公开(公告)号：KR1019980022567A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960041748

申请日：1996-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  유승일 ,  김동호 ,  이병관

IPC: H01L21/203

Abstract: 웨이퍼를 반도체 소자 제조공정이 진행되는 공정챔버로 옮겨주는 반도체 웨이퍼 보트에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼 주변부가 놓이는 원형고리 형상의 웨이퍼 지지대 복수개가, 상기 웨이퍼 지지대 각각의 주변부 복수개소에 접촉되어 상기 웨이퍼 지지대를 고정시키는 복수개의 수직 지지보에 의해서 일정 간격으로 이격 설치되며, 상기 복수개의 웨이퍼 지지대에는 동일 방향으로 개구부가 형성되어 웨이퍼 이송기가 출입될 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼 및 수직지지보의 휘어짐이 방지되어 웨이퍼의 표면이 찢어지는 공정불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980020123A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960038477

申请日：1996-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  이병관 ,  김동호 ,  안웅관

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 제조공정에서 도프드 폴리(Doped-Poly) 단위공정 적용후 저항을 측정하기 전에 웨이퍼를 열처리하기 위한 반도체 웨이퍼 열처리(Anneal)장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 배치타입으로 단위공정이 수행된 웨이퍼를 저항 측정전에 열처리하기 위한 반도체 웨이퍼 열처리장치에 있어서, 상부에 히팅챔버(22), 대기실(23) 및 카세트 스테이지(24)가 나란하게 구비된 테이블(21)과, 열처리하기 위한 웨이퍼를 탑재하여 히팅챔버내에 넣기 위한 보트(25)와, 상기 보트를 대기실에서 히팅챔버 내부로 왕복 이동시키는 보트이송부(40)와, 카세트(26)에 탑재된 웨이퍼를 보트로 이송시켜 탑재시키는 웨이퍼이송부(30)와, 보트에 탑재된 웨이퍼를 카세트로 이송시켜 탑재시키는 웨이퍼반송부(50)로 이루어진 것이다.
따라서 모니터 웨이퍼에 대한 열처리가 효율적으로 이루어지고 구성이 매우 간단하게 이루어져 운용비가 절감되는 것이고, 열처리 시간이 단축되어 생산 웨이퍼에 대한 다음 공정이 신속하게 이루어지는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970023691A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034168

申请日：1995-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  류규복 ,  박제응 ,  김중기

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼를 적재한 보트가 넣어지는 공정튜브와, 이 공정튜브내의 온도를 공정에 필요한 온도로 유지시키기 위한 히터와, 상기 히터를 제어하기 위한 것으로 공정 튜브내의 온도를 검출하는 온도센서와, 상기 공정 튜브와 히터 사이에 설치되어 히터의 열에서 발생되는 불순물이 공정 챔버로 침투되지 않도록 보호하는 라이너로 구성된 반도체 제조공정의 수평형 로 확산장치에 있어서, 상기 공정튜브내의 온도를 검출하는 온도센서가 공정튜브와 라이너 사이에 설치된 구성이다.
따라서 고온공정에 의한 열변형으로 공정튜브에 굴곡이 형성되어도 교체가 가능하여 수리후 재사용할 수 있는 경제적인 잇점이 있으며, 교체작업이 용이하여 작업시간을 단축시킴으로써 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100598089B1

公开(公告)日：2006-07-07

申请号：KR1019990022267

申请日：1999-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  임현우

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 석영 튜브의 구조 및 가스의 흐름방향을 개선하여 공정의 균일성을 향상하기 위한 반도체 제조용 종형 확산로에 관한 것으로, 반도체 제조용 종형 확산로는 하단이 오픈된 종형의 공정 튜브와, 공정 튜브의 오픈된 부분으로부터 삽입되어 공정 튜브내에 위치되는 웨이퍼들이 적재된 수직 보트와, 공정 튜브의 하단에 설치되는 그리고 수직 보트가 위치되는 오프닝을 갖는 샤워헤드와, 샤워헤드의 아래에 위치되도록 공정 튜브의 하단에 설치되고 공정 튜브 내부로 공정가스가 유입되는 인젝터 및 튜브의 상단 중심에 설치되고 공정가스가 빠져나가는 배기구를 구비한다.

