公开(公告)号：KR100886031B1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：KR1020070058578

申请日：2007-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: 본 발명은 파장 가변 물질을 이용하여 도파관의 길이를 적정화한다. 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 도파관(30), 복수의 슬롯(31)을 갖는 슬롯 안테나(32), 복수장의 유전체(33) 및 처리실(U)를 갖고 있다. 마이크로파는 도파관(30), 슬롯(31), 유전체(33)의 순으로 전파되어 처리실(U)에 공급되고, 가스를 플라즈마화시켜 기판(G)를 처리한다. 도파관(30) 내의 단면(C) 근방에는 알루미나(50), 그 이외에는 테프론(35)이 충전된다. 관내 파장(λg)는 알루미나(50)인 쪽이 테프론(35)보다 짧아지기 때문에, 마이크로파가 도파관(30)을 전파할 때, 테프론(35)만이 충전되어 있는 경우와 비교하여 도파관(30)의 단면(C)으로부터 최단 슬롯 중앙까지의 사이의 물리적인 특성상의 길이를 λg/4로 유지하면서, 그 사이의 기계적인 길이를 단축할 수 있다. 이 결과, 도파관 단부의 데드 스페이스(D)를 없애고, 유전체(33)를 등간격으로 배치할 수 있다.

Abstract translation: 本发明通过使用波长可调材料来优化波导的长度。 微波等离子体处理装置100具有波导管30，具有多个槽31的缝隙天线32，多个电介质体33和处理室U. 微波以波导30，槽31和电介质33的顺序传播并供给处理室U以通过等离子化气体来处理衬底G. 在波导管（30）的横截面（C）附近填充氧化铝（50）和其他特氟隆（35）。 由于波导管30内部的波长λg比特氟龙35的波长λg短，所以波导管30内部的波长λg比特氟龙35的波长λg短。因此， 可以缩短截面C和最短槽中心之间的机械长度，同时将截面C和最短槽中心之间的物理长度保持在λG/ 4。 结果，可以消除波导末端的死空间D，并且可以以规则的间隔布置电介质33。

公开(公告)号：KR100882969B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020070031091

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오카신스케 ,  호리구치다카히로 ,  니시무라가즈아키 ,  기타무라마사유키 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 복수의 슬롯(37)에 통과시킨 마이크로파를, 대들보(26)로 지지된 복수매의 유전체 파트(31)에 투과시키고, 투과시킨 마이크로파에 의해 가스를 플라즈마화하여 기판 G를 플라즈마 처리한다. 유전체 파트(31)를 지지하는 대들보(26)는, 그 단부 주변에서의 플라즈마 전자 밀도 N
e 가 컷오프의 플라즈마 전자 밀도 N
c 이상으로 되도록 기판측으로 돌출하여 마련된다. 이 대들보(26)의 돌출에 의하여, 이웃하는 유전체 파트(31)를 투과한 마이크로파의 전계 에너지에 의해 발생한 표면파에 의한 간섭이나, 이웃하는 유전체 파트(31) 아래쪽의 플라즈마가 확산될 때에 플라즈마 내를 전파하여 이웃하는 플라즈마에 도달하는 전자나 이온에 의한 간섭이 억제된다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置100中，其中微波穿过所述多个狭槽37的，并透过光束（26）由多个，等离子气体的支撑的电介质部31的由微波发射 衬底G被等离子体处理。 支撑介电部分31的梁26具有等离子体电子密度N.

公开(公告)号：KR1020080040792A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：KR1020087007569

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: [PROBLEMS] To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method by which plasma can be uniformly generated on the entire lower surface of a dielectric body. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In a plasma processing apparatus (1), microwaves are permitted to propagate into a dielectric body (32) arranged on an upper surface of a processing chamber (4) through a plurality of slots (70) formed on a lower surface (31) of a waveguide tube (35), a process gas supplied into the processing chamber (4) is brought into the plasma state by electric field energy in an electromagnetic field formed on a surface of the dielectric body, and a substrate (G) is processed with plasma. On a lower surface of the dielectric body (32), a plurality of recessed sections (80a-80g) having different depths are formed. Plasma generation on the lower surface of the dielectric body (32) is controlled by permitting the recessed sections (80a-80g) to have different depths.

