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公开(公告)号：KR100788056B1
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020077019006
申请日：2001-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/4585 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6835 , H01L2924/3025
Abstract: 박막이 웨이퍼의 처리면에 증착되고 웨이퍼가 처리실의 외부로 분출된 후에, 클램프의 접촉 돌출부가 서섭터와 접촉하여 클램프를 가열한다. 그 후에, 박막이 증착되지 않은 웨이퍼가 반입될 때 클램프를 상승시키는 것에 의해서 웨이퍼가 서셉터상에 배치된다. 그 후에, 클램프는 웨이퍼와 접촉하게 되고 웨이퍼는 소정 온도로 안정화된다. 그 후에, 웨이퍼의 처리면에 박막이 증착된다.
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公开(公告)号：KR100691758B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020057024820
申请日：2002-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , H01L21/02 , H01L21/44
CPC classification number: H01L28/65 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45523 , H01L21/3105 , H01L21/31612 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기내에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)상에 공급된다. 층간 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화된 산소 기체에 노출된다. 그 후, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020060006854A
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：KR1020057024820
申请日：2002-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , H01L21/02 , H01L21/44
CPC classification number: H01L28/65 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45523 , H01L21/3105 , H01L21/31612 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
Abstract: A semiconductor substrate (101) is placed in a predetermined processing vessel, and oxygen gas activated by, e.g., conversion into a plasma is supplied onto an insulating film (108). The surfaces of an interlevel insulating film (106) and insulating film (108) are exposed to the activated oxygen gas. After that, a ruthenium film (109) is formed by CVD.
Abstract translation: 将半导体衬底（101）放置在预定的处理容器中，并且通过例如转换成等离子体而激活的氧气被提供到绝缘膜（108）上。 层间绝缘膜（106）和绝缘膜（108）的表面暴露于活性氧气。 之后，通过CVD形成钌膜（109）。
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24.发明公开Ge - Sb - Te막의 성막 방법, Ge - Te막의 성막 방법, Sb - Te막의 성막 방법 및 프로그램 审中-实审形成GE-SB-TE薄膜的方法，形成GE-TE薄膜的方法，形成SB-TE薄膜的方法和程序
公开(公告)号：KR1020140063684A
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020147006490
申请日：2012-08-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1616 , C23C16/305 , C23C16/45553 , H01L45/144 , C23C16/301
Abstract: Sb 원료 도입 공정과, 제 1 퍼지 공정과, Te 원료 도입 공정과, 제 2 퍼지 공정과, Ge 원료 도입 공정과, 제 3 퍼지 공정을 포함하고, 상기 원료 도입 공정 또는 퍼지 공정 중 적어도 하나의 공정에 있어서, 암모니아, 메틸아민, 디메틸아민, 히드라진, 모노메틸히드라진, 디메틸히드라진 및 피리딘 중 1 개 또는 2 개 이상을 포함하는 첨가 가스를 도입하는 Ge - Sb - Te막의 성막 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR101349100B1
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020117029475
申请日：2010-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/365 , C23C16/18 , C23C16/30
CPC classification number: H01L45/144 , C23C16/305 , G11B7/2433 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/1616
Abstract: 기체 상태의 Ge 원료와 기체 상태의 Sb 원료와 기체 상태의 Te 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 가 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 Ge-Sb-Te막의 성막 방법으로서, 처리 용기 내에 기판을 배치하는 공정(공정 1)과, 기체 상태의 Ge 원료 및 기체 상태의 Sb 원료를 처리 용기 내로 도입하여 기판 상에 제 1 단계의 성막을 행하는 공정(공정 2)과, 기체 상태의 Sb 원료 및 기체 상태의 Te 원료를 처리 용기 내로 도입하여 제 1 단계의 성막으로 얻어진 막 상에 제 2 단계의 성막을 행하는 공정(공정 3)을 가지며, 공정 2에 의해 얻어진 막과 공정 3에 의해 얻어진 막에 의해 Ge-Sb-Te막을 얻는다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101217419B1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：KR1020117030107
申请日：2008-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 엘피다 메모리 가부시키가이샤
IPC: C23C16/40 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/409 , C23C16/45531 , H01L21/02197 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L28/55
Abstract: 막내의 Sr과 Ti의비율(Sr/Ti)이원자수비로 1.2 이상 3 이하가되도록하여성막한후, 0.001 % 이상 80 % 이하의 O를함유하는분위기내에서 500 ℃이상으로어닐링한다. 또한, SrO막성막단계또는/및 TiO막성막단계가복수회 연속해서수행되는시퀀스를포함하여 SrO막성막단계및 TiO막성막단계를복수회 수행한다. 또한, Sr을흡착시킨후, Sr을산화시킬때에, 산화제로서 O및 HO를이용한다.
