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公开(公告)号：KR102223036B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140106794A
申请日：2014-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/38 , F21K9/232 , F21Y2115/10
Abstract: 본 발명은 제1 영역과 제2 영역을 가지며 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층의 상면에 배치되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어, 상기 복수의 나노 코어 상에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물; 및 상기 복수의 나노 발광구조물의 표면에 배치된 콘택 전극을 포함하며, 상기 제1 영역에 배치된 나노 발광구조물의 상단은, 상기 콘택 전극이 배치되지 않는 부분을 가지며, 상기 제2 영역에 배치된 나노 발광구조물의 상단은, 상기 콘택 전극으로 덮히므로, 나노 발광구조물의 상단에 위치한 활성층 영역에서 발생되는 누설전류에 대한 영향을 방지할 수 있으며, 나노 발광구조물의 동작전압이 상승하는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100193731B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960025818
申请日：1996-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 화학용액 관리센서의 정확도를 향상시키는 하우징에 관한 것으로, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학용액 관리센서 하우징은, 화학용액이 유입되는 유입구와, 유입된 화학용액을 배출하는 배출구와, 상기 유입구와 배출구를 배관과 연결시키는 너트부와, 상기 유입구와 배출구가 연통하되 상기 배관의 직경보다 작은 직경을 가는 유체통로와, 상기 유체통로상에 pH를 측정하는 센서의 검출부가 위치할 수 있도록 형성된 센서삽입구와, 상기 센서삽입구에 상기 센서를 고정시키는 결합수단을 포함하는 구조를 가지므로서, pH측정시 정확도가 향상되고, 손쉽게 설치함은 물론 화학용액에 의한 부식을 예방할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR102223036B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140106794
申请日：2014-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 및상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극을포함하며, 상기제1 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극이배치되지않는부분을가지며, 상기제2 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극으로덮히므로, 나노발광구조물의상단에위치한활성층영역에서발생되는누설전류에대한영향을방지할수 있으며, 나노발광구조물의동작전압이상승하는것을방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170141308A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160073871
申请日：2016-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/02513 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/304 , H01L21/30604
Abstract: 본발명의일 실시예는, 서로대향하는제1 면과제2 면을갖는실리콘기판을마련하는단계와, 제1 성장챔버에서상기실리콘기판의제1 면에질화물템플릿을성장시키는단계 - 상기질화물템플릿의성장과정에서상기실리콘기판의제2 면에실리콘화합물층이형성됨 - 와, 상기실리콘기판의제2 면으로부터상기실리콘화합물층을제거하는단계와, 제2 성장챔버에서상기질화물템플릿상에Ⅲ족질화물단결정을성장시키는단계와, 상기제2 성장챔버에서상기실리콘기판을제거하는단계를포함하는질화물반도체기판제조방법을제공한다.
Abstract translation: 一个实施例中，第一表面的分配方法包括：提供具有第二表面的硅衬底，和在彼此面对本发明的第一个生长室中在氮化物模板生长到硅衬底的第一表面的第二步骤，其中所述氮化物模板 在周围去除从硅衬底，在生长室中的第二ⅲ族氮化物单晶在氮化物模板的第二表面的硅化合物层形成在硅衬底的第二表面上该硅化合物层，和城堡的部分 本发明还提供了一种制造氮化物半导体衬底的方法。
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公开(公告)号：KR1020170029678A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126184
申请日：2015-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02005 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/7806 , H01L33/0066 , H01L33/0079
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체기판의제조방법은, 성장기판상에제1 반도체층을형성하는단계, 상기제1 반도체층상에, 복수의트렌치들을갖는제2 반도체층을형성하는단계, 상기복수의트렌치들을통해서제1 반도체층에복수의보이드들을형성하는단계, 상기제2 반도체층으로부터성장되며, 상기복수의트렌치들을덮고상기제2 반도체층의상부로연장되는제3 반도체층을형성하는단계, 상기제2 및제3 반도체층이상기성장기판으로부터분리되는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造半导体衬底的方法包括以下步骤：在生长衬底上形成第一半导体层;在第一半导体层上形成具有多个沟槽的第二半导体层; 通过沟槽在第一半导体层中形成多个空隙;形成从第二半导体层生长并覆盖多个沟槽并在第二半导体层上延伸的第三半导体层; 并将第二和第三半导体层与理想基板分离。
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公开(公告)号：KR1020160021921A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140106794
申请日：2014-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L33/08 , H01L33/38
Abstract: 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 및상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극을포함하며, 상기제1 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극이배치되지않는부분을가지며, 상기제2 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극으로덮히므로, 나노발광구조물의상단에위치한활성층영역에서발생되는누설전류에대한영향을방지할수 있으며, 나노발광구조물의동작전압이상승하는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 本发明的纳米结构半导体发光器件包括：具有第一和第二区域并由第一导电半导体材料形成的基极层; 多个发光纳米结构，其设置在所述基底层的上表面上，每一个包括由所述第一导电半导体材料形成的纳米孔，以及依次设置在所述纳米孔上的有源层和第二导电半导体层; 以及设置在所述多个发光纳米结构上的接触电极，其中设置在第一区域中的所述多个发光纳米结构的末端部分具有未布置所述接触电极的部分，并且所述多个发光纳米结构的末端部分设置 在第二区域被接触电极覆盖，从而防止了对位于发光纳米结构的顶端部分上的有源层产生的漏电流的影响和发光纳米结构的工作电压的增加。
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公开(公告)号：KR1020160141355A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150169791
申请日：2015-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/48 , H01L33/00 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체기판의제조방법은, 성장기판상에버퍼층을형성하는단계, 버퍼층에버퍼층을관통하며서로이격되어배치되는복수의개구부들을형성하는단계, 성장기판에복수의개구부들의하부에배치되는복수의캐비티들을형성하는단계, 버퍼층으로부터성장되며, 복수의개구부들을채우고버퍼층의상부로연장되는반도체층을형성하는단계, 및복수의캐비티들에작용하는응력에의해, 버퍼층및 반도체층이성장기판으로부터분리되는단계를포함한다. 성장기판과버퍼층의경계에서, 복수의개구부들의지름은복수의캐비티들의지름보다작다.
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公开(公告)号：KR1019980005762A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960025818
申请日：1996-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
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