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    재구성 가능 프로세서 및 그 동작 방법
    21.
    发明公开
    재구성 가능 프로세서 및 그 동작 방법 审中-实审
    可重构处理器及其操作方法

    公开(公告)号：KR1020160046623A

    公开(公告)日：2016-04-29

    申请号：KR1020140142780

    申请日：2014-10-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 서동관 ,  권기석 ,  박영환 ,  이승원 ,  김석진

    IPC: G06F9/38

    CPC classification number: H03K19/17752 ,  G06F9/38 ,  G06F15/17375 ,  G06F2015/768

    Abstract: 제어프로세서로부터작업수행명령을수신하는단일구성메모리및 단일구성메모리로부터의구성정보를각각수신하는복수의재구성가능어레이를포함하고, 구성정보에기초하여복수의재구성가능어레이가작업을동시에수행하는것인재구성가능프로세서및 그동작방법을제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种可重配置处理器及其操作方法。 可重新配置的处理器包括：单个配置存储器，其从控制处理器接收工作处理命令; 以及从单个配置存储器接收配置操作信息的多个可重新配置的阵列。 可重新配置的阵列基于配置信息同时执行操作。

    고전자이동도 트랜지스터와 그 제조방법 및 고전자이동도 트랜지스터를 포함하는 전자소자
    22.
    发明公开
    고전자이동도 트랜지스터와 그 제조방법 및 고전자이동도 트랜지스터를 포함하는 전자소자 审中-实审
    高电子迁移率晶体管，其制造方法和包括高电子迁移率晶体管的电子器件

    公开(公告)号：KR1020150019723A

    公开(公告)日：2015-02-25

    申请号：KR1020130096895

    申请日：2013-08-14

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박영환 ,  신재광 ,  박기열 ,  오재준 ,  전우철 ,  최효지

    IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC classification number: H01L29/1058 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

    Abstract: 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)와 그 제조방법 및 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 HEMT는 일부 영역이 선택적으로 활성화된 불순물 함유층을 포함할 수 있다. 상기 불순물 함유층의 활성화 영역을 디플리션 형성요소로 사용할 수 있다. 상기 활성화 영역 양측의 불순물 함유층 내에 비활성화 영역이 존재할 수 있다. 상기 활성화 영역의 수소 함유량은 상기 비활성화 영역의 수소 함유량보다 낮을 수 있다. 다른 측면에서, HEMT는 디플리션 형성요소를 포함할 수 있고, 상기 디플리션 형성요소는 수평 방향으로 물성(예컨대, 도핑 농도)이 변화되는 복수의 영역을 포함할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法以及包括该高电子迁移率晶体管的电子器件。 所公开的HEMT包括其部分被选择性活化的含杂质层。 使用含杂质层的激活区域作为耗尽形成区域。 灭活区存在于含杂质层的活化区的两侧。 活化区的氢含量低于灭活区的氢含量。 根据本发明的另一方面，HEMT包括耗尽形成元件。 耗尽形成元件包括其特性（例如，掺杂密度）在水平方向上改变的多个区域。

    고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
    23.
    发明公开
    고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审
    高电子移动性晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140061145A

    公开(公告)日：2014-05-21

    申请号：KR1020120128376

    申请日：2012-11-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 전우철 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준 ,  최혁순 ,  황선규

    IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

    Abstract: Disclosed are a high electron mobility transistor (HEMT) and a method of manufacturing the same. The disclosed HEMT may include a channel layer; a channel supply layer formed on the channel layer; a source electrode and a drain electrode which are formed on the channel layer or the channel supply layer; a gate electrode which is arranged between the source electrode and the drain electrode and extended from the channel supply layer to a part of the channel layer; a metal layer which is arranged in the lower part of the gate electrode and touches the channel layer with ohmic contact; and a gate insulating layer which insulates the gate electrode from the metal layer, the channel layer and the channel supply layer.

    Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 所公开的HEMT可以包括信道层; 形成在沟道层上的沟道供给层; 形成在沟道层或沟道供给层上的源电极和漏极; 栅电极，其设置在所述源电极和所述漏电极之间并且从所述沟道供给层延伸到所述沟道层的一部分; 金属层，其布置在栅电极的下部并且与欧姆接触的沟道层相接触; 以及使栅电极与金属层，沟道层和沟道供给层绝缘的栅极绝缘层。

    고전자이동도 트랜지스터
    25.
    发明公开
    고전자이동도 트랜지스터 审中-实审
    高电子移动晶体管

    公开(公告)号：KR1020140020043A

    公开(公告)日：2014-02-18

    申请号：KR1020120086396

    申请日：2012-08-07

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 전우철 ,  김종섭 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준 ,  하종봉 ,  황선규

    IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

    CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786

    Abstract: Disclosed is a high electron mobility transistor. The high electron mobility transistor includes a channel supply layer inducing a 2D electron gas on a channel layer, a source electrode and a drain electrode formed in both sides of the channel supply layer, and a deflation formation layer formed on the channel supply layer to form a deflation region in the 2D electron gas and touching the source electrode.

    Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管。 高电子迁移率晶体管包括在沟道层上形成2D电子气体的沟道供给层，形成在沟道供给层两侧的源电极和漏电极，以及形成在沟道供给层上的形成 2D电子气体中的放气区域并接触源电极。

    ＳＩＭＤ 구조를 사용하는 복소수 연산을 위한 사용하는 장치 및 방법
    26.
    发明公开
    ＳＩＭＤ 구조를 사용하는 복소수 연산을 위한 사용하는 장치 및 방법 无效
    使用SIMD架构的复杂数字计算的装置和方法

    公开(公告)号：KR1020120077164A

    公开(公告)日：2012-07-10

    申请号：KR1020100139027

    申请日：2010-12-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박영환 ,  양호

    IPC: G06F9/38 ,  G06F9/30 ,  G06F7/48 ,  G06F7/544 ,  G06F17/10

    CPC classification number: G06F17/10 ,  G06F7/4806 ,  G06F7/4812 ,  G06F7/5443 ,  G06F9/30014 ,  G06F9/3887 ,  G06F2207/3828 ,  G06F7/44 ,  G06F9/30 ,  G06F9/30098 ,  G06F9/38 ,  G06F9/455 ,  G06F17/30

    Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for complex number computation using a SIMD(Single Instruction Multiple Data) structure are provided to implement serial or parallel computation of real number and imaginary number parts of complex numbers. CONSTITUTION: Complex number computation units(120,150,180) implements first to third computation of first to fourth complex numbers. The first computation includes first to fourth parallel multiplication that multiplies every two of eight numbers, where the eight numbers are the rear number and imaginary number parts of the first to fourth complex numbers. The second computation calculates a first sum of the first and third multiplication and a second sum of the second and fourth multiplication. The third computation subtracts the second sum from the first sum or adds the second sum to the first sum.

    Abstract translation: 目的：提供一种使用SIMD（单指令多数据）结构进行复数计算的装置和方法，以实现复数的实数和虚数部分的串行或并行计算。 构成：复数计算单元（120,150,180）实现第一到第四复数的第一到第三计算。 第一计算包括第一到第四并行乘法，其乘以八个数字中的每两个，其中八个数字是第一至第四复数的后数和虚数部分。 第二计算计算第一和第三乘法的第一和以及第二和第四乘法的第二和。 第三计算从第一和减去第二和，或将第二和加到第一和。

    반도체 장치용 원부자재 품질 보증 및 공정 연계 시스템
    27.
    发明公开
    반도체 장치용 원부자재 품질 보증 및 공정 연계 시스템 有权
    保证半导体器件材料质量的系统，并将其应用于工艺

    公开(公告)号：KR1020030002078A

    公开(公告)日：2003-01-08

    申请号：KR1020010038816

    申请日：2001-06-30

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박영환 ,  정채량

    IPC: G06Q50/08 ,  E02F9/26 ,  E02F9/22

    CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/32203 ,  Y02P80/40 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/18 ,  Y02P90/22

    Abstract: PURPOSE: A material quality guarantee and process application system is provided to automatically perform acquisition inspection on the material for semiconductor devices, to manage a reliability of COA/ASMS(Certificate of Analysis/Advanced Supplier Management System) on the material, and to apply the quality data of the material to a producing process. CONSTITUTION: The system comprises a database(20) and a client program module(30). The database(20) includes a COA/ASMS database file(22), a bar code database file(24), and a specification database file(26), and a process database file(28). If a material supplier(70) transmits the COA/ASMS data to a web server(40) of a material demander, the system uploads the COS/ASMS data to the COA/ASMS database file(22) under a protocol of the FTP. The bar code database file(24) includes data on processes using a specific material for producing a semiconductor device, producing equipments or material input time. The process database file(28) stores data generated during a specific process. The client program module(30) includes an acquisition inspection module(32), a COA/ASMS analysis module(34), a material/process application analysis module(36) and a report module(38). The COA/ASMS analysis module(34) downloads data from the database files(22, 26), and analyzes statistically the COA/ASMS data. The material/process application analysis module(36) downloads data from all the database files(22, 24, 26, 28), assesses characteristics of the material, and optimizes the specifications of the material.

    Abstract translation: 目的：提供材料质量保证和过程应用系统，自动对半导体器件材料进行采购检测，管理COA / ASMS（分析证书/高级供应商管理体系）对材料的可靠性，并应用 材料的质量数据到生产过程。 构成：系统包括数据库（20）和客户端程序模块（30）。 数据库（20）包括COA / ASMS数据库文件（22），条形码数据库文件（24）和规格数据库文件（26）以及过程数据库文件（28）。 如果物料供应商（70）将COA / ASMS数据发送到物料需求者的网络服务器（40），则系统以FTP的协议将COS / ASMS数据上传到COA / ASMS数据库文件（22）。 条形码数据库文件（24）包括使用用于制造半导体装置的特定材料的处理的数据，生成设备或材料输入时间。 过程数据库文件（28）存储在特定处理期间生成的数据。 客户程序模块（30）包括采集检查模块（32），COA / ASMS分析模块（34），材料/过程应用分析模块（36）和报告模块（38）。 COA / ASMS分析模块（34）从数据库文件（22,26）中下载数据，并对COA / ASMS数据进行统计分析。 材料/过程应用分析模块（36）从所有数据库文件（22,24,26,28）中下载数据，评估材料的特性，并优化材料的规格。

    반도체 디바이스 제조용 원부자재의 바코드 자동입력 시스템
    28.
    发明公开
    반도체 디바이스 제조용 원부자재의 바코드 자동입력 시스템 无效
    条形码半导体器件制造原辅料的自动输入系统

    公开(公告)号：KR1019990080030A

    公开(公告)日：1999-11-05

    申请号：KR1019980012984

    申请日：1998-04-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 최성필 ,  박영환

    IPC: H01L21/00

    Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스 제조용 원부자재의 바코드 자동입력 시스템에 관한 것으로, 공정설비 및 공급시스템에 투입되는 원부자재의 바코드를 자동으로 감지한 다음 리딩하여 바코드리딩데이터를 데이터 베이스에 저장 관리함으로서, 수작업으로 원부자재의 바코드 데이터를 기록 저장함으로써 발생하는 작업효율의 저하를 방지할 수 있다.

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