公开(公告)号：KR100538279B1

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：KR1019980022422

申请日：1998-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  한현

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 확산공정설비의 웨이퍼 이송시스템 및 웨이퍼 이송방법에 관한 것이다.
본 발명의 확산공정설비의 웨이퍼 이송시스템은 다수개의 웨이퍼가 일정각도로 기울어져 안착되는 웨이퍼보트와, 상기 웨이퍼보트로 상기 웨이퍼를 이송하는 이송장치 및 상기 이송장치의 동작을 제어하도록 제어신호를 인가하는 제어부를 포함하여 이루어지고, 본 발명의 웨이퍼 이송방법은 상기 웨이퍼를 흡착하여 수평이동하는 단계와, 상기 웨이퍼보트를 향해 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 상기 웨이퍼를 회전시켜 일정각도로 기울어지게 하는 단계와, 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼보트에 안착시키는 단계 및 다른 웨이퍼를 이송하도록 준비를 하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 웨이퍼보트에 다량의 웨이퍼를 안착시키는 것이 가능하고, 경사진 웨이퍼들 사이의 공간으로 공정가스의 흐름이 원활해지므로 웨이퍼 상에 형성되는 박막층의 균일성을 향상시키며, 웨이퍼의 중심부와 주변부의 온도차에 의한 열팽창의 차이를 해소하여 웨이퍼 상에 균열이 발생하는 슬립현상을 억제하게 하는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020020057751A

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：KR1020010000823

申请日：2001-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임현우 ,  남기흠 ,  정창구

IPC: H01L21/31

Abstract: PURPOSE: A method for forming an oxide layer in a semiconductor fabrication process is provided to form a uniform oxide layer on a wafer in a process for forming a thermal oxide layer. CONSTITUTION: A boat including a multitude of wafers is transferred into a tube(S1). Nitrogen gas is provided to the tube(S2). Oxygen gas is provided to the tube(S3). The tube is heated to a high temperature(S4). The tube is maintained under the high temperature(S5). The oxygen gas is provided to the tube under the high temperature(S6). The oxygen gas and hydrogen chloride gas are provided to the tube(S7). A thermal process for the wafers is performed(S8). A cooling process for the tube is performed(S9). The tube is maintained under a low temperature(S10). The boat including the wafers is transferred to the outside of the tube(S11).

Abstract translation: 目的：提供一种在半导体制造工艺中形成氧化物层的方法，以在形成热氧化物层的工艺中在晶片上形成均匀的氧化物层。 构成：将包含大量晶片的船转移到管（S1）中。 向管（S2）提供氮气。 氧气被提供给管（S3）。 将管加热至高温（S4）。 管保持在高温（S5）。 氧气在高温下被提供给管（S6）。 将氧气和氯化氢气体提供给管（S7）。 进行晶片的热处理（S8）。 执行管的冷却过程（S9）。 将管保持在低温下（S10）。 包括晶片的舟皿被转移到管的外部（S11）。

公开(公告)号：KR100290305B1

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1019990020629

申请日：1999-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  홍지훈

IPC: H01L21/68

Abstract: 반도체소자제조용보트및 이를구비한공정튜브에관한것이다. 본발명에따른보트는, 웨이퍼가안착되는복수개의슬롯이내면에형성된복수의봉형상로드에의해서상부링및 하부받침대가서로연결된반도체소자제조용보트에있어서, 상기각 로드내부에반응가스공급관이구비되고, 상기복수의슬롯에각각안착된웨이퍼상에반응가스를공급할수 있도록상기슬롯과슬롯사이의상기로드에상기반응가스공급관과연결된가스방출구가형성되고, 본발명에따른공정튜브는상기보트를구비하는것을특징으로한다. 따라서, 적은양의반응가스를이용하여웨이퍼상에특정두께이상의특정막을전체적으로균일하게형성할수 있고, 노즐이내부튜브내측에설치되지않으므로노즐에공정부산물이증착되어공정불량요인으로작용하고, 노즐과보트가부딪혀노즐이깨지는것을방지할수 있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020010002453A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990022267

