公开(公告)号：KR1020080029846A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070097409

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: A method and an apparatus for forming a silicon oxide film are provided to maintain a film formation rate and to form a silicon oxide layer of high quality at low temperature. A first process is performed to supply a first processing gas to a processing region, to stop a second processing gas supplied to the processing region, and to form an absorbing layer including silicon on a surface of a target substrate. A second process is performed to supply a second processing gas to the processing region, to stop the first processing gas supplied to the processing region, and to oxidize the absorbing layer formed on the surface of the target substrate. The first and second processes are performed repeatedly, in order to form an oxide layer having a predetermined thickness. The process temperature is lowered by using a univalent or bivalent aminosilane gas as the silicon source gas in comparison with a trivalent aminosilane gas.

Abstract translation: 提供一种形成氧化硅膜的方法和装置，以保持成膜速率并在低温下形成高品质的氧化硅层。 执行第一处理以向处理区域提供第一处理气体，以停止供应到处理区域的第二处理气体，并且在目标基板的表面上形成包括硅的吸收层。 执行第二处理以向处理区域供应第二处理气体，以停止供应到处理区域的第一处理气体，并且氧化形成在目标基板表面上的吸收层。 为了形成具有预定厚度的氧化物层，重复执行第一和第二工序。 与三价氨基硅烷气体相比，使用一价或二价氨基硅烷气体作为硅源气体，降低了工艺温度。

公开(公告)号：KR1020060048995A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050070118

申请日：2005-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L28/84

Abstract: 본 발명의 과제는 에칭 처리를 조합함으로써, 결정질의 반구 형상의 입자 사이즈를 작게 제어하는 것이 가능한 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 성막 가스에 의해 상기 피처리체의 표면에 결정 핵을 형성하고 상기 결정 핵을 성장시킴으로써 결정질의 반구 형상의 입자가 표면에 형성된 HSG 박막을 형성하는 HSG 박막 형성 공정과, 상기 HSG 박막의 표면을 산화함으로써 산화막을 형성하는 산화막 형성 공정과, 상기 산화막을 에칭에 의해 제거하는 에칭 공정을 갖는다. 이와 같이, 에칭 처리를 조합함으로써 HSG 실리콘 결정질의 입자에 있어서의 결정질의 반구 형상의 입자의 사이즈를 작게 제어한다.
성막 장치, HSG 박막, 산화막, 반도체 웨이퍼, 제어 수단

公开(公告)号：KR1020080089327A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020080090861

申请日：2008-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: A film forming apparatus and a film forming method are provided to suppress silicon on a surface of a silicon germanium layer by supplying a silane-based gas. A silicon germanium layer is formed on a substrate by supplying a processing gas into an inside of a reaction chamber and setting temperature of processing atmosphere at a predetermined temperature level. An annealing process is performed to anneal the silicon germanium layer by supplying a hydrogen gas to the inside of the reaction chamber. A purge process using a purge gas is performed one more times by performing a vacuum exhaust process in the inside of the reaction chamber. The substrate is drawn from the inside of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供一种成膜装置和成膜方法，通过供给硅烷系气体来抑制硅锗层表面的硅。 通过将处理气体供应到反应室的内部并将处理气氛的设定温度设定在预定的温度水平，在基板上形成硅锗层。 执行退火处理以通过向反应室的内部供应氢气来退火硅锗层。 通过在反应室内部进行真空排气处理，再次进行使用吹扫气体的吹扫处理。 从反应室的内部抽出衬底。

公开(公告)号：KR1020050021339A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020040067671

申请日：2004-08-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  스즈끼게이스께 ,  하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: PURPOSE: A heat treatment method is provided to control the particles adhered to an object to be processed by easily exhausting the particles of the object to be processed and a retaining support unit to the outside of a reaction chamber. CONSTITUTION: A retaining support unit in which a plurality of objects to be processed are retained at an interval of a predetermined pitch is carried into a reaction chamber. The inside of the reaction chamber having the retaining support unit is increased in temperature and reduced in pressure, wherein the inside of the reaction chamber is decompressed 1-5 minutes after the temperature of the inside of the reaction chamber starts to increase.

