公开(公告)号：KR100907148B1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.
인젝터, 처리 용기, 성막 장치, 플랜지, 배기관, 덮개 부재부

Abstract translation: 本发明的目的，当在基板的表面上的硅锗膜上形成Ti膜，该膜提供的膜形成装置和膜形成方法，其能够获得用于厚度和膜中的锗浓度较高​​的界面的均匀性。

公开(公告)号：KR100948985B1

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：KR1020050130286

申请日：2005-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아끼따께 ,  나까지마시게루 ,  오자끼데쯔시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/401 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  Y10S438/905

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 고유전율 재료를 주성분으로 하는 부생성물막을 클리닝 가스에 의해 처리하는 공정을 포함한다. 여기서, 반응실 내에 클리닝 가스를 공급하는 동시에 반응실 내를 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 클리닝 가스는 불소를 포함하지 않으면서 또한 염소를 포함한다. 제1 온도 및 제1 압력은 클리닝 가스 중의 염소가 활성화되도록 설정된다.
퍼지 가스 공급관, 반응관, 레시피 기억부, ROM, RAM, I/O 포트

公开(公告)号：KR1020050021339A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067671

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  스즈끼게이스께 ,  하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: PURPOSE: A heat treatment method is provided to control the particles adhered to an object to be processed by easily exhausting the particles of the object to be processed and a retaining support unit to the outside of a reaction chamber. CONSTITUTION: A retaining support unit in which a plurality of objects to be processed are retained at an interval of a predetermined pitch is carried into a reaction chamber. The inside of the reaction chamber having the retaining support unit is increased in temperature and reduced in pressure, wherein the inside of the reaction chamber is decompressed 1-5 minutes after the temperature of the inside of the reaction chamber starts to increase.

Abstract translation: 目的：提供一种热处理方法，通过容易地将待处理物体的颗粒和保持支撑单元排出到反应室的外部来控制附着于待处理物体的颗粒。 构成：以预定间距的间隔保持待处理的多个物体的保持支撑单元被携带到反应室中。 具有保持支撑单元的反应室的内部温度升高并且压力降低，其中反应室内部在反应室内部的温度开始增加之后1-5分钟减压。

公开(公告)号：KR100870608B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020040067671

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  스즈끼게이스께 ,  하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 본 발명의 과제는 피처리체에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 열처리 방법 및 열처리 장치를 제공하는 것이다.
열처리 장치(1)의 제어부(100)는 복수매의 반도체 웨이퍼(W)를 소정 피치 간격으로 보유 지지한 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입한다. 반도체 웨이퍼(W)가 보유 지지된 웨이퍼 보트(11)를 반응관(2) 내에 반입하면 반응관(2) 내를 반도체 웨이퍼(W) 또는 웨이퍼 보트(11)의 치핑이 반응관(2) 밖으로 배출되지 않는 압력까지 일단 감압한 후, 치핑을 반응관(2) 밖으로 배출 가능한 압력으로 유지한 상태에서 반응관(2) 내를 소정의 온도로 승온한다.
열처리 장치, 웨이퍼 보트, 반응관, 반도체 웨이퍼

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够抑制粒子附着于被处理物的热处理方法及热处理装置。

公开(公告)号：KR1020060076698A

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：KR1020050130286

申请日：2005-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다무라아끼따께 ,  나까지마시게루 ,  오자끼데쯔시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/401 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  Y10S438/905

Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes processing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus. This step is arranged to supply the cleaning gas into the reaction chamber, and set an interior of the reaction chamber at a first temperature and a first pressure. The by-product film mainly contains a high-dielectric-constant material. The cleaning gas contains chlorine without containing fluorine. The first temperature and the first pressure are set to activate chlorine in the cleaning gas.

Abstract translation: 使用用于半导体加工的成膜装置的方法包括通过清洁气体处理附着在成膜装置的反应室的内表面上的含有高介电常数材料的副产物膜作为主要成分的步骤。 这里，将清洁气体供应到反应室中并且将反应室的内部设定为第一温度和第一压力。 清洁气体不含氟，也含有氯气。 第一温度和第一压力被设定为使得清洁气体中的氯被激活。

公开(公告)号：KR1020050037954A

公开(公告)日：2005-04-25

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.