公开(公告)号：KR100638732B1

公开(公告)日：2006-10-30

申请号：KR1020050031613

申请日：2005-04-15

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김동우 ,  김용천 ,  민복기

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/20

Abstract: 본 발명은 5각형 이상의 다각형 또는 원형의 횡단면 형상을 갖는 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 사파이어 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 순차적으로 배치된 발광구조물을 형성하는 단계; 원하는 최종 발광소자의 횡단면 형상을 가지며, 서로 소정간격 이격 배치되어 상기 발광구조물의 상면 일부가 노출되도록 상기 발광구조물의 상면에 복수개의 금속층을 형성하는 단계; 상기 복수개의 금속층 사이에 노출된 영역 하부의 발광구조물을 제거하여 최종 발광소자에 해당하는 크기로 상기 발광구조물을 분리하는 단계; 상기 사파이어 기판 하면으로 레이저빔을 조사하여 상기 발광구조물로부터 상기 사파이어 기판을 분리하는 단계 - 여기서, 발광구조물이 최종 발광소자 크기로 완전히 분리됨-; 및 상기 n형 질화물 반도체층의 상기 사파이어 기판이 제거된 면에 본딩패드를 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
수직구조, 질화물 반도체 발광소자, 다각형, 원형, 측면 광추출, 레이저 리프트 오프

公开(公告)号：KR100587018B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020050016109

申请日：2005-02-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 고건유 ,  민복기 ,  황석민 ,  조효경 ,  김민주 ,  박영호

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02

Abstract: 본 발명은 복수의 발광구조물을 갖는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 발광구조물의 상면에 일체형으로 반사막을 형성함으로써, 플립칩 구조에 적용시 상기 복수개의 발광구조물 사이에서 발생하는 광 누설의 방지를 통해 발광효율을 개선한 플립칩용 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
본 발명은, 투광성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성되며, 복수개의 본딩 패드와 상기 본딩 패드 사이를 연결하는 전극지로 이루어진 n측 전극; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 상기 n측 전극이 형성되지 않은 영역에 상기 n측 전극에 의해 분리되어 형성되며, 순차적으로 적층된 활성층 및 p형 질화물 반도체층으로 이루어진 복수개의 발광구조물; 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n측 전극을 전기적으로 아이솔레이션 시키며, 상기 복수개의 발광구조물 사이에 위치한 상기 n측 전극의 전극지를 덮도록 형성되는 절연층; 및 상기 복수개의 발광구조물 상부 및 상기 절연층 상에 일체형으로 형성된 반사층을 포함하는 플립칩용 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체 발광소자, 반사층, 발광구조물, 절연층, 본딩패드, 전극지

Abstract translation: 本发明涉及一种具有多个发光结构的，倒装芯片氮化物半导体发光器件，其中，通过当应用于倒装芯片结构上的光的上表面上一体地形成反射膜从所述多个发光结构之间的发光结构，防止漏光的 用于倒装芯片的氮化物半导体发光器件。