公开(公告)号：KR100959441B1

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020087007569

申请日：2006-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: [과제] 유전체의 하면 전체에 균일하게 플라즈마를 생성시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치와 방법을 제공한다.
[해결수단] 마이크로파를 도파관(35)의 하면(31)에 복수 형성된 슬롯(70)을 통해서 처리실(4)의 상면에 배치된 유전체(32) 내에 전파시켜, 유전체 표면에서 형성시킨 전자계에서의 전계 에너지에 의해 처리실(4) 내에 공급된 처리 가스를 플라즈마화시켜, 기판 G에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치(1)로서, 유전체(32)의 하면에 깊이가 다른 복수의 오목부(80a~80g)가 형성되어 있다. 각 오목부(80a~80g)의 깊이를 다르게 한 것에 의해, 유전체(32)의 하면에서의 플라즈마의 생성을 제어한다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够在电介质的整个下表面均匀地生成等离子体的等离子体处理装置和方法。

公开(公告)号：KR1020060107927A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020060032291

申请日：2006-04-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46

Abstract: 액체 냉매에 의해 유전체를 냉각하는 플라즈마 처리 장치, 슬롯 안테나 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.
마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는 처리 용기(10), 도파관(22), 슬롯 안테나(23), 유전체(24), 제 1 냉각부(60) 및 제 2 냉각부(80)로 구성된다. 제 1 냉각부(60)는 슬롯 안테나(23)에 설치된 유로(61)에 액체 냉매를 흘림으로써, 유전체(24)를 냉각한다. 또한, 제 2 냉각부(80)는 도파관(22)에 설치된 가스 입구로부터 가스 출구에 기체를 흘림으로써, 유전체(24)를 냉각한다. 이와 같이 하여, 유전체(24)를 냉각하면서, 도파관(22), 슬롯 안테나(23)를 거쳐서 유전체(24)를 투과한 마이크로파에 의해 플라즈마화시킴으로써, 기판(w)이 플라즈마 처리된다. 그 결과, 플라즈마 처리 중에 유전체(24)에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050069998A

公开(公告)日：2005-07-05

申请号：KR1020057005015

申请日：2003-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  구와지마료

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/481

Abstract: A substrate processing apparatus stably and efficiently conducting a film-forming process on a substrate (W) to be processed, wherein the substrate (W) is supported at a position facing a heater portion and a holding member for holding the substrate (W) is rotated. The heater portion has a quartz belljar which is made of a transparent quartz and houses an SiC heater and a heat reflecting member. By reducing the pressures in a process container and the quartz belljar, the thickness of the quartz belljar can be thinned. Consequently, the conductivity of the heat from the SiC heater is heightened accordingly and contamination by the SiC heater is prevented.

Abstract translation: 一种基板处理装置，在对被加工基板（W）进行成膜处理的基板处理装置中，将基板（W）支承在与加热部对置的位置以及用于保持基板（W）的保持部件的情况下， 旋转。 加热器部分具有由透明石英制成的石英钟形喇叭，并容纳SiC加热器和热反射构件。 通过减少加工容器和石英钟形的压力，可以减小石英钟形的厚度。 因此，来自SiC加热器的热量的导电性相应提高，并且防止了SiC加热器的污染。

公开(公告)号：KR1020070098686A

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020070031091

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오카신스케 ,  호리구치다카히로 ,  니시무라가즈아키 ,  기타무라마사유키 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to prevent plasma mode jump by preparing a projecting beam protrusively toward a substrate. A plasma processing apparatus includes a processing vessel and a cover. Projecting beams(26) separating individual dielectric parts(31) from one another form protective walls for protecting plasma generated under the dielectric parts(31) from external interference. When surface waves generated with the electrical field energy of microwaves transmitted through the dielectric parts(31) are propagated toward the adjacent dielectric parts(31) while being reflected between the surfaces of the dielectric parts(31) and the beams(26) and the plasma, part of the electrical field energy in surface waves is used as evanescent waves for plasma generation. As long as no energy is supplied from the outside, the electrical field energy in the surface waves absorbed and used in the plasma increases in direct proportion to a propagation distance of the surface waves.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过向基板突出地制备突出的光束来防止等离子体模式跳跃。 等离子体处理装置包括处理容器和盖。 将各个介电部件（31）彼此分离的投射梁（26）形成保护壁，用于保护在介电部件（31）下产生的等离子体免受外部干扰。 当通过电介质部分（31）传播的微波的电场能产生的表面波在介电部分（31）和光束（26）的表面之间被反射时朝向相邻的电介质部分（31）传播，并且 等离子体，表面波中的电场能量的一部分被用作等离子体产生的ev逝波。 只要没有从外部供应能量，在等离子体中吸收和使用的表面波中的电场能量与表面波的传播距离成正比地增加。

