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公开(公告)号：KR102252993B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020140151379
申请日：2014-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에서로이격되어배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 제1 도전형반도체코어는, 베이스층으로부터상부로연장되는로드층및 로드층상에배치되는캡핑층을포함하고, 복수의나노발광구조물들중 적어도일부에서로드층들및 캡핑층들의높이는서로다르다.
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公开(公告)号：KR1020160053329A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140151379
申请日：2014-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에서로이격되어배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 제1 도전형반도체코어는, 베이스층으로부터상부로연장되는로드층및 로드층상에배치되는캡핑층을포함하고, 복수의나노발광구조물들중 적어도일부에서로드층들및 캡핑층들의높이는서로다르다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，半导体发光器件包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 以及设置在所述基底层上以彼此间隔开的多个发光纳米结构，每个所述发光纳米结构包括第一导电型半导体芯，有源层和第二导电类型半导体层。 第一导电型半导体芯包括从基层延伸到上部的棒层和设置在棒层上的覆盖层。 在发光纳米结构的至少一部分中，棒层的高度和覆盖层的高度是不同的。 发光纳米结构之间的宽度的变化减小，因此半导体发光器件具有改善的发光波长分布和发光效率。
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公开(公告)号：KR1020160039753A
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020140132545
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/24
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층을마련하는단계와, 상기베이스층상에서로이격되도록제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어를형성하는단계와, 상기나노코어의표면상에활성층과제1 도전형질화물반도체층을갖는쉘을형성하는단계를포함하며, 상기쉘층을형성하는단계중 적어도일부구간에서, 막두께균일도가 80% 이상이되도록소스유량, 소스유속, 챔버압력, 성장온도및 성장속도중 적어도하나의공정인자를제어하는단계를포함하며, 여기서, 상기막 두께균일도(%)는상기나노코어의측면상에성장된막의최소두께와최대두께가각각 t(㎚)와 t(㎚)로나타낼때에, (t/t)×100으로정의되는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 提供一种制造纳米结构半导体发光器件的方法。 根据本发明实施例的制造纳米结构半导体发光器件的方法包括以下步骤：提供由第一导电氮化物半导体材料制成的基极层; 在所述基底层上形成由所述第一导电氮化物半导体材料制成的纳米孔以彼此间隔开; 以及在每个所述纳米孔的表面上形成包括活性层和所述第一导电氮化物半导体层的外壳，其中壳层的至少一部分通过控制源气体的通量的至少一个工艺参数形成， 源气体的流量，室压力，生长温度和生长速率，以使膜厚均匀度为80％以上。 当在每个纳米孔的侧面上生长的膜的最小厚度和最大厚度分别表示为ta（nm）和tb（nm）时，膜厚均匀性（％）被定义为（ta / tb） x 100。
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公开(公告)号：KR1020150091805A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020140012463
申请日：2014-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 기판, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체 베이스층, 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 서로 이격되어 배치되며, 각각 제1 도전형 반도체 코어, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노 발광구조물들, 제2 도전형 반도체층 상에서 복수의 나노 발광구조물들 사이에 연결되어 배치되는 투명전극층, 및 기판을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体发光器件包括：衬底，布置在衬底上的第一导电半导体基底层，分别设置在第一导电半导体基底层上的多个纳米发光结构， 第一导电半导体芯，有源层和第二导电半导体层，分别连接在第二导电半导体层上的纳米发光结构之间的透明电极层和与第二导电半导体层电连接的第一电极 导电半导体层通过基板。
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公开(公告)号：KR102244218B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020140132545
