公开(公告)号：KR1020060041013A

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040090364

申请日：2004-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H04N5/376 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/3698 ,  H04N5/37455 ,  H04N5/37457

Abstract: Provided is a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor. The CMOS image sensor includes a pixel array unit having a matrix-type array of unit pixels, each unit pixel including a charge transfer element transferring charge collected in a photoelectric conversion element to a charge detection element. The charge transfer element also receives a boosted voltage signal higher than an external power voltage.

Abstract translation: 提供了一种CMOS图像传感器及其驱动方法。 CMOS图像传感器包括用于供给比所述外部电源电压在光电转换部分的单位像素的电荷转移像素阵列单元中累积的电荷被布置成矩阵形式，包括发送到所述电荷检测电荷转移单元更高的电压的线驱动器 它包括。

公开(公告)号：KR1020050061311A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020040103635

申请日：2004-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 노재섭 ,  이덕형 ,  남정현 ,  류정호 ,  김이태 ,  공해경

IPC: H04N5/341 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14812 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14643

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a signal charge converter for a charge transfer element. SOLUTION: The signal converter includes a first driver FET of a first stage that receives a signal charge and converts the signal charge to a voltage. Subsequent driver FETs are connected to an output of the first driver FET, and gate insulating films of subsequent drivers include reduced thicknesses. The subsequent driver FETs constitute a second stage or a third stage. The reduced thicknesses of the gate insulating films of the subsequent driver FETs increase a voltage gain AV total without decreasing charge transfer efficiency, and raises the entire sensitivity of the signal converter. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

公开(公告)号：KR1020040065516A

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：KR1020030009154

申请日：2003-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: G09G3/20

CPC classification number: H04N5/3653 ,  H04N9/045

Abstract: PURPOSE: An image device for reducing fixed pattern noise and a method thereof are provided to improve quality of an image by processing signals of even number lines and odd number lines at different ADC(Analog-to-Digital Converter) blocks and green pixels at the same ADC blocks. CONSTITUTION: An active pixel sensor arrangement includes plural unit pixels(640,655,645,650). A line driver(610) selects at least one line at the active pixel sensor arrangements, each of which includes the unit pixels. Switching devices(633,634,..,6331,6341,6351,6361) set a connection between one of row lines and at least two analog-digital converter blocks(611,612). At least one of two analog-digital converter blocks is connected to two rows of the unit pixels.

Abstract translation: 目的：提供一种用于降低固定图案噪声的图像装置及其方法，以通过处理不同ADC（模数转换器）块和绿色像素处的偶数行和奇数行的信号来提高图像的质量 相同的ADC模块。 构成：有源像素传感器装置包括多个单位像素（640,655,645,650）。 线路驱动器（610）在有源像素传感器布置中选择至少一条线路，每条线路包括单位像素。 开关设备（633,634，...，6331,6341,6351,6361）设置行线和至少两个模数转换器块之间的连接（611,612）。 两个模拟数字转换器块中的至少一个连接到两行单位像素。

公开(公告)号：KR1020020063672A

公开(公告)日：2002-08-05

申请号：KR1020010004242

申请日：2001-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현 ,  김훈정 ,  구기범

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A wafer level burn-in test system is provided to previously detect system power and current malfunctions by monitoring a pin driver or an output level of a power supplier through waveform monitoring unit. CONSTITUTION: A waveform monitoring unit(40) comprises a multiplex relay(41) operated according to a connection state of a DUT(Device Under Test)(5), a level shifter(42) for shifting an output of a pin driver(31), an A/D transformer(43) for transforming an input supplied from the level shifter(42) to a digital data, a memory device(44) for saving the transformed data and a waveform monitoring controller(45) connected with the multiplex relay(41), the A/D transformer(43) and the memory device(44) for controlling a monitoring. The waveform monitoring unit(40) is operated by connecting to the pin driver(31) and the power supplier(70).

