公开(公告)号：KR100826862B1

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：KR1020067002068

申请日：2004-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아루가츠요시 ,  하기하라주니치 ,  오카세와타루 ,  야마구치에이지

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/02

CPC classification number: B32B38/1833 ,  B32B37/1284 ,  B32B2038/1891 ,  H01L21/67092 ,  H01L27/14634

Abstract: 이 접합 방법 및 장치에 있어서는, 제1 및 제2 유지 부재(44, 46)에 박판체(1) 및 다른 부재(2)를 높은 평면도로 유지하고, 제어 기구(40a)에 의해 위치 인식 기구(33, 34)의 정보에 기초하여, 이동 기구(45) 및 평행도를 조절하는 기구(52)를 제어하여 박판체(1)와 다른 부재가 소정의 위치 관계가 되도록 정렬하는 동시에, 가열 수단(49)에 의해 액상으로 유지된 액정 왁스(4)를 박판체(1)와 다른 부재(2) 사이에 끼운 상태에서 이동 기구(45)를 제어하고, 박판체(1)와 다른 부재(2)를 상대적으로 이동시킴으로써 액상의 액정 왁스(4)를 전체면으로 넓힌다. 따라서, 반도체 웨이퍼나 금속박 등의 박판형의 것과 다른 부재를 높은 정밀도이면서 확실하게 또한 효율적으로 접합시킬 수 있고, 또한 접합시킨 후 효율적으로 분리할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020030070919A

公开(公告)日：2003-09-02

申请号：KR1020037009581

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  마츠오다케노부

IPC: C25D3/00

CPC classification number: C25D17/001 ,  C25D7/123 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885

Abstract: 피처리체의 처리면에 의해 균일하게 도금 형성하는 것이 가능한 도금 처리 장치 및 도금 처리 방법을 제공한다. 도금액을 수용할 수 있고, 수용된 도금액에 침지 상태로 되는 제 1 전극을 구비하는 도금액조와, 피처리체를 유지하여 그 피처리면을 도금액에 접촉시키는 피처리체 유지 기구와, 피처리체 유지 기구에 설치되어, 도금액에 접촉된 피처리면의 도전층을 제 2 전극으로 하기 위해 피처리체의 주연부에 전기적으로 접촉하는 콘택트를 구비하고, 콘택트는 피처리체와 대향하는 방향으로 가동하는 벨로즈 구조 또는 스프링 구조를 갖고, 피처리체 유지 기구는 콘택트의 벨로즈 구조 등이 압축된 상태로 피처리체를 유지할 수 있다. 콘택트 자체를 강성 구조체로부터 연성 구조체로 하여, 압축 방향의 변위가 다소 생기더라도 접촉압의 변동이 미소하게 되도록 제어된 접촉압 변동에 의해 접촉 저항을 일정화한다.

公开(公告)号：KR100562005B1

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：KR1020037009581

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  마츠오다케노부

IPC: C25D3/00

CPC classification number: C25D17/001 ,  C25D7/123 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885

Abstract: A plating device and a plating method are provided that are capable of enhancing uniformity in plating on a treatment surface of an object to be treated. The plating device includes: a plating solution bath capable of storing a plating solution and having a first electrode to be immersed in the stored plating solution; a treatment object holding mechanism configured to hold the object to be treated to bring the treatment surface thereof into contact with the plating solution; and a contact disposed in the treatment object holding mechanism and brought into electrical contact with a peripheral edge of the object to be treated so as to make a conductive layer on the treatment surface, which is brought into contact with the plating solution, serve as a second electrode, the contact having a bellows construction or a spring construction movable in a direction facing the object to be treated, and the treatment object holding mechanism being capable of holding the object to be treated while the bellows construction or the like in the contact is in a compressed state. The contact itself is formed as a pliable structure instead of a rigid structure, thereby keeping the contact resistance constant by fluctuation in contact pressure which is controlled to be small even when a slight displacement of the compression direction occurs.

