公开(公告)号：KR100523113B1

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：KR1020010029964

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오다나오후미 ,  가네코히로시

IPC: H01L21/00

Abstract: 단일기판식 처리 장치는 기밀 처리실(2)을 갖고, 그 내부에 배치대(3)가 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 배치대(3)의 배치면(3a)에는 복수의 통기 홈(30)이 형성된다. 배치대(3)에는 이것을 수직으로 관통하도록 복수의 통기 구멍(31)과, 리프터 핀용의 3개의 리프터 구멍(23)이 형성된다. 웨이퍼(W)와 배치면(3a) 사이의 간극은 통기 홈(30), 리프터 구멍(23) 및 통기 구멍(31)을 거쳐서 배치대(3) 및 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리실(2)의 내부 공간과 연통한다.

公开(公告)号：KR100964042B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020077028017

申请日：2007-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  사코다도모유키 ,  오다나오후미 ,  즈지노리히코 ,  모로이마사유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31691

Abstract: 성막장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 처리용기(2)와, 처리용기(2)내에 배치되고, 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(5)와, 이 탑재대(5)와 대향하는 위치에 마련되어, 처리용기(2)내로 처리가스를 토출하는 처리가스 토출기구로서의 샤워헤드(40)와, 처리용기(2)내를 배기하는 배기장치(101)를 구비하고, 샤워헤드(40)는, 처리가스가 도입되는 가스유로를 갖고 있고, 가스유로를 둘러싸도록 환형의 온도 조절실(400)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020080010448A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020077028017

申请日：2007-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이이즈카하치시로 ,  사코다도모유키 ,  오다나오후미 ,  즈지노리히코 ,  모로이마사유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31691

Abstract: A film forming apparatus comprising treatment vessel (2) for accommodating of semiconductor wafer (W); mounting table (5) disposed in the treatment vessel (2), on which the semiconductor wafer (W) is placed; shower head (40) as a treating gas emitting mechanism for emitting of treating gas into the treatment vessel (2), which shower head (40) is disposed in a position opposite to the mounting table (5); and exhauster (101) for exhausting of the interior of the treatment vessel (2), wherein the shower head (40) has a gas flow channel for introducing of treating gas and has circular temperature control chamber (400) disposed so as to surround the gas flow channel.

Abstract translation: 一种成膜装置，包括用于容纳半导体晶片（W）的处理容器（2） 设置在处理容器（2）中的安装台（5），其上放置有半导体晶片（W）; 淋浴头（40）作为处理气体发射机构，用于将处理气体排放到处理容器（2）中，该喷头（40）设置在与安装台（5）相对的位置; 和用于排出处理容器（2）内部的排气器（101），其中喷淋头（40）具有用于引入处理气体的气体流动通道，并且具有环形温度控制室（400） 气流通道。

公开(公告)号：KR1020010109167A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020010029964

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오다나오후미 ,  가네코히로시

IPC: H01L21/00

Abstract: 단일기판식 처리 장치는 기밀 처리실(2)을 갖고, 그 내부에 재치대(3)가 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 재치대(3)의 재치면(3a)에는 복수의 통기 홈(30)이 형성된다. 재치대(3)에는 이것을 수직으로 관통하도록 복수의 통기 구멍(31)과, 리프터 핀용의 3개의 리프터 구멍(23)이 형성된다. 웨이퍼(W)와 재치면(3a) 사이의 간극은 통기 홈(30), 리프터 구멍(23) 및 통기 구멍(31)을 거쳐서 재치대(3) 및 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리실(2)의 내부 공간과 연통한다.