Abstract translation: 目的：提供晶圆级老化测试系统，以通过监测电源供应器的引脚驱动器或输出电平通过波形监视单元预先检测系统电源和电流故障。 构成：波形监视单元（40）包括根据DUT（被测器件）（5）的连接状态操作的多路复用继电器（41），用于移位引脚驱动器（31）的输出的电平转换器 ），用于将从电平移位器（42）提供的输入转换为数字数据的A / D变换器（43），用于保存变换数据的存储器件（44）和与多路复用器连接的波形监视控制器（45） 继电器（41），A / D变压器（43）和用于控制监视的存储器件（44）。 波形监视单元（40）通过连接到引脚驱动器（31）和电源（70）来操作。

公开(公告)号：KR1020000055257A

公开(公告)日：2000-09-05

申请号：KR1019990003783

申请日：1999-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강상석 ,  남정현

IPC: G11C11/407

CPC classification number: G11C29/14 ,  G11C5/143 ,  G11C5/147 ,  G11C29/12005 ,  G11C29/46 ,  G11C2207/105

Abstract: PURPOSE: An apparatus for generating the mode signal of a semiconductor memory apparatus is provided to generate a test mode signal to operate a semiconductor memory apparatus in a test mode, using a DC voltage output pin. CONSTITUTION: A DC voltage generation part(10) generates DC voltage(VBL) and supplies it to a bit line of the inside of a chip. A DC voltage output pad(20) outputs the DC voltage(VBL) of the DC voltage generation part(10). A DC voltage level detection part(30) detects a DC voltage level of the inside of the chip. An operation mode determination part(40), composed of a differential amplification part(42), a pre-charge part(44) and a mode signal output part(46), outputs a mode signal(PMODE) according to the output voltage of the DC voltage level detection part(30). The differential amplification part(42) outputs high or low electrical potential in case that an NMOS transistor is on as a mode signal continuation control part(50) outputs a control signal of high potential. The pre-charge part(44) outputs source voltage as a PMOS is on in case that the mode signal continuation control part(50) outputs a control signal of low potential. The mode signal continuation control part(50) consists of a DC voltage drop part(52), a DC voltage supply status detection part(54) and a control signal output part(56).

Abstract translation: 目的：提供一种用于产生半导体存储装置的模式信号的装置，用于产生测试模式信号，以使用直流电压输出引脚在测试模式下操作半导体存储装置。 构成：直流电压产生部件（10）产生直流电压（VBL）并将其提供给芯片内部的位线。 DC电压输出焊盘（20）输出直流电压产生部（10）的直流电压（VBL）。 直流电压电平检测部（30）检测芯片内部的直流电压电平。 由差分放大部分（42），预充电部分（44）和模式信号输出部分（46）组成的操作模式确定部分（40）根据输出电压的输出电压输出模式信号（PMODE） 直流电压电平检测部（30）。 当模式信号继续控制部分（50）输出高电位的控制信号时，差分放大部分（42）在NMOS晶体管导通的情况下输出高电位或低电位。 当模式信号继续控制部分（50）输出低电位的控制信号时，预充电部分（44）输出PMOS导通的源极电压。 模式信号继续控制部分（50）包括直流电压降部分（52），直流电压供应状态检测部分（54）和控制信号输出部分（56）。

公开(公告)号：KR100231905B1

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：KR1019960045707

申请日：1996-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/14

Abstract: 셀프 포커싱(self Focusing) 기능을 갖는 수광부가 구비된 직접조사 방식의 반도체 촬영소자가 개시된다. 이를 위하여, 본 발명에서는 반도체 기판 내의 표면쪽에 형성되며, 입사된 광을 신호전하로 변환시키는 수광부와; 상기 수광부를 포함한 상기 기판 상에 형성되며, 별도의 광 포커싱 렌즈없이도 피사체의 각 화소에서 반사된 빛 중 수직입사광만을 받아들일 수 있도록 상기 수광부 상단에 광 포커싱용 채광창이 형성되어 있는 구조를 갖는 광투과성 재질의 절연막; 및 상기 채광창의 바텀면이 소정 부분 노출되도록, 상기 채광창의 측면 및 상면을 따라 형성된 차광막으로 이루어진 비접촉형 반도체 촬영소자가 제공된다. 그결과, 직접조사 방식에서 광원부와 대상체 사이에 놓이던 별도의 광 포커싱 렌즈 없이도 고해상도의 촬영소자를 제조할 수 있게 되므로, 상기 소자의 전체적인 가격 다운을 이룰 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR100205227B1

