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公开(公告)号：KR102263417B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020190069728
申请日：2019-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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公开(公告)号：KR1020170004888A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020160083250
申请日：2016-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 배치대에고파워의고주파전력을인가하는경우에, 배기부에대하여플라즈마가침입하는것 및배플판의상방에서방전이불안정해지는것을효과적으로방지한다. 처리실(4) 내에서배치대(23)의배치면에배치된기판(G)에대하여, 배치대(23)에고주파바이어스를인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치는, 배기구(30) 부분에마련된제 1 개구배플판(34) 및제 2 개구배플판(35)을가지고, 제 1 개구배플판(34)은배기경로하류측, 제 2 개구배플판(35)은배기경로의상류측에마련되고, 제 1 개구배플판(34)은접지되고, 제 2 개구배플판(35)은전기적으로플로팅상태이며, 제 1 및제 2 개구배플판(34, 35)은이들사이에안정방전이생성가능한간격으로마련되어있다.
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公开(公告)号：KR102205228B1
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：KR1020190069685
申请日：2019-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: [과제] 플라즈마처리를실시할때, 기판의탑재대로부터의부분적인박리를, 기판의크기에상관없이정밀도좋게검지하는기술을제공한다. [해결수단] 정전흡착전극에직류전압을인가해서, 글라스기판을탑재대에정전흡착시키고, 직류전압의변화에의해, 글라스기판의탑재대로부터의박리를검출하는플라즈마처리장치에있어서, 정전흡착전극에인가되는직류전압을측정해서전압측정치를취득하고있다. 또한, 전압측정치와가공된전압설정치의차분치를취득하고, 차분치를증폭해차분증폭치를취득하고있다. 그리고차분증폭치와임계치를비교해, 차분증폭치가임계치를넘고있는경우에, 플라즈마를발생시키는고주파전력의인가를정지하고있다. 그때문에글라스기판이대형화해서, 직류전압의변화가작아졌을때에도, 글라스기판의탑재대로부터의박리를검출할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160111848A
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020160027463
申请日：2016-03-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/22 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/3213
Abstract: (과제) 기판의탑재대로부터의박리를정확하게검지할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(11)는, 기판 G를수용하여그 기판 G에플라즈마에의해플라즈마에칭을실시하는챔버(20)와, 그챔버(20)의내부에설치되어기판 G를탑재하는탑재대(21)와, 그탑재대(21)에내장되어기판 G를탑재대(21)에정전흡착하는정전흡착전극(27)과, 그정전흡착전극(27)에직류전압을인가하는직류전원(28)과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는플라즈마생성용고주파전원(41)과, 정전흡착전극(27)에인가되는직류전압을감시하는직류전압모니터(46)를구비하고, 직류전압모니터(46)에의해감시된직류전압이소정의임계치를넘었을때, 플라즈마생성용고주파전원(41)은고주파전력의공급을정지한다.
Abstract translation: 本发明提供了能够正确地检测基板与安装台的分离的基板处理方法和基板处理装置。 基板处理装置（11）包括：容纳基板（G）的室（20），以通过等离子体进行基板（G）的等离子体蚀刻; 安装在所述室（20）的内部以安装所述基板（G）的安装台（21）; 嵌入在所述安装台（21）内的静电吸附电极（27），将所述基板（G）静电吸附到所述安装台（21）上; 直流（DC）电源（28），用于向静电吸附电极（27）施加DC电压; 等离子体产生高频功率（41），用于提供高频功率以产生等离子体; 以及直流电压监视器（46），用于监视施加到静电吸附电极（27）的直流电压。 当由直流电压监视器（46）监视的直流电压超过预定阈值时，等离子体产生高频电力（41）停止供给高频电力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101925972B1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：KR1020160083250
申请日：2016-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 배치대에 고파워의 고주파 전력을 인가하는 경우에, 배기부에 대하여 플라즈마가 침입하는 것 및 배플판의 상방에서 방전이 불안정해지는 것을 효과적으로 방지한다. 처리실(4) 내에서 배치대(23)의 배치면에 배치된 기판(G)에 대하여, 배치대(23)에 고주파 바이어스를 인가하면서 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치는, 배기구(30) 부분에 마련된 제 1 개구 배플판(34) 및 제 2 개구 배플판(35)을 가지고, 제 1 개구 배플판(34)은 배기 경로 하류측, 제 2 개구 배플판(35)은 배기 경로의 상류측에 마련되고, 제 1 개구 배플판(34)은 접지되고, 제 2 개구 배플판(35)은 전기적으로 플로팅 상태이며, 제 1 및 제 2 개구 배플판(34, 35)은 이들 사이에 안정 방전이 생성 가능한 간격으로 마련되어 있다.
