公开(公告)号：KR101432375B1

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：KR1020120125976

申请日：2012-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키

IPC: G02F1/13 ,  H01L21/687

Abstract: 대형의 글래스 기판 등의 체적 고유 저항값이 큰 기판이여도, 충분한 냉각 효과를 갖고, 또한 비용에 걸맞는 기판의 냉각 효과를 얻을 수 있는 기판 적재 시스템을 제공한다. 기판 처리 장치(10)의 기판 냉각 시스템에 있어서, 서셉터(12)는 기판(G)을 적재하고, 정전 척(14)은 서셉터(12)의 상부에 설치되어 기판(G)을 정전 흡착하고, 가스 유로(18) 및 온도 조정 가스 공급 장치(19)는 정전 흡착된 기판(G) 및 정전 척(14) 사이의 전열 공간(T)에 온도 조정 가스를 공급하고, 전열 공간(T)의 두께가 50㎛ 이하로 설정되고, 가스 유로(18) 및 온도 조정 가스 공급 장치(19)는 온도 조정 가스로서 질소 가스 또는 산소 가스를 3Torr(400Pa) 이하로 전열 공간(T)에 공급한다.

公开(公告)号：KR101189319B1

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：KR1020110032124

申请日：2011-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  도죠도시히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 척 전극에 직류 전압을 인가할 때 및 차단할 때의 척 등가 회로의 시정수를 작게 하여, 전하의 저류 및 전하의 방출을 각각 신속하게 행하도록 한 탑재대 기구를 제공한다. 이를 위해서, 처리 용기(52) 내에서 플라즈마 처리가 실시되는 피처리체 W를 탑재하는 탑재대 기구에 있어서, 탑재대(84)와, 내부에 척 전극(114)이 마련된 정전 척(86)과, 급전 라인(116)을 통해서 접속된 직류 고압 전원(120)과, 급전 라인에 개설한 척용 스위치부(124)와, 탑재대의 직류 성분을 검출하는 직류 성분 검출 회로(96)와, 직류 성분 검출 회로를 바이패스하는 바이패스 라인(108)과, 바이패스 라인의 도중에 마련되어 직류 성분 검출 회로를 바이패스시켜서 탑재대를 접지시키는 바이패스용 스위치부(110)와, 스위치부를 제어하는 스위치 제어부(112)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101118579B1

公开(公告)日：2012-02-27

申请号：KR1020100032293

申请日：2010-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카세이지 ,  후루야아츠키

IPC: H01L21/687 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00

Abstract: 기판이 파손될 가능성을 경감시키면서 기판이 재치대 상에 흡착되어 있는지의 여부를 검출하여 해소하는 흡착 검지 해소 방법을 제공하는 것이다.
재치대의 재치면으로부터 피처리체의 이면에 대하여 소정의 흡착 판정 압력으로 유체를 공급하는 공정과(단계 2), 흡착 판정 압력으로 유체를 공급 개시하고 나서 소정의 흡착 판정 시간이 경과했을 때의 유체의 유량을 검지하는 공정과, 상기 공정에서 검지된 유체의 유량이 소정의 흡착 판정 유량 이하인지의 여부를 판정하는 공정과(단계 3), 상기 공정에서의 판정 결과, 유체의 유량이 흡착 판정 유량 이하인 경우, 피처리체의 이면에 대하여 유체를 공급하는 압력을 흡착 판정 압력보다 고압의 흡착 해소 압력으로 하는 공정(단계 7)을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020100128229A

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：KR1020100032292

申请日：2010-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키요시히코 ,  미나미마사토 ,  후루야아츠키

IPC: H01L21/687 ,  B23Q3/15 ,  H02N13/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H02N13/00

Abstract: PURPOSE: An electrostatic absorbing electrode, a method for manufacturing the same, and a substrate processing apparatus are provided to simply obtain both an insulating layer and an electrode layer by forming a first electrode layer and a second electrode layer through a spraying method. CONSTITUTION: A substrate supporting face absorbs a substrate(G) using electrostatic force. An insulating coating(41) is formed on a base through a spraying method. The positive voltage is applied to a first electrode layer(42a). A negative voltage is applied to a second electrode layer(42b). Both the first electrode layer and the second electrode layer are formed on the insulating coating.