公开(公告)号：KR1020070098683A

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020070031056

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32522

Abstract: A microwave plasma processing apparatus, a method for manufacturing the microwave plasma processing apparatus, and a plasma processing method are provided to prevent electrical field concentrations by flattening a surface in contact with plasma. A microwave plasma processing apparatus includes a processing chamber, a plurality of dielectric parts(31), a beam(27), and a fixing unit. When the beam(27) is fixed from an outside of a processing chamber, upper surfaces of dielectric parts(31) supported by the beam(27) over the peripheral edges are placed in a surface contact with a lower surface of a top plate constituting a ceiling of the processing chamber. Screws(56) are inserted from the outside of the processing chamber through through-holes(27b) formed at the top plate and threaded portions(56a) of the inserted screws(56) are made to interlock with threaded screw holes(27b) formed at the beam(27) by using a hexagonal wrench. The beam(27) is locked onto the top plate from the outside of the processing chamber. After fixing the beam(27) onto the top plate via the plurality of screws(56) from the outside of the processing chamber, the gap between the screw(56) and the corresponding through-hole(21b) at which the screw(56) is inserted is sealed with an O-ring(57).

Abstract translation: 提供微波等离子体处理装置，微波等离子体处理装置的制造方法以及等离子体处理方法，以通过使与等离子体接触的表面平坦化来防止电场浓度。 微波等离子体处理装置包括处理室，多个电介质部件（31），梁（27）和固定单元。 当光束（27）从处理室的外部固定时，由光束（27）支撑在外围边缘上的电介质部分（31）的上表面与构成的顶板的下表面 处理室的天花板。 通过形成在顶板上的通孔（27b）从处理室的外部插入螺钉（56），并使插入的螺钉（56）的螺纹部分（56a）与形成的螺纹孔（27b）互锁 通过使用六角扳手在梁（27）处。 梁（27）从处理室的外部被锁定在顶板上。 在处理室的外部经由多个螺钉（56）将梁（27）固定到顶板上之后，螺钉（56）与相应的通孔（21b）之间的间隙，螺钉（56） ）插入用O形环（57）密封。

公开(公告)号：KR1020070096868A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070028218

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: A plasma processing apparatus and a method are provided to propagate microwave into dielectric bodies formed on a top surface of a process chamber from slots formed on a bottom face of a rectangular waveguide. Microwave is propagated into a dielectric body disposed on a top surface of a process chamber(4) through plural slots(70) formed on a bottom face of a rectangular waveguide(35). A predetermined gas supplied into the process chamber is excited into plasma by electric field energy of an electromagnetic field formed on a surface of the dielectric body, so that a substrate is processed by the plasma. A top member of the rectangular waveguide is formed of a conductive nonmagnetic material, and is moved up and down relative to a bottom face of the rectangular waveguide.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置和方法，用于将微波传播到形成在矩形波导的底面上的槽的处理室顶表面上形成的介电体中。 微波通过形成在矩形波导（35）的底面上的多个狭槽（70）传播到设置在处理室（4）的顶表面上的电介质体内。 供给到处理室中的预定气体通过形成在电介质体的表面上的电磁场的电场能激发成等离子体，使得基板被等离子体处理。 矩形波导的顶部构件由导电非磁性材料形成，并且相对于矩形波导的底面上下移动。

公开(公告)号：KR100523113B1

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：KR1020010029964

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오다나오후미 ,  가네코히로시

IPC: H01L21/00

Abstract: 단일기판식 처리 장치는 기밀 처리실(2)을 갖고, 그 내부에 배치대(3)가 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 배치대(3)의 배치면(3a)에는 복수의 통기 홈(30)이 형성된다. 배치대(3)에는 이것을 수직으로 관통하도록 복수의 통기 구멍(31)과, 리프터 핀용의 3개의 리프터 구멍(23)이 형성된다. 웨이퍼(W)와 배치면(3a) 사이의 간극은 통기 홈(30), 리프터 구멍(23) 및 통기 구멍(31)을 거쳐서 배치대(3) 및 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리실(2)의 내부 공간과 연통한다.