Abstract translation: 目的：提供一种热处理方法，通过容易地将待处理物体的颗粒和保持支撑单元排出到反应室的外部来控制附着于待处理物体的颗粒。 构成：以预定间距的间隔保持待处理的多个物体的保持支撑单元被携带到反应室中。 具有保持支撑单元的反应室的内部温度升高并且压力降低，其中反应室内部在反应室内部的温度开始增加之后1-5分钟减压。

公开(公告)号：KR1020040030835A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047000939

申请日：2002-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사까모또고이찌 ,  도네가와야마또 ,  후지따다께히꼬

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67259 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68 ,  H01L22/20 ,  Y10S414/135 ,  Y10S414/136

Abstract: 반도체 처리 시스템(10)은 측정부(40), 정보 처리부(51) 및 제어부(52)를 포함한다. 측정부(40)는 반도체 처리가 실시된 피처리 기판(W) 상의 테스트 대상막의 특성을 측정한다. 정보 처리부(51)는 테스트 대상막 상의 복수 위치에 있어서 측정부(40)에 의해 측정된 특성의 값을 기초로 하여, 특성의 면내 균일성을 향상시키는 데 필요한 피처리 기판(W)의 위치 보정량을 산출한다. 제어부(52)는 후속의 피처리 기판(W)을 반도체 처리를 행하기 위해 이동 적재 장치(30)에 의해 지지 부재(17)로 이동 적재할 때, 위치 보정량을 기초로 하여 이동 적재 장치(30)의 구동부(30A, 32A)를 제어한다.

Abstract translation: 半导体处理系统（10）包括测量部分（40），信息处理部分（51）和控制部分（52）。 测量部分（40）通过半导体工艺测量在目标衬底（W）上形成的测试目标膜的特性。 信息处理部（51）基于测定部（40）在测定时的多个位置测定的特性的值，计算为了提高特性的面内均匀性所需的对象基板（W）的位置修正量 目标电影。 当转印装置（30）将下一个目标基板（W）转印到支撑部件（30）上时，控制部分（52）基于位置校正量控制转印装置（30）的驱动部分（30A，32A） 17）来执行半导体工艺。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100907148B1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：KR1020040083358

申请日：2004-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  고모리가쯔히꼬 ,  기무라노리후미 ,  하세베가즈히데 ,  후지따다께히꼬 ,  다무라아끼따께 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/22 ,  C23C16/45578

Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 표면에 실리콘 게르마늄막을 성막할 때에, 그 막 두께나 막 중의 게르마늄 농도에 대해 높은 면간 균일성을 얻을 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것이다.
종형 처리 장치의 처리 용기 내에 서로 높이가 다른 3개의 인젝터(51 내지 53)를 설치하여 모노실란 가스와 모노게르마늄 가스를 미리 혼합하여 각 인젝터(51 내지 53)로부터 처리 용기(2) 내에 공급한다. 또한 3개의 인젝터를 이용하는 대신에 그 길이 방향으로 가스 공급 구멍이 형성된 분산형 인젝터를 처리 용기 내에 설치한다.
인젝터, 처리 용기, 성막 장치, 플랜지, 배기관, 덮개 부재부

Abstract translation: 本发明的目的，当在基板的表面上的硅锗膜上形成Ti膜，该膜提供的膜形成装置和膜形成方法，其能够获得用于厚度和膜中的锗浓度较高​​的界面的均匀性。

公开(公告)号：KR100861853B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：KR1020050070118

申请日：2005-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L28/84

Abstract: 본 발명의 과제는 에칭 처리를 조합함으로써, 결정질의 반구 형상의 입자 사이즈를 작게 제어하는 것이 가능한 성막 방법을 제공하는 것이다.
피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 성막 가스에 의해 상기 피처리체의 표면에 결정 핵을 형성하고 상기 결정 핵을 성장시킴으로써 결정질의 반구 형상의 입자가 표면에 형성된 HSG 박막을 형성하는 HSG 박막 형성 공정과, 상기 HSG 박막의 표면을 산화함으로써 산화막을 형성하는 산화막 형성 공정과, 상기 산화막을 에칭에 의해 제거하는 에칭 공정을 갖는다. 이와 같이, 에칭 처리를 조합함으로써 HSG 실리콘 결정질의 입자에 있어서의 결정질의 반구 형상의 입자의 사이즈를 작게 제어한다.
성막 장치, HSG 박막, 산화막, 반도체 웨이퍼, 제어 수단

公开(公告)号：KR1020050053713A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：KR1020057005461

申请日：2003-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  오까다미쯔히로 ,  우메자와고오따 ,  하세베가즈히데 ,  사까모또고오이찌

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/67253 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: A heat treating system comprising a holding unit for holding a plurality of substrates, a reaction container into which the holding unit is carried, a treating gas supply mechanism for supplying a treating gas into the reaction container, and a heating mechanism for heating the reaction container when the treating gas is supplied to perform a film-forming processing on the substrates. Flow- rate parameter table data in which data on the number of substrates scheduled for treating in one batch is allowed to correspond to the target value data of the treating gas flow-rate parameters is stored in a flow-rate parameter table data storing unit. A control means obtains the target value data of the treating gas flow-rate parameters according to an actual number of substrates scheduled for treating in one batch and based on flow-rate parameter table data stored in the flow-rate parameter table data storing unit, and controls the treating gas supply mechanism according to the target value data. The target value data of the flow- rate parameters is so determined as to provide a uniform film-forming speed to treating batches in which the number of substrate scheduled for treating differs from one another.