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公开(公告)号：KR101918810B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：KR1020160027463
申请日：2016-03-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/22 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/3213
Abstract: (과제) 기판의탑재대로부터의박리를정확하게검지할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(11)는, 기판 G를수용하여그 기판 G에플라즈마에의해플라즈마에칭을실시하는챔버(20)와, 그챔버(20)의내부에설치되어기판 G를탑재하는탑재대(21)와, 그탑재대(21)에내장되어기판 G를탑재대(21)에정전흡착하는정전흡착전극(27)과, 그정전흡착전극(27)에직류전압을인가하는직류전원(28)과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는플라즈마생성용고주파전원(41)과, 정전흡착전극(27)에인가되는직류전압을감시하는직류전압모니터(46)를구비하고, 직류전압모니터(46)에의해감시된직류전압이소정의임계치를넘었을때, 플라즈마생성용고주파전원(41)은고주파전력의공급을정지한다.
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公开(公告)号：KR101858316B1
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：KR1020150060272
申请日：2015-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.
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公开(公告)号：KR1020170119319A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020170133384
申请日：2017-10-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.
Abstract translation: 即使在施加载置台的高频电力和高电力的情况下，也能够有效地防止处理室内的不需要部分的放电和等离子体侵入排气区域。 基板G被载置在处理容器4内的载置台23的载置面上，一边对处理容器4内的基板G照射载置台23的高频电力一边进行等离子体处理 1。一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：设置在安装面下的处理室（41），将处理室（4）划分为用于对基板（G）进行等离子体处理的处理区域（41） 并且，多个分隔部件50与接地电位连接，不具有开口部，相邻的分隔部件50与供给到处理区域41的处理气体41连接， 并且形成用于将排气引导至排气区域42的开口60。
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公开(公告)号：KR1020150129608A
公开(公告)日：2015-11-20
申请号：KR1020150060272
申请日：2015-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 탑재대에고 파워의고주파전력을인가하는경우에도, 처리실내의소망하지않는부분에서의방전이나배기영역으로의플라즈마의침입을효과적으로방지한다. 처리실(4)내에서탑재대(23)의탑재면에기판 G를탑재하고, 처리실(4)내에서기판 G에대해서, 탑재대(23)에바이어스용의고주파전력을인가하면서플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 탑재면의하방위치에마련되고, 처리실(4)을, 기판 G에대해서플라즈마처리를행하는처리영역(41)과배기계에연결되는배기영역(42)으로구획하는, 도전성재료로이루어지는복수의구획부재(50)를갖고, 복수의구획부재(50)는, 접지전위에접속되고, 또한개구부를갖지않고, 인접하는것 끼리가, 그사이에, 처리영역(41)에공급된처리가스를배기영역(42)에유도하는개구(60)가형성되도록이간하여배치되어있다.
Abstract translation: 即使对芯片施加强大的高频功率，也能够有效地防止处理室内的意外部分的放电或等离子体的侵入进入排气区域。 本发明涉及一种等离子体处理装置，其能够将衬底G安装在处理室（4）中的管芯（23）的安装表面上，并且在向管芯（23）施加用于偏压的高频电力的同时处理等离子体， 。 该装置包括多个分配器（50），放置在安装表面的下部位置，将处理室（4）分成处理区域（41），处理基板G上的等离子体和连接的排气区域 到排气系统，并由导电材料形成。 分隔器（50）连接到地电位，不具有开口部分，并且彼此远离以形成开口（60），以将提供给处理区域（41）的处理气体引导到排气区域 42）。
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