中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

79 records (took 0.025 seconds)

    하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한하프늄 산화막의 형성방법
    21.
    发明授权
    하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한하프늄 산화막의 형성방법 失效
    用于形成氧化铪膜的前体和使用该前体形成氧化铪膜的方法

    公开(公告)号：KR100506098B1

    公开(公告)日：2005-08-03

    申请号：KR1020040085807

    申请日：2004-10-26

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이정현 ,  민요셉 ,  조영진

    IPC: H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

    Abstract: 본 발명은 하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한 하프늄 산화막의 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전기적 특성을 개선하면서 저온증착이 가능하고, 증착속도가 향상되며, 향상된 단차 피복성을 나타내는 하프늄 산화막 형성용 전구체, 상기 전구체를 이용한 하프늄 산화막의 형성방법 및 상기 형성방법에 따라 얻어진 하프늄 산화막을 채용한 커패시터와 트랜지스터 및 이들을 구비한 전자소자에 관한 것이다.

    캐패시터 구조체 형성 방법
    22.
    发明授权
    캐패시터 구조체 형성 방법 有权
    캐패시터구조체형성방법

    公开(公告)号：KR100468852B1

    公开(公告)日：2005-01-29

    申请号：KR1020020042763

    申请日：2002-07-20

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이정현 ,  민요셉 ,  조영진

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

    Abstract: Provided is a method for depositing a dielectric layer (13) on a substrate (11). Oxidation barrier layers (10) for preventing the oxidation and diffusion of a lower electrode are inserted into the interfaces between the substrate (11) and a dielectric layer (13) and between the dielectric layers (13, 15, 17). Accordingly, a capacitor having a low leakage current and a high capacitance is obtained. In addition, a dielectric constant is controlled by adjusting a lattice constant so that a multi-layer structure of high dielectric constant is formed on a large substrate.

    Abstract translation: 提供了一种用于在衬底（11）上沉积介电层（13）的方法。 用于防止下电极的氧化和扩散的氧化阻挡层（10）被插入到衬底（11）和介电层（13）之间以及介电层（13,15,17）之间的界面中。 相应地，获得具有低漏电流和高电容的电容器。 另外，通过调整晶格常数来控制介电常数，从而在大基板上形成高介电常数的多层结构。 ＆lt;图像＆GT;

    무기물 나노튜브 제조방법
    23.
    发明授权
    무기물 나노튜브 제조방법 失效
    무기물나노튜브제조방법

    公开(公告)号：KR100455297B1

    公开(公告)日：2004-11-06

    申请号：KR1020020034293

    申请日：2002-06-19

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 민요셉 ,  배은주 ,  최원봉 ,  조영진 ,  이정현

    IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/01 ,  C01G55/00

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01G55/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/893

    Abstract: CNT를 형판으로 이용하여 무기물 나노튜브를 형성하는 방법을 개시한다. 무기물 나노튜브제조방법은: 가) 카본 나노 튜브(CNT) 또는 카본나노튜브 어레이가 형성된 형판을 마련하는 단계; 나) 원자층증착법에 의해 상기 형판에 대한 무기물의 증착을 실시하여, 상기 카본나노튜브의 외측면에 무기물나노튜브를 형성하는 단계와; 다) 상기 카본나노튜브를 제거하여 상호 연계된 무기물나노튜브에 의한 무기물 나노튜브 또는 무기물 나노튜브 어레이를 얻는 단계;를 포함한다.
    본 발명에 의한 무기물 나노튜브 제작 방법은 특정한 물질에 국한된 반응을 사용하지 않으므로 탄소나노튜브 위에 원자층증착법을 적용하기 위한 전구체가 존재하는 모든 무기물 나노튜브의 제작에 적용할 수 있는 제작법이며, 반도체 소자 제작공정과 같은 다른 미세공정 기술과 잘 부합된다. 다양한 모양과 배열의 무기물 나노 튜브를 원자층증착법에 의하여 제작할 수 있으며 또한 무기물 나노튜브의 질서정연한 배열을 별도의 식각 공정없이 쉽게 제작할 수 있다.

    Abstract translation: 提供了使用碳纳米管（CNT）作为模板制造无机纳米管的方法。 该方法包括：准备在其上形成CNT或CNT阵列的模板; 通过使用原子层沉积（ALD）在模板上沉积无机材料在CNT上形成无机薄膜; 并去除CNT以获得无机纳米管或无机纳米管阵列。

    β-디케톤 리간드를 갖는 유기 금속 착물을 이용한 원자층증착방법
    24.
    发明公开
    β-디케톤 리간드를 갖는 유기 금속 착물을 이용한 원자층증착방법 失效
    使用有机金属络合物沉积原子层的方法用BETA-DIKETONE LIGAND

    公开(公告)号：KR1020020095342A

    公开(公告)日：2002-12-26

    申请号：KR1020010033532

    申请日：2001-06-14

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이정현 ,  김대식 ,  민요셉 ,  조영진

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/5096

    Abstract: PURPOSE: A method for depositing an atomic layer using an organic metal complex having a beta-diketone ligand is provided to develop an atomic layer depositing process using the organic meal complex which can not use an atomic layer depositing process in which oxygen or water is used as an oxidation agent and a heat source is used as an energy source, by introducing an oxygen radical having good reaction into the atomic layer depositing process. CONSTITUTION: The organic metal complex having a beta-diketone ligand is chemically absorbed to a substrate(12). The organic metal complex is oxidized by activated oxygen radicals to deposit a metallic oxide atomic layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种使用具有β-二酮配体的有机金属络合物沉积原子层的方法，以开发使用不能使用其中使用氧或水的原子层沉积方法的有机粉末复合物的原子层沉积工艺 通过在原子层析出工序中引入具有良好反应性的氧自由基作为氧化剂和热源作为能量源。 构成：具有β-二酮配体的有机金属络合物被化学吸收到基底（12）。 有机金属络合物被活性氧自由基氧化以沉积金属氧化物原子层。