公开(公告)号：KR1020090033852A

公开(公告)日：2009-04-06

申请号：KR1020090018999

申请日：2009-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192

Abstract: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to reduce the accumulation of a reaction product by forming an icicle gas nozzle on a beam not to disturb the flow of the plasma. A plurality of width spray gas nozzles(27) and a plurality of icicle gas nozzles(28) are fixed in a beam(26) of a microwave plasma processing apparatus(100). The width spray gas nozzle has a spray hole(A). The icicle gas nozzle has the spray hole(B). A first gas supply unit sprays the argon gas around a dielectric(31) from the spray hole. A second gas supply part sprays the silane gas and the hydrogen gas on the location in which the gas is not overly dissociated from the spray hole. Each sprayed gas is made to the plasma by the microwave passing through the dielectric parts. The icicle gas nozzle is positioned not to disturb the flow of the plasma on the substrate. The ion or electron does not collide with the icicle gas nozzle.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过在不干扰等离子体的流动的光束上形成冰柱喷嘴来减少反应产物的积聚。 多个宽度喷雾气体喷嘴（27）和多个冰柱喷嘴（28）固定在微波等离子体处理装置（100）的光束（26）中。 宽度喷雾喷嘴具有喷孔（A）。 冰箱喷嘴具有喷孔（B）。 第一气体供应单元从喷射孔喷射介电体（31）周围的氩气。 第二气体供给部件将喷雾硅烷气体和氢气喷射到不与喷射孔分离的位置。 通过微波通过电介质部分，将各喷射气体制成等离子体。 冰柱气体喷嘴被定位成不干扰衬底上的等离子体的流动。 离子或电子不会与冰柱喷嘴碰撞。

公开(公告)号：KR100841810B1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：KR1020070031056

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32522

Abstract: 본 발명의 과제는 처리 용기 내에서 플라즈마에 접하는 면을 보다 평탄화하는 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다. 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는 처리실(U)과, 처리실(U) 내로 마이크로파를 투과시키는 복수의 유전체 부품(31)과, 유전체 부품(31)을 지지하는 빔(27)과, 처리실(U)의 외부로부터 빔(27)을 처리 용기에 고정하는 고정 수단을 구비한다. 고정 수단은 처리실(U)의 외부로부터 처리실(U)에 마련된 복수의 관통 구멍(21b)을 관통해서 빔(27)과 나사 결합하는 복수의 수나사(56)를 갖는다. 복수의 수나사(56)에 의해 처리실(U)의 외부로부터 빔(27)을 처리실(U)에 고정하기 때문에, 플라즈마에 접하는 빔(27)의 면(S)이 평탄화된다. 이로써, 면(S)의 볼록부에 전계 에너지가 집중하거나, 면(S)의 오목부에 이상 방전이 생기는 것을 회피할 수 있다. 이 결과, 가스가 과잉 해리하는 일없이, 균일한 플라즈마에 의해 기판(G)에 양질의 막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100827032B1

公开(公告)日：2008-05-02

申请号：KR1020060042569

申请日：2006-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 복수개의 가스 공급관 부품을 이용하여 처리 가스를 처리 용기 내에 공급하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는 복수의 가스 도입관(30)과 복수의 가스 파이프(28)와 그들 가스 파이프(28)를 지지하는 복수의 지지체(27)를 포함하여 구성되어 있다. 복수의 지지체(27)의 내부에는 가스 도입관(30)에 연결된 제 1 경로 또는 제 2 경로가 설치되어 있다. 아르곤 가스는 가스 도입관(30)을 거쳐 제 1 경로로부터 공급되고, 마이크로파에 의하여 플라즈마화(P1)된다. 실란 가스 및 수소 가스는 가스 도입관(30), 제 2 경로를 거쳐 복수의 가스 파이프(28)로부터 공급되고, 아르곤 가스를 플라즈마화할 때에 약해진 마이크로파에 의하여 플라즈마화(P2)된다. 이와 같이 하여 생긴 플라즈마에 의하여 양질의 아모퍼스실리콘막을 생성할 수 있다.