Abstract translation: [问题]提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，通过该方法可以在电介质体的整个下表面上均匀地产生等离子体。 解决问题的手段在等离子体处理装置（1）中，允许微波通过形成在处理室（4）上的多个槽（70）传播到布置在处理室（4）的上表面上的电介质体（32） 另外，在波导管（35）的下表面（31），供给到处理室（4）的处理气体通过电介质体的表面形成的电磁场中的电场能量进入等离子体状态， （G）用等离子体处理。 在电介质体（32）的下表面形成具有不同深度的多个凹部（80a〜80g）。 通过允许凹部（80a-80g）具有不同的深度来控制电介质体（32）的下表面上的等离子体产生。

公开(公告)号：KR100794806B1

公开(公告)日：2008-01-15

申请号：KR1020060032291

申请日：2006-04-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46

Abstract: 액체 냉매에 의해 유전체를 냉각하는 플라즈마 처리 장치, 슬롯 안테나 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다. 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는 처리 용기(10), 도파관(22), 슬롯 안테나(23), 유전체(24), 제 1 냉각부(60) 및 제 2 냉각부(80)로 구성된다. 제 1 냉각부(60)는 슬롯 안테나(23)에 설치된 유로(61)에 액체 냉매를 흘림으로써, 유전체(24)를 냉각한다. 또한, 제 2 냉각부(80)는 도파관(22)에 설치된 가스 입구로부터 가스 출구에 기체를 흘림으로써, 유전체(24)를 냉각한다. 이와 같이 하여, 유전체(24)를 냉각하면서, 도파관(22), 슬롯 안테나(23)를 거쳐서 유전체(24)를 투과한 마이크로파에 의해 플라즈마화시킴으로써, 기판(W)이 플라즈마 처리된다. 그 결과, 플라즈마 처리 중에 유전체(24)에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070119564A

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：KR1020070058578

申请日：2007-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229

Abstract: A plasma process apparatus is provided to generate uniform plasma by making a waveguide have a proper length while using a desired wavelength modifying material. A waveguide(30a,30b) propagates microwave. A slot antenna has a plurality of slots(31a1-31a4,31b1-31b4) adjacent to the waveguide so that the microwave having propagated the waveguide passes through the plurality of slots by the slot antenna. A first wavelength modifying material transforms a wavelength lambdag of microwave in the waveguide into a first wavelength, filled in the waveguide. A second wavelength modifying material is inserted in a gap from the cross section of the waveguide reflecting the microwave to the center of a slot nearest to the cross section instead of the first wavelength modifying material, transforming a wavelength lambdag of the microwave propagating the inserted portion into a second wavelength shorter than the first wavelength. A plurality of dielectrics(33a1-33a4,33b1-33b4) transmit the microwave having passed through the plurality of slots of the slot antenna, disposed near the slot antenna. Gas is transformed into plasma by the microwave having transmitted the plurality of dielectrics to perform a plasma treatment on a processed article in a process chamber. The second and first wavelength modifying materials can be made of dielectrics wherein the second wavelength modifying material has a higher dielectric constant than that of the first wavelength modifying material.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置以通过使波导具有适当的长度同时使用期望的波长修饰材料来产生均匀的等离子体。 波导（30a，30b）传播微波。 缝隙天线具有与波导相邻的多个槽（31a1-31a4,31b1-31b4），使得传播波导的微波通过缝隙天线穿过多个槽。 第一波长修改材料将波导中的微波的波长变换成填充在波导中的第一波长。 将第二波长改变材料插入到从反射微波的波导的横截面到最接近横截面的槽的中心的间隙中，而不是第一波长修饰材料，将传播所述插入部分的微波的波长兰博 成为比第一波长短的第二波长。 多个电介质（33a1〜33a4,33b1-33b4）发射穿过槽缝天线的多个槽的微波，设置在缝隙天线附近。 气体通过已经传输了多个电介质的微波转化成等离子体，以对处理室中的处理物进行等离子体处理。 第二和第一波长改性材料可以由电介质制成，其中第二波长改性材料具有比第一波长改性材料的介电常数更高的介电常数。

公开(公告)号：KR100575955B1

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：KR1020057005016

申请日：2003-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  구와지마료

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치는 피처리 기판의 성막 처리를 안정적이고 효율적으로 실행하는 것을 목적으로 하며, 기판 처리 장치는 히터부에 대향하는 위치에 피처리 기판을 지지하는 동시에, 피처리 기판을 유지하는 유지 부재를 회전시킴으로써, 피처리 기판의 온도 분포를 균일하게 유지하고, 피처리 기판이 뒤집히는 것을 억제한다. 또한, 처리 용기의 내벽은 불투명 석영으로 형성된 석영 라이너에 의해 덮여있어, 자외선 광원으로부터 조사된 자외선으로부터 보호되는 동시에 단열 효과에 의해 히터부로부터의 열에 의한 온도 상승이 억제된다. 그리하여, 처리 용기의 수명을 연장시킨다.