Abstract translation: 一种热处理系统，包括用于保持多个基板的保持单元，承载保持单元的反应容器，用于将处理气体供应到反应容器中的处理气体供给机构，以及用于加热反应容器的加热机构 当处理气体被供给以在基板上进行成膜处理时。 将流量参数表数据存储在流量参数表数据存储部中，流量参数表数据被存储在流量参数表数据存储单元中，其中计划用于一批处理的基板数量被允许对应于处理气体流量参数的目标值数据。 控制装置根据预定一批处理的基板的实际数量，根据存储在流量参数表数据存储部中的流量参数表数据，求出处理气体流量参数的目标值数据， 并根据目标值数据控制处理气体供给机构。 流量参数的目标值数据被确定为提供均匀的成膜速度以处理其中预定处理的基板的数量彼此不同的批次。

公开(公告)号：KR101131645B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020070089845

申请日：2007-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  이시다요시히로 ,  후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: 막 소스 원소를 포함하고 또한 아미노기를 포함하지 않은 소스 가스를 구비하는 제1 처리 가스와 산화 가스를 구비하는 제2 처리 가스와 예비 처리 가스를 구비하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 CVD에 의해 산화막을 형성한다. 제1 공정은, 제3 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 공급하는 여기 기간을 구비하고, 이에 따라 생성된 예비 처리 가스의 라디칼에 의해 피처리 기판의 표면을 예비 처리한다. 제2 공정은, 제1 처리 가스의 공급을 행하고, 이에 의해, 피처리 기판의 표면에 막 소스 원소를 흡착시킨다. 제3 공정은, 제2 처리 가스를 여기 기구에 의해 여기한 상태에서 공급하는 여기 기간을 구비하고, 이에 따라 생성된 산화 가스의 라디칼에 의해, 피처리 기판의 표면에 흡착된 막 소스 원소를 산화한다.
막 소스 원소, 소스 가스, 처리 가스, 피처리 기판, 산화막

公开(公告)号：KR1020080020964A

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020070088269

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지따다께히꼬 ,  오가와쥰 ,  나까지마시게루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B33/005 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: An oxidation method for a semiconductor process is provided to prevent a remarkable decrease of a consumption rate of an active species without increasing the quantity of gas supply by performing an oxide process on the surface of a substrate to be processed while using an oxygen active species and a hydroxyl radical active species. A plurality of substrates(W) to be processed are received in a process region(5) in a process receptacle(4), piling up at a predetermined interval. From first and second gas supply holes that approximate the substrate at one side of the process region and existing across the vertical length corresponding to the process region, oxidizing gas and reducing gas are respectively supplied to the process region. One or both of the oxidizing gas and the reducing gas are activated. The process region is exhausted through an exhaust hole(52) that confronts the first and second gas supply holes and positioned at both sides of the process region so that the oxidizing gas and the reducing gas are flowed along the surface of the substrate. The oxidizing gas reacts with the reducing gas to generate an oxygen active species and a hydroxyl radical active species in the process region. An oxide process is performed on the surface of the substrate by using the oxygen active species and the hydroxyl radical active species. The exhaust holes can exist across the vertical length corresponding to the process region.

Abstract translation: 提供一种半导体工艺的氧化方法，用于通过在使用氧活性物质的基板的表面上进行氧化处理而不增加气体供给量来防止活性物质的消耗速度的显着降低， 羟基自由基活性物质。 要处理的多个基板（W）被接收在处理容器（4）中的处理区域（5）中，以预定间隔堆积。 从处理区域一侧的衬底近似于存在于对应于工艺区域的垂直长度上的第一和第二气体供给孔分别将氧化气体和还原性气体供给到处理区域。 一种或两种氧化性气体和还原气体被激活。 处理区域通过面对第一和第二气体供给孔并位于处理区域的两侧的排气孔（52）排出，使得氧化气体和还原气体沿着基板的表面流动。 氧化气体与还原气体反应，在工艺区域产生氧活性物质和羟基活性物质。 通过使用氧活性种类和羟基自由基活性物质，在基材的表面上进行氧化处理。 排气孔可以跨越对应于处理区域的垂直长度存在。