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    게르마늄 응축을 이용한 ＣＭＯＳ 트랜지스터 및 그제조방법
    21.
    发明公开
    게르마늄 응축을 이용한 ＣＭＯＳ 트랜지스터 및 그제조방법 有权
    使用锗浓缩的CMOS晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090110667A

    公开(公告)日：2009-10-22

    申请号：KR1020080036282

    申请日：2008-04-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김준연 ,  전중석

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7848

    Abstract: PURPOSE: A CMOS transistor using Ge condensation and a manufacturing method thereof are provided to easily manufacture a CMOS transistor by dividing a p-channel and an n-channel on a silicon wafer through Ge condensation. CONSTITUTION: A CMOS transistor(100) using Ge condensation includes an insulation layer(112), a silicon layer, a first gate insulation layer(124), a first gate(125), a second gate insulation layer(144), and a second gate(145). The silicon layer is formed on the insulation layer, and is divided into a p-MOS transistor region and an n-MOS transistor region. The first gate insulation layer and the first gate are formed on a channel region of the p-MOS transistor region. The second gate insulation layer and the second gate are formed on a channel region of the n-MOS transistor region.

    Abstract translation: 目的：提供使用Ge冷凝的CMOS晶体管及其制造方法，以通过Ge缩合在硅晶片上分割p沟道和n沟道来容易地制造CMOS晶体管。 构造：使用Ge缩合的CMOS晶体管（100）包括绝缘层（112），硅层，第一栅极绝缘层（124），第一栅极（125），第二栅极绝缘层（144）和 第二门（145）。 硅层形成在绝缘层上，分为p-MOS晶体管区和n-MOS晶体管区。 第一栅极绝缘层和第一栅极形成在p-MOS晶体管区域的沟道区上。 第二栅极绝缘层和第二栅极形成在n-MOS晶体管区域的沟道区上。

    광전소자
    22.
    发明公开
    광전소자 无效
    光电器件

    公开(公告)号：KR1020090026570A

    公开(公告)日：2009-03-13

    申请号：KR1020070091645

    申请日：2007-09-10

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김준연 ,  전중석

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/06

    Abstract: A photoelectric device is provided to increase the energy conversion efficiency by varying the composition of a plurality of light absorption layers. A photoelectric device includes a light absorption layer(200) and the first and second electrodes(E1,E2) which are electrically connected to the light absorption layer. The light absorption layer comprises GaInNAsP. The light absorption layer is formed on a silicon layer. The light absorption layer is a monolayer or multilayer consisting of GaInNAsP.

    Abstract translation: 提供光电装置以通过改变多个光吸收层的组成来增加能量转换效率。 光电器件包括光吸收层（200）和与光吸收层电连接的第一和第二电极（E1，E2）。 光吸收层包含GaInNAP。 光吸收层形成在硅层上。 光吸收层是由GaInNAsP组成的单层或多层。

    수직 외부 공진기형 면발광 레이저 소자 및 이를 구비하는레이저 시스템
    23.
    发明公开
    수직 외부 공진기형 면발광 레이저 소자 및 이를 구비하는레이저 시스템 无效
    垂直外部空腔表面发射激光装置及其相同的激光系统

    公开(公告)号：KR1020070059312A

    公开(公告)日：2007-06-12

    申请号：KR1020050118016

    申请日：2005-12-06

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김준연 ,  김기성

    IPC: H01S5/18

    CPC classification number: H01S5/18397 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/18361

    Abstract: A vertical external cavity surface emitting laser device and a laser system including the same are provided to realize a compact volume and reduce a manufacturing unit cost. A vertical external cavity surface emitting laser device(20) includes a first laser device(30), a second laser device(50), and a heat spreader(40). The first and second laser devices(30,50) generate light of different wavelengths. The first laser device(30) has a first active layer(31) and a first reflector(35). The first active layer(31) generates light of a first wavelength. The first reflector(35) reflects the light generated from the first active layer(31). The second laser device(50) has a second active layer(51) and a second reflector(55). The second active layer(51) generates light of a second wavelength. The second reflector(55) reflects the light generated from the second active layer(51). The heat spreader(40) discharges heat generated from the first and second laser devices(30,50) to the outside. The first active layer(31), the first reflector(35), the heat spreader(40), the second active layer(51), and the second reflector(55) are sequentially formed in a stack structure.