公开(公告)号：KR1020000028954A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990043599

申请日：1999-10-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C16/56

Abstract: PURPOSE: A heat treatment apparatus for a semiconductor treatment system is provided to realize the high uniformity of temperature in a non-processed substrate by simply changing the structure. CONSTITUTION: Gas is sprayed toward the inside from spraying holes(80B) of inner pipes(76) in the center and radiated in a vertical lower direction from the inner pipes of a shower head. Flows(G1) of the gas sprayed toward the center are collided each other for being changed to a flow(G2) toward the vertical lower direction to be fed to the center of a wafer(W). The gas in the flow is joined with the gas injected in the vertical lower direction from spraying holes(80A) to be flowed into the outer circumference of the wafer. A ring-shaped seal plate(97) completely seals between a loading stand(36) and a rectifying plate(96). All of the gas reaching the circumference of the wafer flows into the lower area through penetrating holes(96A) of the rectifying plate. Therefore, an area(RB) having the high flow speed of the processed gas is not generated. Also, the uniformity in the area is remarkably improved by raising the improved shower head and the seal plate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体处理系统的热处理装置，通过简单地改变结构来实现未处理衬底中的高的均匀度。 构成：从中心的内管（76）的喷孔（80B）向内侧喷射气体，并从淋浴喷头的内管向下下方向辐射。 朝向中心喷射的气体的流量（G1）相互碰撞，以朝向垂直下方向的流动（G2）变化以供给到晶片（W）的中心。 流体中的气体与从喷射孔（80A）沿垂直下方向注入的气体接合，流入晶片的外周。 环形密封板（97）在装载架（36）和整流板（96）之间完全密封。 所有到达圆周的气体都通过整流板的穿孔（96A）流入下部区域。 因此，不产生具有处理气体的高流速的区域（RB）。 此外，通过提高改进的花洒头和密封板，该区域的均匀性显着提高。

公开(公告)号：KR1019960002688A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950016131

申请日：1995-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루

IPC: H01L21/324

Abstract: 아래편쪽으로부터 웨이퍼를 로딩하는 반응관 및 그 주위에 설치된 가열부를 갖춘 종형열처리장치, 혹은 반응관 속에 1개의 웨이퍼를 유지구에 얹어서 로딩하고 열처리를 하는 낱장식의 열처리장치에 있어서, 반응관의 예를 들면 2층의 적층구조로 하고, 열처리분위기에 접하는 내표면부인 제1층부를, 사염화규소 등의 규소화합물을 원료로 하는 합성석영 유리에 의하여 구성하고, 제1층부의 바깥쪽의 제2층부를 수정을 원료로 하는 용융석 영유리에 의하여 구성한다. 합성석영유리는 금속의 함유량이 매우 미량이기 때문에, 반응관이 고온에 쬐더라도 열처리분위기로의 금속의 비산량은 실질영이고, 더구나, 합성석영유리와 용융석영유리를 적층하고 있으므로 반응관의 내열성도 크다. 이에 의하여 피처리체 예를 들면 반도체 웨이퍼를 산화처리, 확산처리 기타의 열처리를 함에 당면하여서, 불순물 오염을 경감할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019940016468A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930027317

申请日：1993-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 처리장치는, 피처리체가 내부에 수용되는 반응용기와, 반응용기에 프로세스 가스를 반입하는 가스도입경로와, 반응용기로부터 배기가스를 상기 반응용기의 외부에 반출하는 가스배기경로를 구비한다.
가스도입경로는 절연성, 내열성 및 가요성의 사불화에틸렌수지로 이루어지는 내층과, 내층의 외주면상에 설치된 도전성수지로 이루어진 발열층과, 발열층의 외주면상에 설치된 사불화에틸렌수지로 이루어지는 외층으로 이루어지는 가스반송 파이프에 의하여 구성되어 있다.
도전성수지는 도전성카본, 및 사불화에틸렌수지의 복합재료이다. 발열층의 도전성수지에 전기를 도통시킴으로써 발열층을 발열시켜서 가스 반송 파이프의 내부를 그 전체둘레에 걸쳐서 균일하게 가열한다.