Abstract translation: 目的：提供一种静电吸收电极及其制造方法以及基板处理装置，通过喷涂法形成第一电极层和第二电极层，简单地获得绝缘层和电极层。 构成：基板支撑面使用静电力吸收基板（G）。 通过喷涂方法在基材上形成绝缘涂层（41）。 正电压施加到第一电极层（42a）。 负电压施加到第二电极层（42b）。 第一电极层和第二电极层都形成在绝缘涂层上。

公开(公告)号：KR100883454B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020070080318

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  사토요시츠토무

IPC: G02F1/13

Abstract: 본 발명은, 기판에 대한 진공 처리의 운용 등에 있어서 정전 척의 사용 개시 전에, 유전체층의 절연 상태를 진단하는 것이 가능한 진공 처리 장치 등을 제공한다.
유리 기판 G 등을 흡착 유지하기 위한 용사 타입의 정전 척(22)에 있어서, 고압 직류 전원(67)은 정전 척(22)의 척 전극(24)에, 유리 기판 G를 흡착 유지하는 경우보다도 낮은 직류 전압인 진단 전압을 인가하고, 각 측정기(70, 71)는 측정 위치에서의 전기적 특성(전압이나 전류)의 측정 데이터를 취득한다. 그리고, 진단부로서의 역할을 수행하는 제어부(80)는, 상술한 전기적 특성의 측정 데이터와 각각의 전기적 특성에 대하여 미리 정해진 설정 데이터(임계값)를 비교하여, 이 정전 척(22)이 사용 가능한 상태로 되어 있는지 여부를 진단한다.

公开(公告)号：KR1020080014674A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020070080318

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  사토요시츠토무

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1303 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/6831 ,  H01L2224/8009

Abstract: A vacuum processing apparatus, a method for diagnosing an electrostatic chuck, and a recording medium storing a program for performing the method are provided to diagnose the insulation state of a dielectric layer accurately before using the electrostatic chuck in vacuum treatment of a substrate. An electrostatic chuck(22) is adapted to suck and hold a glass substrate(G). A high voltage DC power source(67) applies a diagnosis voltage, which is lower than a voltage when the glass substrate is sucked, to a chuck electrode(24) of the electrostatic chuck. Respective measuring units(70,71) obtain measurement data of electric properties at measurement positions of the electrostatic chuck. A controller(80), functioning as a diagnosing part, compares the measurement data with predetermined set data to diagnose whether the electrostatic chuck is usable.

Abstract translation: 提供真空处理装置，用于诊断静电卡盘的方法和存储用于执行该方法的程序的记录介质，以在基板的真空处理中使用静电卡盘之前，准确地诊断电介质层的绝缘状态。 静电吸盘（22）适于吸收和保持玻璃基板（G）。 高压直流电源（67）施加低于吸入玻璃基板的电压的诊断电压到静电卡盘的卡盘电极（24）。 各测量单元（70,71）获得静电卡盘的测量位置处的电特性的测量数据。 用作诊断部分的控制器（80）将测量数据与预定的设定数据进行比较，以诊断静电卡盘是否可用。

公开(公告)号：KR1020170086454A

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：KR1020170091891

申请日：2017-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사이토히토시 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  나이토하지메

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: (과제) 플라즈마에의한금속창의스패터절삭을억제함과아울러플라즈마의강도의분포조정을가능으로하는유도결합형의플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 기판 G를플라즈마처리하는플라즈마처리장치(100)는, 플라즈마생성영역에유도결합플라즈마를발생시키는고주파안테나(11)와, 플라즈마생성영역과고주파안테나(11)의사이에배치되고, 본체용기와절연된금속창(3)을구비한다. 금속창(3)은, 절연체에의해서로절연된복수의금속창(30a∼30d)을갖고, 이러한금속창(30a∼30d)을각각 1점의접지점에서그라운드접속한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种电感耦合等离子体处理装置，其能够抑制等离子体对金属窗的溅射并且调节等离子体强度的分布。 等离子体处理基板（G）的等离子体处理装置（100）包括用于在等离子体生成区域中生成感应耦合等离子体的高频天线（11），以及高频天线 还有一个容器和一个绝缘金属窗（3）。 金属窗3具有多个由绝缘体绝缘的金属窗30a至30d，金属窗30a至30d在地面的一点接地。

公开(公告)号：KR1020150005450A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：KR1020140078688

申请日：2014-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  사이토히토시 ,  야마자와요헤이 ,  후루야아츠키 ,  나이토하지메

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: (과제) 플라즈마에 의한 금속창의 스패터 절삭을 억제함과 아울러 플라즈마의 강도의 분포 조정을 가능으로 하는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판 G를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치(100)는, 플라즈마 생성 영역에 유도 결합 플라즈마를 발생시키는 고주파 안테나(11)와, 플라즈마 생성 영역과 고주파 안테나(11)의 사이에 배치되고, 본체 용기와 절연된 금속창(3)을 구비한다. 금속창(3)은, 절연체에 의해 서로 절연된 복수의 금속창(30a∼30d)을 갖고, 이러한 금속창(30a∼30d)을 각각 1점의 접지점에서 그라운드 접속한다.

