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公开(公告)号：KR1020030004429A
公开(公告)日：2003-01-14
申请号：KR1020027016003
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 래디얼 라인 슬롯 안테나를 사용한 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 슬롯판(16)를, 지파판(18)과 열팽창율이 가까운 재료에 의해, 혹은 지파판(18)을 구성하는 유전체판 상에 금속을 부착 시키기로 보다 형성한다. 안테나 중의 지파판과 마이크로파 방사면을 구성하는 슬롯판의 사이의 밀착성을 향상시켜, 이상 방전을 방지한다.
Abstract translation: 在使用径向线隙缝天线的微波等离子体处理装置中，由具有与波阻滞板（18）接近的热膨胀率的材料形成槽板（16），或者在构成 波阻滞板（18）。 为了防止异常放电，改善了构成微波辐射表面的波阻滞板和槽板之间的紧密接触。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020030004428A
公开(公告)日：2003-01-14
申请号：KR1020027016001
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 마이크로파 공급 도파관과 마이크로파 안테나의 사이에, 임피던스 변화를 완화시키기 위해 테이퍼면이나, 중간적인 유전율을 가지는 부재를 설치함으로써, 마이크로파 공급 도파관과 마이크로파 안테나의 접속부에 있어서의 반사파의 형성을 억제하고, 급전 효율을 향상시키고, 방전을 억제하여 플라즈마 처리 장치 중에 있어서의 플라즈마 형성을 안정화시킨다.
Abstract translation: 在微波等离子体处理装置中，通过在微波供给波导与微波天线之间设置锥面或具有中等介电常数的部件，减少微波供给波导与微波天线之间的接合部的微波反射， 以缓和阻抗变化。 因此，供电效率提高，并且放电减少确保了等离子体的稳定形成。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020060128956A
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020067015057
申请日：2004-12-24
Applicant: 오미 다다히로
IPC: H05H1/46 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32467
Abstract: Plasma discharge occurs in the gas circulation space between the upper surface of a shower plate and the lower surface of a cover plate in partial contact with the shower plate, and the supplied microwave is uselessly consumed by this undesired discharge, thereby losing the power. A plasma processing apparatus comprises a shower plate having ejection holes for ejecting gas, a microwave antenna, and a cover plate interposed between the shower plate and the microwave antenna. The material of the cover plate has a relative dielectric constant smaller than that of the material of the shower plate.
Abstract translation: 在喷淋板的上表面和与喷淋板部分接触的盖板的下表面之间的气体循环空间中发生等离子体放电，并且所供应的微波无用地被这种不期望的放电消耗，从而失去功率。 等离子体处理装置包括具有用于喷射气体的喷射孔的喷淋板，微波天线和插在喷淋板和微波天线之间的盖板。 盖板的材料的相对介电常数小于喷淋板材料的相对介电常数。
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公开(公告)号：KR1020070031875A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020067020048
申请日：2005-07-25
Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고토 나오히사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/511 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3222
Abstract: 분배기(30)는, 도파관 슬롯 안테나(10A∼10H)의 폭 방향(D2)으로 연장하는 급전용 도파관과, 도파관 슬롯 안테나(10A∼10H)의 방사용 도파관과 급전용 도파관을 연통시키는 급전용 도파관의 벽면에 형성된 개구(12)를 가진다. 이 분배기에서는, 도파관 슬롯 안테나의 방사용 도파관의 폭의 총합과 같은 길이의 급전용 도파관을 이용하면 좋으므로, 안테나 어레이를 구성하는 도파관 슬롯 안테나의 수를 늘려서 개구 면적을 크게 해도, 장치 구성이 복잡화 또한 대형화하는 일은 없다.
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公开(公告)号：KR1020120034824A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020127006088
申请日：2008-03-28
Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J37/347
Abstract: 회전 마그넷 스퍼터 장치에 있어서, 타깃의 소모에 의해 타깃 표면이 변화하고, 성막 레이트가 시간 경과적으로 변화하는 것을 줄이기 위해, 타깃의 소모 변위량을 측정하고, 측정 결과에 따라 회전 자석군과 타깃 사이의 거리를 조정하여, 균일한 성막 레이트를 장시간에 걸쳐 실현한다. 타깃의 소모 변위량을 측정하는 수단으로는, 초음파 센서를 사용해도 되고, 레이저 송수신 장치를 사용해도 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090122376A
公开(公告)日：2009-11-27
申请号：KR1020097021033
申请日：2008-03-28
Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J37/347
Abstract: In a rotating magnetron sputtering apparatus, a target consumption displacement quantity is measured, and corresponding to the measurement results, a distance between a rotating magnet group and a target is adjusted, and uniform film forming rate is achieved over a long period of time so as to reduce the change of a target surface due to consumption of the target and to reduce the change of the film forming rate with time. An ultrasonic sensor or a laser transmitting/receiving device may be used as a means for measuring the consumption displacement quantity of the target.