Abstract translation: 本发明的装置是本发明的一个目的是可靠地且高效地运行所述基板的所述成膜方法中，在同一时间用于支撑衬底的衬底处理装置，以在相对的位置向加热器单元进行处理，用于保持目标基板 通过旋转保持部件，可以均匀地维持目标基板的温度分布，并且防止目标基板颠倒。 此外，处理容器的内壁是温度上升，由于热从加热器部由绝热效果同时被保护免受从紫外线光源照射的紫外线是由不透明石英制成的石英衬里覆盖被抑制。 因此，处理容器的寿命延长。

公开(公告)号：KR1020050065549A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020057005016

申请日：2003-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  구와지마료

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: A substrate processing apparatus stably and efficiently conducts a film-forming process on a substrate to be processed. In the substrate processing apparatus, the substrate to be processed is supported at a position facing a heater portion and a holding member for holding the substrate is rotated, whereby the temperature distribution of the substrate is kept uniform and a warp of the substrate is suppressed. The inner wall of a process container is covered with a quartz liner which is made of an opaque quartz, and thus protected from ultraviolet rays emitted from an ultraviolet light source. The temperature rise of the inner wall caused by heat from the heater portion is suppressed due to the heat insulating effect of the quartz liner. Consequently, the life of the process container can be prolonged.

Abstract translation: 基板处理装置在待处理的基板上稳定且有效地进行成膜处理。 在基板处理装置中，被加工基板被支撑在面向加热部的位置，保持基板的保持部件旋转，由此使基板的温度分布保持均匀，抑制基板的翘曲。 处理容器的内壁由不透明石英制成的石英衬垫覆盖，从而防止紫外光源发出的紫外线。 由于石英衬垫的绝热效果，由加热器部分的热引起的内壁的温度上升被抑制。 因此，可以延长加工容器的寿命。

公开(公告)号：KR1020010109167A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020010029964

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오다나오후미 ,  가네코히로시

IPC: H01L21/00

Abstract: 단일기판식 처리 장치는 기밀 처리실(2)을 갖고, 그 내부에 재치대(3)가 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 재치대(3)의 재치면(3a)에는 복수의 통기 홈(30)이 형성된다. 재치대(3)에는 이것을 수직으로 관통하도록 복수의 통기 구멍(31)과, 리프터 핀용의 3개의 리프터 구멍(23)이 형성된다. 웨이퍼(W)와 재치면(3a) 사이의 간극은 통기 홈(30), 리프터 구멍(23) 및 통기 구멍(31)을 거쳐서 재치대(3) 및 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리실(2)의 내부 공간과 연통한다.

公开(公告)号：KR1020010014782A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1020000020918

申请日：2000-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카세와타루 ,  다카나베에이치로

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4558 ,  H01L21/67017

Abstract: PURPOSE: Disclosed is a single-wafer treatment apparatus for making the treatment gas flow uniform, without using a complex structure when the treatment gas is discharged outwards from a treatment space in the radial direction of a treated object. CONSTITUTION: In a single-wafer treatment apparatus, a mounting stage(58) for mounting a treating object(W) to be subjected to a given treatment is provided in a treatment vessel(24), and the atmosphere of a treatment space above a mounting stage(58) is sucked from the side of the mounting stage(58) downward to be evacuated. An air stocking downward space(50) with a small inlet opening(50A) is provided at the lower part of the mounting stage(58), and a vacuum discharge opening(72) for vacuum suction is provided at a position facing the air stocking space(50). In this way, the treatment gas flow from the treatment space outward in the radial direction of the treating object is made uniform without making the structure complex.

Abstract translation: 目的：公开了一种用于使处理气体流动均匀的单晶片处理装置，当处理气体从处理物体的径向处理空间向外排出时，不使用复杂结构。 构成：在单晶片处理装置中，在处理容器（24）中设置有用于安装待处理物（W）的安装台（58），处理容器（24）的空气 安装台（58）从安装台（58）的侧面向下抽吸抽吸。 在安装台（58）的下部设置有具有小入口（50A）的空气储存向下空间（50），并且在与空气储存件相对的位置处设置用于真空吸入的真空排出口（72） 空间（50）。 以这种方式，使处理对象的处理空间从处理对象的径向向外的流动均匀，而不会使结构复杂化。