Abstract translation: 提供一种电感耦合等离子体处理装置，其不仅能够通过等离子体抑制金属窗的飞溅切割，还能够调整等离子体强度的分布。 执行基板G的等离子体处理的等离子体处理装置（100）包括：在等离子体产生区域中产生感应耦合等离子体的高频天线（11） 以及设置在等离子体产生区域和高频天线（11）之间并与主体容器绝缘的金属窗（3）。 金属窗（3）具有由绝缘体相互绝缘的多个金属窗（30a-30d），并使金属窗（30a-30d）分别在每个接地点处接地。

公开(公告)号：KR1020140100890A

公开(公告)日：2014-08-18

申请号：KR1020140008201

申请日：2014-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자와요헤이 ,  사사키가즈오 ,  후루야아츠키 ,  사이토히토시

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/3065

Abstract: Provided is an inductive coupling plasma processing apparatus capable of performing an even plasma treatment by using a metal window for a large target substrate. The inductive coupling plasma processing apparatus, performs an inductive coupling plasma treatment on a substrate of a rectangular shape, includes a processing chamber which accommodates the substrate; a high frequency antenna for generating inductive coupling plasma in the processing chamber; and a metal window which is arranged between the high frequency antenna and a plasma generating area where the inductive coupling plasma is generated and is arranged to correspond to the substrate. The metal window (2) is divided into multiple areas by a slit (7) and has a long side area (202b) corresponding to a long side (2b) and a short side area (202a) corresponding to a short side (2a). The outer slit (71) of the slit (7) has a short part (71a) corresponding to the short side area (202a) and a long part (71b) corresponding to the long side area (202b), wherein the short part (71a) has a width which is greater than that of the long side part (71b).

Abstract translation: 提供一种感应耦合等离子体处理装置，其能够通过使用用于大目标基板的金属窗进行均匀等离子体处理。 电感耦合等离子体处理装置对矩形形状的基板进行电感耦合等离子体处理，包括容纳基板的处理室; 用于在所述处理室中产生感应耦合等离子体的高频天线; 以及金属窗，其布置在高频天线和产生感应耦合等离子体的等离子体产生区域之间并且被布置为对应于衬底。 金属窗（2）通过狭缝（7）分成多个区域，并具有对应于长边（2b）的长边区域（202b）和对应于短边（2a）的短边区域（202a） 。 狭缝（7）的外侧狭缝（71）具有与短边区域（202a）对应的短路部分（71a）和与长边区域（202b）对应的长边部分（71b），短边部分 71a）的宽度大于长边部（71b）的宽度。

公开(公告)号：KR101270378B1

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：KR1020110112978

申请日：2011-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야아츠키 ,  사토료

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203

Abstract: 방전 개시 직후에 기판에 위치 어긋남이 발생하더라도, 그것을 빠른 시기에 검출하여 즉시 처리를 중지함으로써, 이상 방전에 의한 탑재대의 손상을 극력 방지한다.
전열 가스의 공급 개시로 일시적으로 상승한 전열 가스의 유량이 저하되어 안정되는 것보다 이전에 소정의 압력 조정 종료 기준값 이하로 되면, 처리 용기 내에 고주파 전력을 공급하여 방전을 개시하여, 기판 유지면 상의 피처리 기판 상에 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 방전 단계를 가지며, 상기 방전 단계에서, 유량 센서에서 검출한 전열 가스 유량이 소정의 임계값을 초과했을 때에 기판이 어긋나 있다고 판정하는 판정 포인트를 전열 가스 유량이 안정되기 전의 시점부터 복수 마련하고, 각 판정 포인트마다 임계값을 설정하는 것에 의해서, 전열 가스 유량의 안정을 기다리지 않고 기판 어긋남 판정을 행한다.