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公开(公告)号：KR1020120138618A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：KR1020120003872
申请日：2012-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M1/72522 , G06F9/46
Abstract: PURPOSE: A multitasking operation method and apparatus thereof are provided to enable a user to effectively operate a plurality of functions by executing a multitasking service with a few resources. CONSTITUTION: A display unit(110) displays an execution screen according to a mini-mode and a full mode of an application. A storage unit(130) shares data by operating the full mode and the mini mode of the application. A control unit(150) determines a type of an executed event for executing the application. The control unit executes the full mode or the mini mode of the application according to the type of the executed event. The control unit controls one or more execution screens according to a mode which the application is executed. [Reference numerals] (110) Display unit; (130) Storage unit; (150) Control unit
Abstract translation: 目的：提供一种多任务操作方法及其装置，以使用户能够通过以少量的资源执行多任务服务来有效地操作多个功能。 构成：显示单元（110）根据微型模式和应用的完整模式显示执行画面。 存储单元（130）通过操作全部模式和应用程序的迷你模式共享数据。 控制单元（150）确定用于执行应用的执行事件的类型。 控制单元根据所执行的事件的类型来执行应用的完整模式或迷你模式。 控制单元根据执行应用的模式来控制一个或多个执行画面。 （附图标记）（110）显示单元; （130）存储单元; （150）控制单元
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公开(公告)号：KR100467357B1
公开(公告)日：2005-01-24
申请号：KR1020020057765
申请日：2002-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/2652 , H01L21/823418 , H01L21/823425
Abstract: Disclosed is a method of manufacturing a MOS transistor having an enhanced reliability. A passivation layer is formed on a gate electrode and on a substrate to prevent a generation of a recess on the substrate. After a mask pattern is formed on the substrate for masking a portion of the substrate, impurities are implanted into an exposed portion of the substrate to form source and drain regions. The substrate is rinsed so that the passivation layer or a recess-prevention layer is substantially entirely or partially removed while the mask pattern is substantially completely removed, thereby forming the MOS transistor. Therefore, the generation of the recess in the source and drain region of the substrate can be prevented due to the passivation layer during rinsing of the substrate.
Abstract translation: 公开了一种制造具有增强的可靠性的MOS晶体管的方法。 钝化层形成在栅电极和衬底上以防止在衬底上产生凹陷。 在衬底上形成掩模图案以掩蔽部分衬底之后，将杂质注入到衬底的暴露部分中以形成源极区和漏极区。 漂洗衬底，使得钝化层或凹陷防止层基本上完全或部分地被去除，同时基本上完全去除掩模图案，由此形成MOS晶体管。 因此，由于衬底漂洗期间的钝化层，可防止在衬底的源极和漏极区域中产生凹陷。
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公开(公告)号：KR100446309B1
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：KR1020020070864
申请日：2002-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6653 , H01L21/26586 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: A method of fabricating a semiconductor device having an L-shaped spacer comprises forming a gate pattern on a transistor region of a semiconductor substrate. A disposable spacer is formed on an insulating layer of sidewalls of the gate pattern. Deeply doped source/drain regions are formed aligned with the disposable spacer of the transistor region and in the semiconductor substrate of a resistor region. The disposable spacer and the first insulating layer are removed. A shallowly doped source/drain region is formed aligned with the sides of the gate pattern and adjacent to the deeply doped source/drain region of the transistor region. An L-shaped spacer is formed adjacent to the sidewalls of the gate pattern of the transistor region. A suicide formation protecting layer pattern is simultaneously formed on the resistor region. A metal silicide is formed on an upper surface of the gate electrode, the deeply doped source/drain regions.
