公开(公告)号：KR1020050037954A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.