公开(公告)日：1999-07-01

申请号：KR1019960025313

申请日：1996-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/146

Abstract: 정상상 및 거울상 출력시 모두에서 동일한 OBP 신호를 얻을 수 있도록 한 고체촬상소자 및 그 구동방법이 개시된다. 이를 위하여 본 발명에서는 반도체 기판 상에 일방향으로 길게 배치된 다수의 수직 전송단들과, 상기 수직 전송단들의 일단과 연결되도록 타방향으로 길게 배치되며, 정상상 출력부로 이용되는 제1수평 전송단과, 상기 수직 전송단들의 타단과 연결되도록 타방향으로 길게 배치되며, 거울상 출력부로 이용되는 제2수평 전송단과, 상기 제1수평 전송단의 일단에 연결되며, 정상상 출력부로 이용되는 제1출력부 및, 상기 제1출력부와 같은 방향에 배치되도록 상기 제2수평 전송단의 일단에 연결되며, 거울상 출력부로 이용되는 제2출력부를 포함하는 고체촬상소자가 제공된다.

公开(公告)号：KR1019980027049A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045707

申请日：1996-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/14

Abstract: 본 발명은 반도체 기판상부에 형성되어 입사광을 신호 전하로 변환시키는 수광소자와, 상기 수광소자와 반도체 기판상부에 적층되어 반도체기판을 절연시키며 수광소자 상부에서의 두께가 수광소자 이외의 부분보다 얇은 절연막과, 상기 절연막 상부에 존재하여 수광소자 상부 이외의 빛을 차광하며 수광소자상부에서 절연막의 두께 감소로 형성되는 절연막의 우물 영역의 벽면을 덮으며 우물 영역의 바닥 부분에 수광소자로 빛이 통과할 수 있도록 개구부를 제공하도록 형성된 차광막으로 구성되는 복수 개의 수광부를 포함하여 구성된 것으로서, 자체적으로 초점(Self Focusing)기능을 가지므로 직접 조사 방식에서 광원부와 대상체사이에 초점 기능을 부가하기 위한 별도의 장치가 필요하지 않은 비접촉형 반도체 촬영 소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980006451A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960025313

申请日：1996-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：KR1019960002100B1

公开(公告)日：1996-02-10

申请号：KR1019930006155

申请日：1993-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남정현

IPC: H01L29/78

Abstract: The FET has a substrate (1), on whose surface is formed a source region (20), and a drain region (21) with a lateral spacing form the source region. Over the substrate, laterally between the source and drain regions, is formed a gate electrode (19). The drain region ends on the substrate surface at lateral distance from the gate electrode. A charge carrier depleted zone (27) in the transistor operation is formed next to the drain region and underneath the gate electrode. Pref. the charge carrier depleted zone is formed between the gate electrode and the drain region by a depletion channel region in contact with drain region. The sensor has high detection sensitivity of charge scanning circuit.

Abstract translation: FET具有在其表面形成源极区域（20）的衬底（1）和形成源极区域的具有横向间隔的漏极区域（21）。 在源极和漏极区域之间的横向上形成衬底，形成栅电极（19）。 漏极区域在与栅电极的横向距离处在基板表面上终止。 晶体管工作中的电荷载流子耗尽区（27）形成在漏极区的旁边和栅电极的下方。 县。 通过与漏区接触的耗尽沟道区，在栅电极和漏区之间形成电荷载流子耗尽区。 该传感器具有高电荷扫描电路的检测灵敏度。