公开(公告)号：KR100959109B1

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：KR1020070136751

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정재경 ,  신현수 ,  모연곤 ,  정종한

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극과 접하며 표면 거칠기가 1.3nm 이하이며, 산화아연층으로 이루어진 투명 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공한다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극과 접하며 표면 거칠기가 1.3nm 이하인 산화아연층으로 이루어진 투명 반도체층; 상기 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트절연막을 포함하는 박막 트랜지스터; 및 상기 박막트랜지스터와 전기적 소통을 이루며, 하나 이상의 화소를 구비하는 화소부를 구비하며, 상기 화소부는 상기 소스/드레인 전극과 전기적 소통을 이루는 하나 이상의 전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치를 제공한다.
유기전계발광표시장치, 표면 거칠기

公开(公告)号：KR100936874B1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：KR1020070133508

申请日：2007-12-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이헌정 ,  정재경 ,  신현수 ,  정종한 ,  박진성 ,  모연곤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 전극을 포함하는 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 산소 이온을 포함하며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 반도체층을 형성하는 단계, 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 반도체층을 포함하는 상부에 유기물을 코팅하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 반도체층의 케리어 농도가 1e+17 내지 1e+18#/㎤ 범위 내에서 유지되도록 하여 안정적인 전기적 특성을 갖도록 한다.
화합물 반도체, 수소 농도, 케리어 농도, 보호막, 비저항

公开(公告)号：KR1020090068939A

公开(公告)日：2009-06-29

申请号：KR1020070136751

申请日：2007-12-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정재경 ,  신현수 ,  모연곤 ,  정종한

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/34

Abstract: A thin film transistor and flat display apparatus are provided to optimize the thickness of semiconductor and improve the property by forming the semiconductor layer. A thin film transistor comprises a substrate(100), source/drain electrode(150a, 150b), transparent semiconductor layer(110), gate electrode(130), and gate insulation film(120). The source/drain electrode is placed on the substrate. The transparent semiconductor layer contacts with the source/drain electrode. The surface roughness of the transparent semiconductor layer is under 1.3nm. The transparent semiconductor layer is made of zinc oxide layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管和平面显示装置以优化半导体的厚度并通过形成半导体层来提高其性能。 薄膜晶体管包括基板（100），源极/漏极（150a，150b），透明半导体层（110），栅极电极（130）和栅极绝缘膜（120）。 源极/漏极放置在衬底上。 透明半导体层与源极/漏极接触。 透明半导体层的表面粗糙度低于1.3nm。 透明半导体层由氧化锌层构成。

公开(公告)号：KR1020090021741A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070086510

申请日：2007-08-28

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  모연곤 ,  박진성 ,  이헌정 ,  신현수

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: A thin film transistor and a luminescent display device using the same are provided to decrease the contact resistance of the semiconductor layer interface by doping at least one ion into the semiconductor layer consisting of N-type oxide semiconductor. A gate electrode(220) is formed on a substrate(210). A gate isolation layer(230) is formed on the gate electrode. A semiconductor layer(240) consisting of N-type oxide semiconductor is formed on the gate isolation layer. One or more ion selected from the group comprised of the group 1 elements in the domain in which the source/drain electrode is arranged on the semiconductor layer is doped. Source/drain electrodes(250a,250b) are formed on the ion-doped semiconductor layer. The doping concentration of the doped region is 10^16 or 10^21/cm^3. The group 1 elements is comprised of the hydrogen (H), lithium (Li), sodium (Na), the potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), or francium(Fr).

Abstract translation: 提供薄膜晶体管和使用其的发光显示装置，以通过将至少一个离子掺杂到由N型氧化物半导体构成的半导体层中来降低半导体层界面的接触电阻。 在基板（210）上形成栅电极（220）。 栅极隔离层（230）形成在栅电极上。 在栅极隔离层上形成由N型氧化物半导体构成的半导体层（240）。 掺杂有源/漏极配置在半导体层的畴中的1族元素的一种以上的离子被掺杂。 源极/漏极（250a，250b）形成在离子掺杂半导体层上。 掺杂区域的掺杂浓度为10 ^ 16或10 ^ 21 / cm ^ 3。 第1族元素由氢（H），锂（Li），钠（Na），钾（K），铷（Rb），铯（Cs）或ium（Fr）组成。

公开(公告)号：KR100882677B1

公开(公告)日：2009-02-06

申请号：KR1020070083435

申请日：2007-08-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  신현수 ,  박진성 ,  모연곤 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78696

Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display device including the same are provided to decrease contact resistance of a semiconductor layer and a metal electrode through external diffusion of oxygen by forming the semiconductor layer made of a compound semiconductor including oxygen. A semiconductor layer(13) having a channel region(13a), a source region(13b), and a drain region(13c) is formed on a substrate(10). A gate electrode is overlapped with the semiconductor layer of the channel region on a gate dielectric film. A source electrode(14b) and a drain electrode(14c) are contacted with the semiconductor layer of the source region and the drain region. The source electrode and the drain electrode include one of more metal ion selected among groups made of Ru, Zn, In, and Sn. A conductive metal oxide layer(15) is formed between the source/drain electrodes and the semiconductor layer, and contains metal ion of the source electrode and the drain electrode.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置，以通过形成由包含氧的化合物半导体制成的半导体层来降低半导体层和金属电极通过氧的外部扩散的接触电阻 。 在衬底（10）上形成具有沟道区（13a），源区（13b）和漏区（13c）的半导体层（13）。 栅电极与栅极电介质膜上的沟道区的半导体层重叠。 源电极（14b）和漏电极（14c）与源极区域和漏极区域的半导体层接触。 源电极和漏极包括选自由Ru，Zn，In和Sn组成的组中的一种以上的金属离子。 在源/漏电极和半导体层之间形成导电金属氧化物层（15），并且包含源电极和漏电极的金属离子。

公开(公告)号：KR1020060121486A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：KR1020050043699

申请日：2005-05-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 구재본 ,  정재경 ,  신현수 ,  모연곤

IPC: H05B33/12

CPC classification number: H01L27/3232 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/12044

Abstract: A two-side flat panel display apparatus is provided to obtain thin and light characteristics by forming an AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) element at one side of a substrate and an EPD(ElectroPhoretic Display) element at the other side of the same substrate. In a two-side flat panel display apparatus, a first display element(200) is formed at one side of a substrate(100). A second display element(300) is formed at the other side of the substrate(100). The second display element(300) is a different kind of a display element with the first display element(200).

Abstract translation: 提供两面平板显示装置以通过在基板的一侧形成AMOLED（有源矩阵有机发光二极管）元件和在其另一侧的EPD（ElectroPhoretic Display）元件）来获得薄而轻的特性 基质。 在双面平板显示装置中，第一显示元件（200）形成在基板（100）的一侧。 第二显示元件（300）形成在基板（100）的另一侧。 第二显示元件（300）是具有第一显示元件（200）的显示元件的不同种类。