    금속 산화물 전구체의 제조방법
    25.
    发明公开
    금속 산화물 전구체의 제조방법 无效
    生产金属氧化物前体的方法

    公开(公告)号：KR1020010077096A

    公开(公告)日：2001-08-17

    申请号：KR1020000004674

    申请日：2000-01-31

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 민요셉 ,  이준기

    IPC: C07F19/00 ,  C07F9/94

    CPC classification number: C23C16/405 ,  C07F3/00 ,  C07F9/00 ,  C07F9/94 ,  C23C16/404

    Abstract: PURPOSE: Provided is a method for producing a metal oxide precursor which has the improved solubility in organic solvents and is thus used in forming thin layer. CONSTITUTION: The method for producing a metal oxide precursor bismuth - strontium - tantalium oxide(SBT) precursor comprises the steps of: adding solvents and crown ether compounds into bismuth compounds having C1 to C8 alkylcarboxylate and mixing them to produce a first solution; adding strontium compounds having C1 to C8 alkylcarboxylate ligands into the first solution and mixing them to produce a second solution; adding tantalium compounds having C1 to C5 alkoxide ligands into the second solution and mixing them to produce bismuth - strontium - tantalium oxide(SBT) precursor solution; and removing solvents from the SBT precursor solution.

    Abstract translation: 目的：提供一种在有机溶剂中具有改善的溶解性并因此用于形成薄层的金属氧化物前体的制备方法。 构成：金属氧化物前体铋 - 氧化锶（SBT）前体的制备方法包括以下步骤：将溶剂和冠醚化合物加入到具有C1至C8烷基羧酸盐的铋化合物中并混合以产生第一溶液; 将具有C1至C8烷基羧酸盐配体的锶化合物加入到第一溶液中并将其混合以产生第二溶液; 将具有C1至C5烷氧基配体的钽酸盐化合物加入到第二溶液中并将其混合以产生铋 - 锶 - 氧化钽（SBT）前体溶液; 并从SBT前体溶液中除去溶剂。

    고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이구비된 커패시터 및 그 제조방법
    28.
    发明授权
    고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이구비된 커패시터 및 그 제조방법 有权
    用于制造具有高介电常数的氧化膜的方法，包括由其制造方法和方法形成的电介质膜的电容器

    公开(公告)号：KR101159070B1

    公开(公告)日：2012-06-25

    申请号：KR1020030015197

    申请日：2003-03-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 이정현 ,  서범석 ,  민요셉 ,  조영진

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

    Abstract: 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 ALD 장치에 반도체 기판을 로딩하는 제1 단계와, 반도체 기판 상에 제1 및 제2 반응요소가 소정의 조성비로 포함된 반응물을 증착시키는 제2 단계와, 상기 제1 및 제2 반응요소가 동시에 산화되도록 상기 반응물을 산화시켜 상기 반도체 기판 상에 상기 두 반응요소가 포함된 제1 고유전율 산화막을 형성하는 제3 단계를 포함하고 상기 제1 및 제2 반응요소는 각각 Hf 및 Al인 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법이 적용된 커패시터 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 산화막 형성에 사용되는 장치의 부피를 줄일 수 있고, 그 생산성은 증가시키면서 생산단가는 낮출 수 있다. 또한, 유전율이 높고, 누설전류 및 트랩 밀도가 낮은 고유전율 산화막을 얻을 수 있다. 이러한 산화막을 유전막으로 구비함으로써 커패시터의 누설전류 및 트랩 밀도가 낮아지게 된다.

    파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터
    29.
    发明公开
    파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터 失效
    具有开口结构的碳纳米管晶体管

    公开(公告)号：KR1020100091932A

    公开(公告)日：2010-08-19

    申请号：KR1020100066998

    申请日：2010-07-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 배은주 ,  민요셉 ,  최원봉 ,  정병호

    IPC: H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66666 ,  H01L2221/1094

    Abstract: PURPOSE: The carbon nanotube transistor having the gate structure of getting buried comprises the gate which is formed in the around the carbon nanotube into the longitudinal direction getting buried of structure. CONSTITUTION: The insulating layer comprises the gate hole(101) and CNT hole(102) of nano-size. In the CNT(carbon nanotube transistor) hole, the carbon nanotube(110) locates. In both ends of the carbon nanotube, the drain electrode(120) and source electrode(130) are electrically connected. In the around the gate hole, the gate electrode(142) locates. The gate electrode comprises the extension part(143) expnded as the longitudinal direction of the carbon nanotube.

    Abstract translation: 目的：具有掩埋栅极结构的碳纳米管晶体管包括形成在碳纳米管周围的栅极，被埋设在纵向方向。 构成：绝缘层包括纳米尺寸的门孔（101）和CNT孔（102）。 在CNT（碳纳米管晶体管）孔中，碳纳米管（110）位于。 在碳纳米管的两端，漏电极（120）和源电极（130）电连接。 在栅极孔周围，栅电极（142）位于。 栅极电极包括作为碳纳米管的长度方向分布的延伸部（143）。

Patent Agency Ranking