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公开(公告)号：KR102245116B1
公开(公告)日：2021-04-26
申请号：KR1020180105402
申请日：2018-09-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명은프로세스개시시의원료가스의유량을단시간에안정화시키는것이가능한가스공급장치를제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의가스공급장치는, 원료가스를버퍼탱크및 제1 고속개폐밸브를통해처리용기내에간헐적으로공급할수 있는가스공급장치로서, 상기버퍼탱크의 2차측에접속되고, 상기버퍼탱크내부를배기할수 있는이배큐에이션라인(evacuation line)과, 상기이배큐에이션라인에설치된제2 고속개폐밸브를갖는다.
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公开(公告)号：KR101918810B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：KR1020160027463
申请日：2016-03-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/22 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/3213
Abstract: (과제) 기판의탑재대로부터의박리를정확하게검지할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(11)는, 기판 G를수용하여그 기판 G에플라즈마에의해플라즈마에칭을실시하는챔버(20)와, 그챔버(20)의내부에설치되어기판 G를탑재하는탑재대(21)와, 그탑재대(21)에내장되어기판 G를탑재대(21)에정전흡착하는정전흡착전극(27)과, 그정전흡착전극(27)에직류전압을인가하는직류전원(28)과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는플라즈마생성용고주파전원(41)과, 정전흡착전극(27)에인가되는직류전압을감시하는직류전압모니터(46)를구비하고, 직류전압모니터(46)에의해감시된직류전압이소정의임계치를넘었을때, 플라즈마생성용고주파전원(41)은고주파전력의공급을정지한다.
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公开(公告)号：KR1020160111848A
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020160027463
申请日：2016-03-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/22 , H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/3213
Abstract: (과제) 기판의탑재대로부터의박리를정확하게검지할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(11)는, 기판 G를수용하여그 기판 G에플라즈마에의해플라즈마에칭을실시하는챔버(20)와, 그챔버(20)의내부에설치되어기판 G를탑재하는탑재대(21)와, 그탑재대(21)에내장되어기판 G를탑재대(21)에정전흡착하는정전흡착전극(27)과, 그정전흡착전극(27)에직류전압을인가하는직류전원(28)과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는플라즈마생성용고주파전원(41)과, 정전흡착전극(27)에인가되는직류전압을감시하는직류전압모니터(46)를구비하고, 직류전압모니터(46)에의해감시된직류전압이소정의임계치를넘었을때, 플라즈마생성용고주파전원(41)은고주파전력의공급을정지한다.
Abstract translation: 本发明提供了能够正确地检测基板与安装台的分离的基板处理方法和基板处理装置。 基板处理装置（11）包括：容纳基板（G）的室（20），以通过等离子体进行基板（G）的等离子体蚀刻; 安装在所述室（20）的内部以安装所述基板（G）的安装台（21）; 嵌入在所述安装台（21）内的静电吸附电极（27），将所述基板（G）静电吸附到所述安装台（21）上; 直流（DC）电源（28），用于向静电吸附电极（27）施加DC电压; 等离子体产生高频功率（41），用于提供高频功率以产生等离子体; 以及直流电压监视器（46），用于监视施加到静电吸附电极（27）的直流电压。 当由直流电压监视器（46）监视的直流电压超过预定阈值时，等离子体产生高频电力（41）停止供给高频电力。
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