公开(公告)号：KR1020100024925A

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020097025031

申请日：2008-05-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지킨

Inventor： 오카세와타루 ,  모리야슈지 ,  나카타도모히로 ,  시노하라츠토무 ,  야마지미치오

IPC: F16K27/00 ,  F17D1/04 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: F16K27/003 ,  Y10T137/598 ,  Y10T137/87885 ,  Y10T137/87917

Abstract: Provided is a fluid control apparatus having a reduced number of part items and improved assembly operation efficiency. A pressure display (4), which has relatively high frequency of being removed, is connected to a base block (5) at the lower section with a male screw member (17) from above. An open/close valve (6), which has relatively low frequency of being removed, has an integrally arranged block-like main body (6a) at the lower section. The main body (6a) of the open/close valve (6) is connected to the base block (5) with a male screw member (18) from the front-rear direction.

Abstract translation: 提供了具有减少的部件数量和改进的组装操作效率的流体控制装置。 具有相对较高频率被去除的压力显示器（4）在上部与外部螺纹部件（17）连接在下部的基座（5）上。 具有较低频率被去除的打开/关闭阀（6）在下部具有整体布置的块状主体（6a）。 打开/关闭阀（6）的主体（6a）从前后方向与外螺纹部件（18）连接到基座（5）。

公开(公告)号：KR100443415B1

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：KR1019980706622

申请日：1997-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  아오키가즈츠구 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PCT No. PCT/JP97/00477 Sec. 371 Date Aug. 14, 1998 Sec. 102(e) Date Aug. 14, 1998 PCT Filed Feb. 21, 1997 PCT Pub. No. WO97/31389 PCT Pub. Date Aug. 28, 1997A thermal processing apparatus for a semi-conductor wafer. A holder is provided within a processing vessel on which the wafer to be processed is placed. Upper and lower heaters are provided above and below the holder in order to heat the wafer. Each of the heaters are attached within heating vessels. A gas supply head supplies a processing gas in a shower form between the upper heater and the holder. The uniformity of the surface temperature of the wafer is improved by heating the wafer from both above and below.

Abstract translation: PCT No.PCT / JP97 / 00477 Sec。 371日期1998年8月14日 102（e）日期1998年8月14日PCT申请日1997年2月21日PCT Pub。 WO97 / 31389 PCT Pub。 日期1997年8月28日用于半导体晶片的热处理设备。 在待处理的晶片放置在其上的处理容器内提供保持器。 上部和下部加热器设置在支架的上方和下方以加热晶片。 每个加热器都安装在加热容器内。 气体供应头在上部加热器和支架之间以淋浴形式供应处理气体。 通过从上方和下方加热晶片来改善晶片表面温度的均匀性。

公开(公告)号：KR100286284B1

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1019940004072

申请日：1994-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루

IPC: H01L21/324

Abstract: 피처리체를 열처리장치로 반입하는 피처리체용 호울더에, 피처리체가 소정의 열처리위치에 있을 때에 처리위치의 아래쪽을 덮을 수 있는 차폐부재를 설치한다. 이것에 의해 처리위치로부터의 복사열의 누설을 차단함과 동시에, 처리위치 내의 온도변화를 적정화한 상태에서 유지하는 것이 가능하다. 따라서 피처리체의 전체 면을 균일한 온도로 효율좋게 열처리할 수 있음과 함께 제조공정에서의 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990087225A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980706622

申请日：1997-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  아오키가즈츠구 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼 열처리장치의 처리용기(4)내의 피처리체 홀더(14)에 유지시킨 웨이퍼(W)에 대해 소정의 열처리를 실시하기 위해, 상기 피처리체 홀더(14)의 아래쪽과 위쪽에 피처리체를 가열하기 위한 하부 및 상부 가열수단(16, 26)이 배치된다. 이들 가열수단(16, 29)은 하측 및 상측 가열수단 용기(6, 8)내에 각각 장착되어 있다. 상측 가열수단 용기(8)와 피처리체 홀더(14)의 사이에는, 처리가스를 샤워형상으로 공급하는 가스공급헤드(28)가 설치된다. 웨이퍼(W)를 상하양면으로부터 가열함으로써, 웨이퍼의 면내 온도의 균일성이 향상된다.