公开(公告)号：KR100927912B1

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：KR1020077020452

申请日：2006-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  가네코히로시 ,  이와타데루오 ,  다케야마다마키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: A method of processing a substrate by a substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a processing container including a first space where a first processing gas or a second processing gas is supplied onto the substrate and a second space formed around the first space; a first exhaust unit configured to evacuate the first space; and a second exhaust unit configured to evacuate the second space. The method includes a first step of supplying the first processing gas into the first space; a second step of discharging the first processing gas from the first space; a third step of supplying the second processing gas into the first space; and a fourth step of discharging the second processing gas from the first space; wherein the pressure in the second space is adjusted by a pressure-adjusting gas supplied into the second space.

Abstract translation: 公开了一种通过基板处理设备处理基板的方法。 该基板处理装置包括：处理容器，其具有向基板供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和形成于第一空间的周围的第二空间; 第一排气单元，所述第一排气单元构造成排空所述第一空间; 以及构造成排空第二空间的第二排气单元。 该方法包括将第一处理气体供应到第一空间中的第一步骤; 从第一空间排出第一处理气体的第二步骤; 将第二处理气体供给到第一空间的第三步骤; 以及从第一空间排出第二处理气体的第四步骤; 其中第二空间中的压力通过供应到第二空间中的压力调节气体来调节。

公开(公告)号：KR102217492B1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：KR1020167022025

申请日：2015-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토다케히사 ,  네모토다케나오 ,  야마기시고지 ,  가네코히로시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455

Abstract: 전자파방전방식의플라즈마처리장치에있어서, 유전체창가스유로내의이상방전을방지하면서, 유전체창가스유로내의가스의전환을단시간에행하여, 상이한종류의플라즈마처리공정을교대로일정한사이클로반복하는프로세스의고속화를실현한다. 이플라즈마처리장치는처리가스공급부(80)로부터제공되는처리가스를챔버(12) 내에도입하기위한가스도입기구로서, 3계통의가스라인, 즉유전체창(18)에가스유로(96) 및가스분출구(94)를마련하는천장가스라인(82)과, 상이한높이위치로챔버(12)의측벽(12a)에가스유로(100, 108) 및가스분출구(102, 110)를각각마련하는하부측벽가스라인(84) 및상부측벽가스라인(86)을구비하고있다. 그리고, 천장가스라인(82)의제1 가스공급관(90)과배기부(55, 56)를잇는바이패스배기라인(116)을구비하고있다.

公开(公告)号：KR100523113B1

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：KR1020010029964

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오다나오후미 ,  가네코히로시

IPC: H01L21/00

Abstract: 단일기판식 처리 장치는 기밀 처리실(2)을 갖고, 그 내부에 배치대(3)가 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 배치대(3)의 배치면(3a)에는 복수의 통기 홈(30)이 형성된다. 배치대(3)에는 이것을 수직으로 관통하도록 복수의 통기 구멍(31)과, 리프터 핀용의 3개의 리프터 구멍(23)이 형성된다. 웨이퍼(W)와 배치면(3a) 사이의 간극은 통기 홈(30), 리프터 구멍(23) 및 통기 구멍(31)을 거쳐서 배치대(3) 및 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리실(2)의 내부 공간과 연통한다.

公开(公告)号：KR1020120094440A

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020120015423

申请日：2012-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코히로시 ,  하야시테루유키 ,  오노유지

IPC: H01L51/56

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H01L51/001

Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to prevent the separation of film forming materials between a processing substrate and the upper side of a processing chamber by arranging capturing units between first to sixth deposition heads and on both sides of a transfer direction. CONSTITUTION: A film forming device includes a processing chamber(11) and a film forming material spraying unit(13). The processing chamber receives a substrate(G) and includes a capturing unit(16). The film forming material spraying unit sprays steam of the film forming material to a substrate. A capturing unit captures the film forming materials separated from the substrate and includes a plurality of gaps or holes to input the film forming materials from the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，用于通过在第一至第六沉积头之间和传送方向两侧布置捕获单元来防止在处理基板和处理室的上侧之间分离成膜材料。 构成：成膜装置包括处理室（11）和成膜材料喷涂单元（13）。 处理室接收基板（G）并且包括捕获单元（16）。 成膜材料喷涂单元将成膜材料的蒸汽喷射到基材上。 捕获单元捕获与基板分离的成膜材料，并且包括多个间隙或孔，以从基底输入成膜材料。

公开(公告)号：KR1020070102607A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020077020452

申请日：2006-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카기도시오 ,  가네코히로시 ,  이와타데루오 ,  다케야마다마키 ,  가키모토아키노부

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: A method of substrate treatment by means of a substrate treating apparatus holding a treatment object substrate and including a treatment vessel having thereinside a first space wherein a first treating gas or second treating gas is fed on the treatment object substrate and a second space defined around the first space and communicating with the first space; first evacuation means for evacuating the first space; and second evacuation means for evacuating the second space, which method is characterized by including the first step of feeding the first treating gas to the first space; the second step of discharging the first treating gas from the first space; the third step of feeding the second treating gas to the first space; and the fourth step of discharging the second treating gas from the first space, while the pressure of the second space is controlled by a pressure regulation gas fed into the second space.