    Abstract translation: 提供垂直的外腔表面发射激光器件和包括其的激光系统以实现紧凑的体积并降低制造单元成本。 垂直外腔表面发射激光器件（20）包括第一激光器件（30），第二激光器件（50）和散热器（40）。 第一和第二激光装置（30,50）产生不同波长的光。 第一激光装置（30）具有第一有源层（31）和第一反射器（35）。 第一有源层（31）产生第一波长的光。 第一反射器（35）反射从第一有源层（31）产生的光。 第二激光装置（50）具有第二有源层（51）和第二反射器（55）。 第二有源层（51）产生第二波长的光。 第二反射器（55）反射从第二有源层（51）产生的光。 散热器（40）将从第一和第二激光装置（30,50）产生的热量排出到外部。 第一有源层（31），第一反射器（35），散热器（40），第二有源层（51）和第二反射器（55）依次形成为堆叠结构。

    후방 광펌핑 방식의 외부 공진기형 면발광 레이저
    24.
    发明公开
    후방 광펌핑 방식의 외부 공진기형 면발광 레이저 无效
    端泵垂直外壁表面发射激光

    公开(公告)号：KR1020070058246A

    公开(公告)日：2007-06-08

    申请号：KR1020050116635

    申请日：2005-12-01

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김준연

    IPC: H01S5/18

    CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S3/08077 ,  H01S5/18366

    Abstract: A rear-light-pumping VECSEL(Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) is provided to prevent deterioration of stability of an entire laser system by absorbing a remaining pump beam to other optical element inside a cavity. A rear-light-pumping VECSEL(20) includes a laser chip(22), a pump laser(21), a beam splitter(26), a pump beam mirror(27), and an external mirror(25). The laser chip(22) has an oscillation area generating a laser beam. The pump laser(21) provides a pump beam to a lower surface of the laser chip(22). The beam splitter(26) transmits the laser beam generated from the laser chip(22) and reflects the pump beam generated from the pump laser(21). The pump mirror(27) directs the pump beam to the laser chip(22) through the beam splitter(26) by reflecting the pump beam again. The external mirror(25) directs the laser beam to the laser chip(22) through the beam splitter(26) by reflecting the laser beam again.

    Abstract translation: 提供了后光抽运VECSEL（垂直外腔表面发射激光器），以通过将剩余的泵浦光束吸收到腔内的其它光学元件来防止整个激光系统的稳定性的劣化。 背光泵浦VECSEL（20）包括激光芯片（22），泵浦激光器（21），分束器（26），泵浦光束镜（27）和外部反射镜（25）。 激光芯片（22）具有产生激光束的振荡区域。 泵浦激光器（21）向激光芯片（22）的下表面提供泵浦光束。 分束器（26）透射从激光芯片（22）产生的激光束并反射从泵浦激光器（21）产生的泵浦光束。 泵反射镜（27）通过再次反射泵浦光束将泵浦光束通过分束器（26）引导到激光器芯片（22）。 通过再次反射激光束，外部反射镜（25）通过分束器（26）将激光束引导到激光芯片（22）。

    질화물 반도체 기판 제조방법
    26.
    发明公开
    질화물 반도체 기판 제조방법 审中-实审
    制造氮化物半导体衬底的方法

    公开(公告)号：KR1020170141308A

    公开(公告)日：2017-12-26

    申请号：KR1020160073871

    申请日：2016-06-14

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 탁영조 ,  강삼묵 ,  김미현 ,  김준연 ,  박영수

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604

    Abstract: 본발명의일 실시예는, 서로대향하는제1 면과제2 면을갖는실리콘기판을마련하는단계와, 제1 성장챔버에서상기실리콘기판의제1 면에질화물템플릿을성장시키는단계 - 상기질화물템플릿의성장과정에서상기실리콘기판의제2 면에실리콘화합물층이형성됨 - 와, 상기실리콘기판의제2 면으로부터상기실리콘화합물층을제거하는단계와, 제2 성장챔버에서상기질화물템플릿상에Ⅲ족질화물단결정을성장시키는단계와, 상기제2 성장챔버에서상기실리콘기판을제거하는단계를포함하는질화물반도체기판제조방법을제공한다.

    Abstract translation: 一个实施例中，第一表面的分配方法包括：提供具有第二表面的硅衬底，和在彼此面对本发明的第一个生长室中在氮化物模板生长到硅衬底的第一表面的第二步骤，其中所述氮化物模板 在周围去除从硅衬底，在生长室中的第二ⅲ族氮化物单晶在氮化物模板的第二表面的硅化合物层形成在硅衬底的第二表面上该硅化合物层，和城堡的部分 本发明还提供了一种制造氮化物半导体衬底的方法。

    저결함 반도체 소자 및 그 제조 방법
    30.
    发明公开
    저결함 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
    低缺陷半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140142670A

    公开(公告)日：2014-12-12

    申请号：KR1020140067519

    申请日：2014-06-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 탁영조 ,  김재균 ,  김주성 ,  김준연 ,  박영수 ,  이은하

    IPC: H01L21/318 ,  H01L21/20

    Abstract: 저결함 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
    개시된 반도체 소자의 제조 방법은, 실리콘 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 제1성장 조건을 가지고 계면 조절층을 형성하고, 상기 계면 조절층 상에 상기 제1 성장 조건과 다른 제2 성장 조건을 가지고 질화물 적층체를 형성한다.

    Abstract translation: 公开了一种低有缺陷的半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括在硅衬底上形成缓冲层，在缓冲层上形成具有第一生长条件的界面控制层，形成具有与第一生长条件不同的第二生长条件的氮化物层压体 在界面控制层。

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