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公开(公告)号：KR1020160001427A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：KR1020140079948
申请日：2014-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5614 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0045 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/0088 , G11C2013/0092
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리장치의동작방법으로서, 상기복수의메모리셀들이제1 기준저항과제2 기준저항사이의목표저항상태를갖도록상기복수의메모리셀들에기입펄스를인가하는단계; 상기복수의메모리셀들에검증펄스를인가함으로써상기복수의메모리셀들의저항을독출하는단계; 상기복수의메모리셀들중 상기저항이상기제2 기준저항보다높은메모리셀들에검증기입전류펄스를인가하는단계; 및상기복수의메모리셀들중 상기저항이상기제1 기준저항보다낮은메모리셀들에검증기입전압펄스를인가하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于操作包括多个存储单元的电阻式存储器件的方法。 用于操作电阻式存储器件的方法包括以下步骤：将写入脉冲施加到多个存储器单元以允许存储器单元处于第一参考电阻和第二参考电阻之间的目标电阻状态; 通过向存储器单元施加验证脉冲来读取存储器单元的电阻; 对存储单元中具有高于第二基准电阻的电阻的存储单元施加验证写入电流脉冲; 以及向所述存储单元中具有低于所述第一参考电阻的电阻的存储单元施加验证写入电压脉冲。
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公开(公告)号：KR1020150144177A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020140072973
申请日：2014-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0033 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F11/0793 , G06F11/1048 , G11C13/0035 , G11C13/0069 , G11C29/52 , G11C2013/0092 , G11C2213/77
Abstract: 저항성메모리장치및 저항성메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른저항성메모리장치의동작방법에있어서, 상기저항성메모리장치는메모리셀 어레이를포함하고, 기록싸이클을검출하는단계와, 검출된기록싸이클을기 설정된제1 기준값에도달했는지에따라리커버리수행여부를판단하는단계및 상기판단결과에기반하여상기메모리셀 어레이의적어도일부의메모리셀에대한리커버리동작을수행하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种用于操作电阻式存储器件的电阻式存储器件和方法。 根据本发明的技术方面，用于操作包括存储单元阵列的电阻式存储器件的方法包括：用于检测记录周期的步骤; 基于所述记录周期是否达到预定的第一值，确定恢复动作的执行的步骤; 以及执行存储单元阵列的至少一些存储单元的恢复动作的步骤。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160055012A
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140154738
申请日：2014-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1673 , G11C11/56 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/72
Abstract: 본개시는복수의제1 신호라인들과복수의제2 신호라인들이교차하는영역들에각각배치된복수의메모리셀들을포함하는메모리장치의동작방법으로서, 상기복수의제1 신호라인들에초기전압을인가하는단계, 상기초기전압이인가된상기복수의제1 신호라인들을플로팅시키는단계, 이어서, 상기복수의제2 신호라인들에제2 인히빗전압을인가하는단계, 및플로팅된상기복수의제1 신호라인들과상기제2 인히빗전압이인가된상기복수의제2 신호라인들사이의커패시티브커플링을통해, 상기복수의제1 신호라인들의전압레벨을제1 인히빗전압레벨로상승시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 为了有效地产生高于施加到存储器件的外部电源电压的高抑制电压，本公开涉及一种操作存储器件的方法，该存储器件包括多个存储器单元，其分别布置在第一信号线相交的区域中 与第二信号线。 该方法包括对第一信号线施加初始电压的步骤，将施加初始电压的第一信号线浮置的步骤，向第二信号线施加第二禁止电压的步骤，以及步骤 通过浮置的第一信号线和施加第二禁止电压的第二信号线之间的电容耦合将第一信号线的电压电平提高到第一禁止电压电平。
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公开(公告)号：KR1020160011488A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020140092660
申请日：2014-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리장치의동작방법에관한것으로서, 메모리셀 어레이의적어도일부의메모리셀들에대한리프레시수행여부를결정하는단계; 상기메모리셀들각각의저항상태를판단하는단계; 및복수의저항상태들중 임계저항레벨이하의저항상태를갖는제1 메모리셀에대하여재기입을수행하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作包括多个存储单元的电阻式存储器件的方法。 该方法包括以下步骤：确定是否对存储单元阵列中的至少一些存储单元执行刷新操作; 确定每个存储单元的电阻状态; 并且在电阻状态等于或小于临界电阻水平的多个电阻状态之间对具有电阻状态的第一存储单元执行重写操作。
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公开(公告)号：KR1020140108985A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130023007
申请日：2013-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C2213/72
Abstract: Provided is a nonvolatile memory device using a variable resistive element. The nonvolatile memory device includes a memory array which includes a plurality of nonvolatile memory cells, a first read circuit which performs a first read operation of first data from the memory array and provides a protection signal to show a victim period in the first read operation, and a second read circuit which performs a second read operation of second data from the memory array and provides a check signal to show an aggressor period in the second read operation.
Abstract translation: 提供了一种使用可变电阻元件的非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括存储器阵列，其包括多个非易失性存储器单元，第一读取电路，其执行来自存储器阵列的第一数据的第一读取操作，并且提供保护信号以在第一读取操作中显示受害时段， 以及第二读取电路，其从存储器阵列执行第二数据的第二读取操作，并提供检查信号以示出第二读取操作中的侵略者周期。
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