Abstract translation: 一种制造具有L形间隔物的半导体器件的方法包括在半导体衬底的晶体管区域上形成栅极图案。 一次性间隔物形成在栅极图案的侧壁的绝缘层上。 深度掺杂的源极/漏极区域形成为与晶体管区域的一次性隔离物对齐并位于电阻器区域的半导体衬底中。 一次性隔离物和第一绝缘层被去除。 浅掺杂的源极/漏极区形成为与栅极图案的侧面对齐并且与晶体管区域的深度掺杂的源极/漏极区域相邻。 邻近晶体管区域的栅极图案的侧壁形成L形间隔物。 在电阻器区域上同时形成硅化物保护层图案。 金属硅化物形成在栅电极的上表面上，深度掺杂的源极/漏极区域。
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公开(公告)号：KR1020040042913A
公开(公告)日：2004-05-22
申请号：KR1020020070864
申请日：2002-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6653 , H01L21/26586 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using an L-type spacer is provided to be capable of preventing the generation of short channel effect. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(101) is defined with a transistor region and a resistor region. A gate pattern is formed on the transistor region. A buffer insulating layer, the first insulating layer, and the second insulating layer are sequentially formed on the entire surface of the resultant structure. A disposable spacer is formed at both sidewalls of the gate pattern by selectively etching the second insulating layer. A deep and shallow source/drain region(113,115) are sequentially formed on the predetermined portions of the semiconductor substrate. The third and fourth insulating layer are sequentially formed on the resultant structure. An L-type spacer(123) and a silicide forming prevention pattern(125) are simultaneously formed by selectively patterning the fourth and third insulating layer, and the buffer insulating layer. Then, a metal silicide layer is selectively formed on the resultant structure.
Abstract translation: 目的：提供一种使用L型间隔物制造半导体器件的方法，以能够防止产生短沟道效应。 构成：半导体衬底（101）被限定有晶体管区域和电阻器区域。 栅极图案形成在晶体管区域上。 缓冲绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层依次形成在所得结构的整个表面上。 通过选择性地蚀刻第二绝缘层，在栅极图案的两个侧壁处形成一次性间隔物。 在半导体衬底的预定部分上依次形成深浅的源极/漏极区域（113,115）。 在所得结构上依次形成第三绝缘层和第四绝缘层。 通过选择性地构图第四绝缘层和第三绝缘层以及缓冲绝缘层，同时形成L型间隔物（123）和硅化物形成防止图案（125）。 然后，在所得结构上选择性地形成金属硅化物层。
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公开(公告)号：KR100341333B1
公开(公告)日：2002-06-22
申请号：KR1020000003123
申请日：2000-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24C7/08
Abstract: 전자렌지의 조리종료시점 판별방법이 개시된다. 개시된 바와 같이 본 발명의 조리종료시점 판별방법은, 일정 주기마다 센서로부터 검출되는 조리물의 조리상태 검출데이터에서 최대 검출값을 산출하는 단계와, 상기 산출된 최대 검출값이 미리 결정된 설정값에 도달하는 여부에 따라 조리물의 조리종료시점을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100341328B1
公开(公告)日：2002-06-22
申请号：KR1020000001672
申请日：2000-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24C7/08
Abstract: 조리물의 데이터 패턴을 이용한 전자렌지의 자동조리 제어방법을 개시한다. 이 방법은, 데이터 검출부로부터 소정시간 동안 출력된 데이터를 수집하는 단계; 수집된 데이터를 1 이상의 기 저장된 데이터 패턴과 비교하는 단계; 및 수집된 데이터 패턴과 가장 유사한 데이터 패턴을 선택하여 그 선택된 데이터 패턴에 대응하는 조리과정을 수행하는 단계를 포함한다. 소정시간 동안 수집된 데이터가 무부하 상태의 데이터 패턴에 대응할 때, 조리과정을 중지시킨다. 조리실 내에 투입된 조리물의 중량 또는 물성 등에 대한 정보를 별도로 입력받지 않아도, 전자렌지 자체 내에 저장되어 있는 다양한 조리물들에 대한 데이터 패턴과 당해 조리물의 데이터 패턴을 비교하여 조리실 내에 투입된 조리물에 가장 적합한 조리과정을 자동으로 선택하여 조리할 수 있으므로, 전자렌지의 조작이 간단 용이하며 조리성능이 매우 우수해진다. 또한, 데이터 수집과정, 데이터 패턴과의 비교 및 선택과정을 조리가 진행되는 중에 주기적으로 수회 반복 실시하고, 각 경우에 선택된 데이터 패턴의 조리과정대로 수정하면서 실시할 수 있다. 이러한 주기적인 반복과정은 조리실 내에 조리 중인 조리물의 현재 상태에 가장 적합한 조리를 수행할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020020022958A
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：KR1020000055542
申请日：2000-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24C7/08
Abstract: PURPOSE: A control method of a microwave oven performing bidirectional communication is provided to set the cooking level by multistep, and to remotely monitor the state of the microwave oven. CONSTITUTION: A microwave oven(100) is composed of an input unit(120) receiving an information from a user; a data storing unit(160); and a communication interface unit(140) transmitting/receiving information to/from an external instrument(200). And a control method comprises the step of: inputting data about cooking through the external instrument; transmitting the input data to the microwave oven by a setting data protocol; storing the received data in the data storing unit and updating cooking information; transmitting the information of cooking state to the external instrument by a set monitoring protocol when starting cooking.