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층을마련하는단계와, 상기베이스층상에서로이격되도록제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어를형성하는단계와, 상기나노코어의표면상에활성층과제1 도전형질화물반도체층을갖는쉘을형성하는단계를포함하며, 상기쉘층을형성하는단계중 적어도일부구간에서, 막두께균일도가 80% 이상이되도록소스유량, 소스유속, 챔버압력, 성장온도및 성장속도중 적어도하나의공정인자를제어하는단계를포함하며, 여기서, 상기막 두께균일도(%)는상기나노코어의측면상에성장된막의최소두께와최대두께가각각 ta(㎚)와 tb(㎚)로나타낼때에, (ta/tb)×100으로정의되는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170113926A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160037812
申请日：2016-03-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/1446 , G02F1/133345 , G02F1/13336 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/1339 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/2003 , G09G3/2096 , G09G3/32 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G3/3413 , G09G3/342 , G09G3/3607 , G09G3/3648 , G09G2300/026 , G09G2300/0426 , G09G2320/0242 , G09G2320/0626 , H01L25/0753 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3293 , H01L33/504 , H01L33/54 , H01L33/62
Abstract: 본발명의일 실시예는, 복수의행과복수의열을따라배치되는복수의제1 픽셀을포함하는제1 영역; 및상기제1 영역의주변에서상기복수의행과복수의열을따라배치되는복수의제2 픽셀을포함하며, 상기제1 영역보다작은면적을갖는제2 영역; 을포함하고, 상기제1 영역과상기제2 영역은하나의화면을표시하며, 상기복수의제1 픽셀과상기복수의제2 픽셀은서로다른구조를갖는디스플레이패널을제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供了一种液晶显示器，包括：第一区域，包括沿着多行和多列排列的多个第一像素; 以及第二区域，其包括多个第二像素，所述多个第二像素沿着所述多个行和所述多个行布置在所述第一区域的外围，所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积; 其中第一区域和第二区域显示一个屏幕，并且多个第一像素和多个第二像素具有不同的结构。
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公开(公告)号：KR1020150043152A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：KR1020130122225
申请日：2013-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/385
Abstract: 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어진나노코어와상기나노코어의측면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물을포함하며, 상기나노발광구조물의상면은비평탄한면을가지며, 구동시에발광이일어나지않도록적어도제2 도전형반도체층이형성되지않은부분을갖는나노구조반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基底层，由第一导电半导体构成，绝缘层形成在基底层上并具有多个开口部分以暴露部分 基底层的区域和形成在基底层的每个曝光区域上的多个纳米发光结构，并且包括由第一导电半导体构成的纳米芯，以及连续地形成的有源层和第二导电半导体层 形成在纳米芯的一侧。 纳米发光结构的上侧具有非平坦表面和至少没有第二导电半导体层的区域，以防止驱动过程中的发光。
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公开(公告)号：KR102198694B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020140087465
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며, 베이스층의일부가노출된복수의개구부를가지는마스크층, 및개구부상에배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 복수의나노발광구조물들은, 마스크층상의기둥형상의몸체부및 몸체부상에배치되는뿔 형상의상단부를포함하고, 복수의나노발광구조물들에서, 상단부의꼭짓점이몸체부의중심세로축으로부터몸체부의폭의 1.5 %의거리이내에배치되는비율이 60 % 이상이다.
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公开(公告)号：KR1020160008027A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087465
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며, 베이스층의일부가노출된복수의개구부를가지는마스크층, 및개구부상에배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 복수의나노발광구조물들은, 마스크층상의기둥형상의몸체부및 몸체부상에배치되는뿔 형상의상단부를포함하고, 복수의나노발광구조물들에서, 상단부의꼭짓점이몸체부의중심세로축으로부터몸체부의폭의 1.5 %의거리이내에배치되는비율이 60 % 이상이다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括由第一导电类型半导体制成的基底层，掩模层，其布置在基底层上并具有用于暴露基底部分的开口部分， 布置在开口部分上并分别包括第一导电型半导体芯，有源层和第二导电型半导体芯的发光结构。 纳米发光结构包括在掩模层上的柱状体的主体部分和布置在主体部分上的锥形的上端部。 在纳米发光结构中，将上端部的顶点的距离为身体部分的中心纵轴的1.5％的距离的比率为60％以上。
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