公开(公告)号：KR1019980026828A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045393

申请日：1996-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  박춘근 ,  고영범

IPC: G03F7/004

Abstract: 본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(photoacid generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.

식중,

公开(公告)号：KR1019980016849A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960036543

申请日：1996-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  박춘근

IPC: G03F7/075

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 실리콘-함유 고분자 화합물및 PAG (Photoacid Generator)로 구성되는 화학증폭형 레지스트에 관한 것으로서, 본 발명의 레지스트는 193nm에서 투명할 뿐 아니라, 식각 공정에 내성이 강하며, 높은 종횡비와 고해상도의 미세한 패턴을 형성할 수 있어 BLR (Bi-Layer Resist) 공정에서 사용될 수 있는 새로운 개념의 레지스트이다.
[화학식 1]

公开(公告)号：KR1019980011711A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960031212

申请日：1996-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  박춘근 ,  고영범

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019970076058A

公开(公告)日：1997-12-10

申请号：KR1019960015576

申请日：1996-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중현 ,  박춘근

IPC: G03F1/54

Abstract: 염료가 첨가된 스피온그래스(Spin-On-Glass : SOG)막으로 투과율을 조절하는 투과율 조절 마스크에 관하여 개시한다. 본 발명은 광이 투과할 수 있는 투명한 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상에 1차로 투과율을 조절하기 위한 제1투과율 조절막 패턴과, 상기 마스크 기판 및 제1투과율 조절막 패턴 상의 일부에 투과율을 조절하기 위한 제2투과율 조절막 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 투과율 조절 마스크를 제공한다. 본 발명의 투과율 조절막은 투과율 조절을 제1투과율 조절막 패턴과 SOG로 구성된 제2투과율 조절막 패턴으로 조절하여 신뢰성 있는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970016802A

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR1019950034015

申请日：1995-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정시영 ,  박춘근

IPC: G03F7/00

Abstract: 2중층 감광막에 대하여 기재하고 있다.
본 발명에 따른 2중층 감광막은 화학 증폭형 상층 감광막, 베이스 레진의 하층 감광막에 있어서 상기 상층 감광막과 상기 하층 감광막 사이에 가교 결합을 이루는 산의 확산 방지막을 더 구비한다.
상기 상층 감광막의 노광에 의해 발생한 산은 확산 방지막 때문에 하층 감광막으로 확산되지 않으므로 상층 감광막 패턴의 불량 현상이 발생하지 않는다.
따라서, 하층 감광막이 완전한 패턴을 형성할 수가 있게 되고, 패턴을 형성하고자 하는 막질인 하부 막질에도 완전한 패턴을 전달할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019970004447B1

公开(公告)日：1997-03-27

申请号：KR1019930018016

申请日：1993-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근 ,  여기성 ,  박정철

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/952

Abstract: The method of fabricating a semiconductor device comprises the steps of: fabricating an anti-reflective coating; forming a photoresist layer on top of the anti-reflective coating; and exposing and developing the photoresist layer. The method of fabricating the anti-reflective coating comprises the step of depositing a polymer solution, which comprises at least one among the phenol-type resin and the acryl resin and the polyvinyl alcohol, on top of a substrate and the step of baking at the high temperature of 200 - 400 deg.C for 30 seconds or 5 minutes.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法包括以下步骤：制造抗反射涂层; 在抗反射涂层的顶部上形成光致抗蚀剂层; 以及曝光和显影光致抗蚀剂层。 制造抗反射涂层的方法包括在基材的顶部上沉积包含酚类树脂和丙烯酸树脂和聚乙烯醇中的至少一种的聚合物溶液的步骤，以及在 高温200-400℃30秒或5分钟。

公开(公告)号：KR1019960016007B1

公开(公告)日：1996-11-25

申请号：KR1019930001663

申请日：1993-02-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박춘근

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025

Abstract: forming a semiconductor substrate(31) stacked with a metal wire(34), an insulator(33), a passivation layer(35) and a barrier metal layer(36) in sequence to prepare a stacked semiconductor chip of the barrier metal layer on the metal wire; depositing a positive first photoresist(32) on top of the barrier metal layer to expose it; depositing a positive second photoresist(37) on top of the exposed first photoresist to expose a pattern mask on the opposite part to the metal wire; developing the first and the second photoresist to plate the developed region; and forming a bump(40) by etching the rest of the first and the second photoresist.