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公开(公告)号：KR1020110139322A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：KR1020117030107
申请日：2008-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 엘피다 메모리 가부시키가이샤
IPC: C23C16/40 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/409 , C23C16/45531 , H01L21/02197 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L28/55
Abstract: 막 내의 Sr과 Ti의 비율(Sr/Ti)이 원자수비로 1.2 이상 3 이하가 되도록 하여 성막한 후, 0.001 % 이상 80 % 이하의 O
2 를 함유하는 분위기 내에서 500 ℃ 이상으로 어닐링한다. 또한, SrO막 성막 단계 또는/및 TiO막 성막 단계가 복수 회 연속해서 수행되는 시퀀스를 포함하여 SrO막 성막 단계 및 TiO막 성막 단계를 복수 회 수행한다. 또한, Sr을 흡착시킨 후, Sr을 산화시킬 때에, 산화제로서 O
3 및 H
2 O를 이용한다.-
公开(公告)号：KR1020110023913A
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020117003537
申请日：2007-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/06 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/4405 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/76843
Abstract: 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 처리 용기 내에 루테늄의 펜타디에닐 화합물 가스, 예를 들어 2,4-디메틸펜타디에닐에틸시클로펜타디에닐루테늄, 및 산소 가스를 도입하고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.
또한, 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기판을 가열하고, 루테늄 화합물 가스와 이 화합물을 분해 가능한 분해 가스를, 이들의 적어도 한쪽의 유량이 주기적으로 변조하도록 도입하고, 교호로 상이한 가스 조성의 복수의 스텝을 형성하며, 이들 스텝 사이에서 상기 처리 용기 내의 퍼지를 실시하지 않고, 가열된 기판상에서 이들 가스를 반응시켜, 기판상에 루테늄막을 성막한다.-
公开(公告)号：KR1020100115375A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：KR1020107021021
申请日：2009-02-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 엘피다 메모리 가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/45531 , H01G4/1227 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 제 1 유기 금속 화합물 원료로서 증기압이 낮고 유기 배위자가 산화제로 분해되어 CO를 발생하기 쉬운 화합물을 이용하고, 제 2 유기 금속 화합물 원료로서 금속 알콜시드를 이용하고, 산화제로서 기체상태의 O
3 또는 O
2 를 이용하고, 이들을 처리용기내에 도입해서 기판상에 AxByOz형의 산화물막을 성막함에 있어서, 산화제를 도입하기 직전에는 반드시 상기 제 2 유기 금속 화합물 원료를 도입하도록 한다.-
公开(公告)号：KR100811906B1
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020037007935
申请日：2001-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/4585 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6835 , H01L2924/3025
Abstract: After a thin film is deposited on a treatment surface of a wafer and the wafer is transferred out of a treatment chamber, a contact projection of a clamp is brought into contact with a susceptor to heat the clamp. Next, a wafer is disposed on the susceptor by elevating the clamp when the wafer, on which a thin film is not deposited, is transferred in. Thereafter, the clamp is brought into contact with the wafer and the wafer is stabilized to a predetermined temperature. Thereafter, a thin film is deposited on a treatment surface of the wafer.
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