。 构成：金属窗（3）沿着金属窗的圆周方向Θ被划分为两条。 金属窗包括内金属窗（3a）和外金属窗（3b）。 高频天线（11a，11b）在等离子体产生区域中产生电感耦合等离子体。 金属窗设置在等离子体产生区域和高频天线之间。 金属窗被沿着圆周方向划分为第一分割和第二分割线。 第一分割和第二分割彼此电绝缘。