Abstract translation: 依次形成层叠有金属线（34），绝缘体（33），钝化层（35）和阻挡金属层（36）的半导体基板（31），以制备阻挡金属层的层叠半导体芯片 金属丝; 在阻挡金属层的顶部上沉积正的第一光致抗蚀剂（32）以使其露出; 在暴露的第一光致抗蚀剂的顶部上沉积正的第二光致抗蚀剂（37），以暴露与金属线相对的部分上的图案掩模; 显影第一和第二光致抗蚀剂以平板显影区域; 以及通过蚀刻第一和第二光致抗蚀剂的其余部分来形成凸块（40）。

公开(公告)号：KR2019960000713Y1

公开(公告)日：1996-01-25

申请号：KR2019950027629

申请日：1995-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중현 ,  한우성 ,  박춘근

IPC: H01L21/223

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100360395B1

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：KR1019960001029

申请日：1996-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  박춘근

IPC: G03F7/032

Abstract: PURPOSE: A base resin for chemically amplified resist which maintains transparency at 193 nm(wave length of ArF excimer laser) and has improved etching resistance so as to be applied in lithographic processes for producing highly integrated circuits is provided. CONSTITUTION: The base resin for chemically amplified resist is represented by the formula (I) and has weight average molecular weight of 2,000 to 200,000, wherein R1 is hydrogen or methyl, R2 is t-butyl or tetrahydropyranyl, x:y:z is 0.3-0.6:0.3-0.6:0.1-0.3, and n is 1 to 3. The base resin has excellent etching resistance by means of the pendant silicon-containing groups and is transparent at 193 nm so as to be applied in the recent lithographic process using the wavelength of ArF excimer laser(193 nm) for producing highly integrated circuits.

公开(公告)号：KR100261022B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019970051055

申请日：1997-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  박춘근 ,  고영범 ,  최상준 ,  정동원

IPC: G03F7/028

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: PURPOSE: A chemically-amplified resist composition including a specific polymer and photoacid generator is provided to ensure excellent adhesiveness to membrane substrate, use typical developing solution and have superior etch-resistance when it is exposed at ArF excimer laser wavelength, by polymerizing Bi, Tri-cycle structural monomer made of alicyclic group and cyclic groups directly coupled one another. CONSTITUTION: The chemically-amplified resist composition includes a polymer of formula 1 (wherein R1 and R2 each represent C1-C10 aliphatic hydrocarbons having hydroxy or carboxylic acid groups; R3 is hydrogen or methyl group; R4 is t-butyl or tetrahydropyranyl; and m and n each are integer number) and PAG(Photoacid generator). Alternatively, the resist composition includes a polymer of formula 2 (wherein x represents cyclic or alicyclic compound having C5-C8; R1 is any one selected from hydrogen or methyl group; R2 is any one selected from t-butyl, tetrahydropyranyl, adamantyl groups; and m and n each are integer number satisfying n/(m+n)=0.1-0.5.

Abstract translation: 目的：提供一种包含特定聚合物和光致酸发生剂的化学增幅抗蚀剂组合物，以确保对膜基材的优异粘合性，使用典型的显影液，当通过ArF准分子激光波长曝光时具有优异的耐蚀刻性，通过聚合Bi，Tri 由脂环族和环状基团形成的环状结构单体直接相互结合。 构成：化学增幅抗蚀剂组合物包括式1的聚合物（其中R 1和R 2各自表示具有羟基或羧酸基团的C 1 -C 10脂族烃; R 3是氢或甲基; R 4是叔丁基或四氢吡喃基; m 和n各自为整数）和PAG（光酸生成剂）。 或者，抗蚀剂组合物包括式2的聚合物（其中x表示具有C5-C8的环状或脂环族化合物; R1为选自氢或甲基的任何一种; R 2为选自叔丁基，四氢吡喃基，金刚烷基中的任何一种; m和n分别为满足n /（m + n）= 0.1-0.5的整数。