公开(公告)号：KR1020050037953A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020040083357

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: 본 발명의 과제는 도펀트의 활성화율이 높은 실리콘 게르마늄막을 성막하는 데 있어서, 실리콘 게르마늄막의 마이그레이션을 억제하는 것이다.
실리콘 게르마늄막을 제1 온도로 성막한 후, 제2 온도까지 승온하여 예를 들어 폴리실리콘으로 이루어지는 캡층을 성막하는 경우, 처리 분위기의 온도를 제1 온도로부터 제2 온도를 향해 승온하는 과정에 있어서, 실리콘 게르마늄막의 움직임을 억제하기 위해 실란계의 가스를 반응 용기 내에 공급하여 상기 실리콘 게르마늄막의 표면을 실리콘으로 이루어지는 코팅층으로 덮는다. 또한 실리콘 게르마늄막을 성막 후에 반응 용기 내를 진공화하여 웨이퍼를 반출하는 공정을 행하는 경우에는, 반응 용기 내를 성막 온도로부터 강온시키면서 수소 가스에 의해 실리콘 게르마늄막을 어닐링하여 진공 배기시의 마이그레이션을 억제한다.

公开(公告)号：KR1020080089327A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020080090861

申请日：2008-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: A film forming apparatus and a film forming method are provided to suppress silicon on a surface of a silicon germanium layer by supplying a silane-based gas. A silicon germanium layer is formed on a substrate by supplying a processing gas into an inside of a reaction chamber and setting temperature of processing atmosphere at a predetermined temperature level. An annealing process is performed to anneal the silicon germanium layer by supplying a hydrogen gas to the inside of the reaction chamber. A purge process using a purge gas is performed one more times by performing a vacuum exhaust process in the inside of the reaction chamber. The substrate is drawn from the inside of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供一种成膜装置和成膜方法，通过供给硅烷系气体来抑制硅锗层表面的硅。 通过将处理气体供应到反应室的内部并将处理气氛的设定温度设定在预定的温度水平，在基板上形成硅锗层。 执行退火处理以通过向反应室的内部供应氢气来退火硅锗层。 通过在反应室内部进行真空排气处理，再次进行使用吹扫气体的吹扫处理。 从反应室的内部抽出衬底。

公开(公告)号：KR100907148B1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.
인젝터, 처리 용기, 성막 장치, 플랜지, 배기관, 덮개 부재부

Abstract translation: 本发明的目的，当在基板的表面上的硅锗膜上形成Ti膜，该膜提供的膜形成装置和膜形成方法，其能够获得用于厚度和膜中的锗浓度较高​​的界面的均匀性。

公开(公告)号：KR100935039B1

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：KR1020080090861

申请日：2008-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: In a film-formation method for a semiconductor process, a silicon germanium film is formed on a target substrate by CVD in a process field within a reaction container. Then, a silicon coating film is formed to cover the silicon germanium film by CVD in the process field, while increasing temperature of the process field from the first temperature to a second temperature. Then, a silicon film is formed on the coating film by CVD in the process field.

Abstract translation: 在用于半导体工艺的成膜方法中，在反应容器内的处理区域中通过CVD在目标衬底上形成硅锗膜。 然后，在处理区域中通过CVD覆盖硅锗膜，同时将处理场的温度从第一温度升高到第二温度，从而形成硅涂膜。 然后，在工艺现场通过CVD在涂膜上形成硅膜。

公开(公告)号：KR100891392B1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：KR1020040083357

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: 본 발명의 과제는 도펀트의 활성화율이 높은 실리콘 게르마늄막을 성막하는 데 있어서, 실리콘 게르마늄막의 마이그레이션을 억제하는 것이다.
실리콘 게르마늄막을 제1 온도로 성막한 후, 제2 온도까지 승온하여 예를 들어 폴리실리콘으로 이루어지는 캡층을 성막하는 경우, 처리 분위기의 온도를 제1 온도로부터 제2 온도를 향해 승온하는 과정에 있어서, 실리콘 게르마늄막의 움직임을 억제하기 위해 실란계의 가스를 반응 용기 내에 공급하여 상기 실리콘 게르마늄막의 표면을 실리콘으로 이루어지는 코팅층으로 덮는다. 또한 실리콘 게르마늄막을 성막 후에 반응 용기 내를 진공화하여 웨이퍼를 반출하는 공정을 행하는 경우에는, 반응 용기 내를 성막 온도로부터 강온시키면서 수소 가스에 의해 실리콘 게르마늄막을 어닐링하여 진공 배기시의 마이그레이션을 억제한다.
반응 용기, 제어부, 개구부, 배기구, 진공 펌프, 압력 조정부

公开(公告)号：KR1020050037954A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.