Abstract translation: 在旋转磁控管溅射装置中，测量目标消耗量位移量，并且对应于测量结果，调整旋转磁体组与目标之间的距离，并且在长时间内实现均匀的成膜速率，以便 以减少由于目标物的消耗导致的目标表面的变化并且随着时间而减少成膜速率的变化。 可以使用超声波传感器或激光发射/接收装置作为测量目标的消耗位移量的装置。
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公开(公告)号：KR1020080046285A
公开(公告)日：2008-05-26
申请号：KR1020087009253
申请日：2006-10-06
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: A magnetron sputtering apparatus enabling improvement of the film-forming speed by increasing the erosion density on the target at every movement and prolongation of the target life by realizing uniform consumption of the target by moving the erosion region with time. Plate magnets (3) are arranged around a columnar rotary shaft (2). A high-density erosion region is formed on a target (1) by rotating the columnar rotary shaft (2) so as to increase the film-forming speed. Since the erosion region is moved with rotation of the columnar rotary shaft (2), the target (1) is consumed uniformly.
Abstract translation: 一种磁控溅射装置，其能够通过随着时间移动侵蚀区域而实现目标的均匀消耗，通过增加目标的每次移动和延长目标寿命时的侵蚀密度来提高成膜速度。 板状磁体（3）围绕柱状旋转轴（2）布置。 通过旋转柱状旋转轴（2），在靶（1）上形成高密度腐蚀区域，以提高成膜速度。 由于侵蚀区域随着柱状旋转轴（2）的旋转而移动，所以目标（1）被均匀地消耗。
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公开(公告)号：KR100822580B1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：KR1020067020048
申请日：2005-07-25
Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고토 나오히사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/511 , H01J37/32
Abstract: 분배기(30)는, 도파관 슬롯 안테나(10A∼10H)의 폭 방향(D2)으로 연장하는 급전용 도파관과, 도파관 슬롯 안테나(10A∼10H)의 방사용 도파관과 급전용 도파관을 연통시키는 급전용 도파관의 벽면에 형성된 개구(12)를 가진다. 이 분배기에서는, 도파관 슬롯 안테나의 방사용 도파관의 폭의 총합과 같은 길이의 급전용 도파관을 이용하면 좋으므로, 안테나 어레이를 구성하는 도파관 슬롯 안테나의 수를 늘려서 개구 면적을 크게 해도, 장치 구성이 복잡화 또한 대형화하는 일은 없다.
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公开(公告)号：KR101231261B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020127006088
申请日：2008-03-28
Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J37/347
Abstract: 회전 마그넷 스퍼터 장치에 있어서, 타깃의 소모에 의해 타깃 표면이 변화하고, 성막 레이트가 시간 경과적으로 변화하는 것을 줄이기 위해, 타깃의 소모 변위량을 측정하고, 측정 결과에 따라 회전 자석군과 타깃 사이의 거리를 조정하여, 균일한 성막 레이트를 장시간에 걸쳐 실현한다. 타깃의 소모 변위량을 측정하는 수단으로는, 초음파 센서를 사용해도 되고, 레이저 송수신 장치를 사용해도 된다.
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公开(公告)号：KR101217381B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020087009253
申请日：2006-10-06
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
Abstract: 타겟 상에서의 매순간의 에로젼 밀도를 상승시켜 성막 속도를 향상시킴과 함께, 에로젼 영역을 시간적으로 이동시켜 타겟의 국소적 마모를 방지하여 균일한 소모를 실현함으로써 타겟을 장기 수명화할 수 있는 마그네트론 스퍼터 장치를 제공한다. 기둥 형상 회전축 (2) 의 주변에 판자석 (3) 을 복수 설치하고, 기둥 형상 회전축 (2) 을 회전시킴으로써, 타겟 (1) 상에 고밀도의 에로젼 영역을 형성하여 성막 속도를 상승시킴과 함께, 기둥 형상 회전축 (2) 의 회전과 함께 에로젼 영역이 움직임으로써 균일하게 타겟 (1) 을 소모시킨다.
마그네트론 스퍼터 장치, 회전 자석군, 고정 외주 판자석, 에로젼 밀도, 성막
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