申请日：1999-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  임현우

IPC: H01L21/22

Abstract: PURPOSE: A vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor is provided to improve process uniformity regarding every portion of a wafer and according to the positions of the wafers stacked in a vertical boat, by stabilizing a gas flow, and by supplying a uniform gas distribution in a quartz tube. CONSTITUTION: A vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor comprises a process tube(12), a vertical boat(20), a shower head(16), an injector(14) and an exhausting opening(18). The process tube is of a vertical type, of which a lower part is opened. Wafers are inserted from the open portion of the process tube and loaded in the vertical boat. The shower head has an opening in which the vertical tube is located, established in a lower portion of the process tube. The injector is established in a lower portion of the process tube so that the injector is located under the shower head. Process gas is induced into the process tube through the injector. The exhausting opening is established in a central portion of an upper part of the tube, through which the process gas is exhausted.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的垂直扩散炉，以提高晶片的每个部分的处理均匀性，并且根据堆叠在垂直舟皿中的晶片的位置，通过稳定气流，并且通过提供均匀的气体分布 石英管。 构成：用于制造半导体的垂直扩散炉包括处理管（12），垂直船（20），喷淋头（16），喷射器（14）和排气开口（18）。 处理管是垂直型的，下部打开。 晶片从处理管的开口部分插入并装载在垂直舟皿中。 淋浴头具有竖立管所在的开口，建立在处理管的下部。 注射器建立在处理管的下部，使得注射器位于淋浴头下方。 工艺气体通过喷射器被引入工艺管。 排气开口建立在管的上部的中心部分，工艺气体通过该开口排出。

公开(公告)号：KR1020000025669A

公开(公告)日：2000-05-06

申请号：KR1019980042829

申请日：1998-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍지훈 ,  남기흠

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A wafer boat mounts two wafer boats, adjusts a height of each wafer boat during a fabrication, adjusts a pitch between the hardened wafers, adjusts a temperature of a front surface of wafer, facilitates inflow of fabrication gas, prevents a wafer slip phenomenon. CONSTITUTION: A wafer boat includes a fixed boat, and a driving boat. In the fixed boat, a first upper plate having many through-holes at external part, and a first lower plate(1a) having a through-hole at a center part. The first upper plate and the first lower plate are horizontally supported by many supporting stands(9), and many slots(4a,4b) are formed in the supporting stands. The driving boat has a second upper plate positioned on the first upper plate, and many through-holes(5) at external part. A second lower plate positioned on the first lower part is horizontally supported by many supporting stands, and many slots are formed in the supporting stands(9). Thereby, the wafer boat adjusts a height of each wafer boat during a fabrication, adjusts a pitch between the hardened wafers, adjusts a temperature of a front surface of wafer, facilitates inflow of fabrication gas, prevents a wafer slip phenomenon.

Abstract translation: 目的：晶圆舟安装两个晶片舟，在制造期间调整每个晶片舟的高度，调整硬化晶片之间的间距，调整晶片前表面的温度，促进制造气体的流入，防止晶片滑移现象 。 规定：晶圆舟包括一艘固定的船和一艘驾驶船。 在固定船中，具有在外部具有许多通孔的第一上板和在中心部具有通孔的第一下板（1a）。 第一上板和第一下板由许多支撑架（9）水平支撑，并且在支撑架中形成许多槽（4a，4b）。 驱动船具有位于第一上板上的第二上板，在外部具有许多通孔（5）。 定位在第一下部的第二下板由许多支撑架水平地支撑，并且在支撑架（9）中形成许多槽。 因此，晶片舟皿在制造过程中调整每个晶片舟皿的高度，调节硬化晶片之间的间距，调节晶片前表面的温度，促进制造气体的流入，防止晶片滑移现象。

公开(公告)号：KR100234537B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960067452

申请日：1996-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남기흠 ,  박제응

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 화학기상증착장치 등과 같은 공정챔버에 반응가스를 공급하기 위한 가스공급관을 통과하는 반응가스를 예열시킬 수 있는 예열장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치용 가스공급관의 예열장치는, 반응가스가 흐르는 가스공급관(2)의 외주면에 가열관(4)을 취부시키고, 내주면에 냉각관(6)이 취부된 외관(5)으로 상기 가열관(4)이 취부된 가스공급관(2)을 감싸서 이루어진다.
따라서, 공정챔버(1)에 공급되는 반응가스가 공정챔버(1)내로 유입되기 전에 미리 예열토록 함으로써 공정챔버(1) 내에서 최적의 반응조건을 형성할 수 있도록 하여 반도체 장치의 품질 및 수율을 향상시키는 효과가 있으며, 또한 반응가스의 예열에 의하여 파티클의 발생을 최소화하여 공정챔버(1)를 포함하는 가스공급관(2)들의 유지, 보수를 간편하게 하는 효과가 있다.