Abstract translation: 一种基板处理装置的方法，所述基板处理装置保持处理对象基板并且包括处理容器，所述处理容器具有第一空间，其中所述第一处理气体或第二处理气体被供给到所述处理对象基板上， 第一空间与第一空间通信; 用于撤离第一空间的第一撤离装置; 以及用于抽空第二空间的第二抽空装置，该方法的特征在于包括将第一处理气体供给到第一空间的第一步骤; 从第一空间排出第一处理气体的第二步骤; 将第二处理气体供给到第一空间的第三步骤; 以及从第一空间排出第二处理气体的第四步骤，同时第二空间的压力由供给到第二空间的压力调节气体控制。

公开(公告)号：KR1020160130994A

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：KR1020167022025

申请日：2015-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토다케히사 ,  네모토다케나오 ,  야마기시고지 ,  가네코히로시

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L43/12

Abstract: 전자파방전방식의플라즈마처리장치에있어서, 유전체창가스유로내의이상방전을방지하면서, 유전체창가스유로내의가스의전환을단시간에행하여, 상이한종류의플라즈마처리공정을교대로일정한사이클로반복하는프로세스의고속화를실현한다. 이플라즈마처리장치는처리가스공급부(80)로부터제공되는처리가스를챔버(12) 내에도입하기위한가스도입기구로서, 3계통의가스라인, 즉유전체창(18)에가스유로(96) 및가스분출구(94)를마련하는천장가스라인(82)과, 상이한높이위치로챔버(12)의측벽(12a)에가스유로(100, 108) 및가스분출구(102, 110)를각각마련하는하부측벽가스라인(84) 및상부측벽가스라인(86)을구비하고있다. 그리고, 천장가스라인(82)의제1 가스공급관(90)과배기부(55, 56)를잇는바이패스배기라인(116)을구비하고있다.

Abstract translation: 一种用于交替地执行使用第一和第二处理气体的第一等离子体处理步骤的等离子体处理装置和使用第三和第四处理气体的第二等离子体处理步骤 该装置包括：处理容器，其在天花板中具有介电窗口并可移除地容纳工件; 排气单元，其排出处理容器; 处理气体供应单元，其将第一，第二，第三和第四处理气体供应到处理容器中; 第一气体导入单元，包括顶板气体注入口，电介质窗口气体流路和第一外部气体流路; 第二气体引入单元，包括侧壁气体注入口，侧壁气体流路和第二外部气体流路; 向所述等离子体产生空间供给电磁波的电磁波供给部; 旁路排气通道; 和开闭阀。

公开(公告)号：KR101352949B1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020120015423

申请日：2012-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코히로시 ,  하야시테루유키 ,  오노유지

IPC: H01L51/56

Abstract: 증착 헤드로부터 분사된 성막 재료가 피처리 기판과, 처리실 또는 다른 증착 헤드와의 사이에서 반도하여, 증착되어야 할 개소와는 상이한 부위에 성막 재료가 부착되거나, 각 성막 재료 분출부로부터의 증기가 혼합되어 인접하는 막 중에 불순물로서 혼입된다. 피처리 기판(G)을 수용하는 처리실(11)과, 성막 재료의 증기를 이 피처리 기판을 향해 분출시키는 성막 재료 분출부(13)를 구비하는 성막 장치(1)에 성막 재료 분출부(13)로부터 분출되어, 피처리 기판(G)에서 반도한 성막 재료를 포착하는 포착부(16, 16 …)를 처리실(11)의 내부에 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010109167A

公开(公告)日：2001-12-08

申请号：KR1020010029964

申请日：2001-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오다나오후미 ,  가네코히로시

IPC: H01L21/00

Abstract: 단일기판식 처리 장치는 기밀 처리실(2)을 갖고, 그 내부에 재치대(3)가 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 재치대(3)의 재치면(3a)에는 복수의 통기 홈(30)이 형성된다. 재치대(3)에는 이것을 수직으로 관통하도록 복수의 통기 구멍(31)과, 리프터 핀용의 3개의 리프터 구멍(23)이 형성된다. 웨이퍼(W)와 재치면(3a) 사이의 간극은 통기 홈(30), 리프터 구멍(23) 및 통기 구멍(31)을 거쳐서 재치대(3) 및 웨이퍼(W)를 둘러싸는 처리실(2)의 내부 공간과 연통한다.