Abstract translation: 目的：提供执行双向通信的微波炉的控制方法，通过多步设置烹饪水平，并远程监控微波炉的状态。 构成：微波炉（100）由接收来自用户的信息的输入单元（120）组成; 数据存储单元（160）; 以及向/从外部设备（200）发送/接收信息的通信接口单元（140）。 并且控制方法包括以下步骤：通过外部仪器输入关于烹饪的数据; 通过设置数据协议将输入数据传送到微波炉; 将接收到的数据存储在数据存储单元中并更新烹饪信息; 在开始烹饪时，通过设定的监视协议将烹饪状态的信息传送到外部仪器。
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公开(公告)号：KR1020000053492A
公开(公告)日：2000-08-25
申请号：KR1020000001671
申请日：2000-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F24C7/08
CPC classification number: H05B6/6435 , H05B6/68
Abstract: PURPOSE: A method for obtaining data of a microwave oven is provided to determine a kind of food and physical change of the food placed on a turn table by detecting data from the food by a rotation period of the turn table for precisely recognizing the characteristics and cooking state of the food in consideration of a power output of a magnetron and a natural energy absorption of a cooking chamber, thereby achieving an optimum cooking. CONSTITUTION: A method for obtaining data of a microwave oven includes the steps of detecting data of food for a predetermined time period(S13), and computing a sum of the detected data, wherein the data is detected by each one rotation of a turn table by cooking state detection sensors mounted at a plurality of places on the turn table and if the sum of the data detected by the sensors periodically is computed by a microcomputer, an average of the sum of the data is computed to obtain a final data on the food(S15,S16).
Abstract translation: 目的：提供一种获取微波炉数据的方法，用于通过检测来自食物的数据，通过旋转台的旋转周期来精确识别特征，确定放置在转台上的食物的食物和物理变化，以及 考虑到磁控管的功率输出和烹饪室的自然能量吸收的食物的烹饪状态，从而实现最佳烹饪。 构成：用于获取微波炉的数据的方法包括以下步骤：在预定时间段内检测食物的数据（S13），并计算检测到的数据的和，其中通过转台的每次旋转来检测数据 通过安装在转台上的多个位置处的烹饪状态检测传感器，如果由微计算机计算由传感器周期性检测到的数据的总和，则计算数据之和的平均值以获得关于 食品（S15，S16）。
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公开(公告)号：KR100135840B1
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：KR1019940018077
申请日：1994-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박태수
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67092 , H01L21/76224 , H01L21/76877
Abstract: 개구부 매몰(filling) 장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법이 개시되어 있다. 회전축, 모터, 회전축을 중심으로 회전축과 연결된 다수개의 플레이트 및 가열장치를 구비하는 챔버와 가스 주입부를 구비한 반도체 제조장치를 이용하여 반도체소자 개구부를 매몰시킨다. 반도체소자의 개구부, 예컨대 트랜치 혹은 콘택홀 매몰시 기판을 회전시켜 발생되는 원심력을 이용하여 매몰시키고자 하는 물질이 아래로 내려가도록 하여 개구부를 보이드 없이 완전히 매몰시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960005796A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940018077
申请日：1994-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박태수
IPC: H01L21/28
Abstract: 개구부 매몰(filling)장치와 이를 이용한 반도체소자 제조방법이 개시되어 있다. 회전측, 모터, 회전축을 중심으로 회전축과 연결된 다수개의 플레이트, 및 가열장치를 구비하는 챔버와 가스 주입부를 구비한 반도체 제조장치를 이용하여 반도체소자 개구부를 매몰시킨다. 반도체소자의 개구부, 예컨대 트랜치 혹은 콘택홀 매몰시 기판을 회전시켜 발생되는 원심력을 이용하여 매몰시키고자 하는 물질이 아래로 내려가도록 하여 개구부를 보이드 없이 완전히 매몰시킬 수 있다.
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