-
公开(公告)号：KR1020160050400A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148455
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/1675 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0071 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092
Abstract: 본개시는복수의제1 신호라인들과복수의제2 신호라인들이교차하는영역들에각각배치된복수의메모리셀들을포함하는메모리장치의동작방법으로서, 제1 셋기입구간에, 선택된메모리셀에연결되는제1 신호라인에제1 전압을인가하고제2 신호라인에상기제1 전압보다전압레벨이낮은제2 전압을인가함으로써상기선택된메모리셀에제1 기입전압을인가하는단계; 및제2 셋기입구간에, 상기제1 신호라인에상기제1 전압보다전압레벨이낮고, 상기제2 전압보다전압레벨이높은제3 전압을인가함으로써상기선택된메모리셀에제2 기입전압을인가하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于操作存储器件的方法，所述存储器件包括布置在多个第一信号线和多个第二信号线相交的区域中的每个区域中的存储器单元。 该方法包括在第一设置写入区域中将第一电压施加到连接到所选择的存储器单元的第一信号线并将低于第一电压的第二电压施加到第二信号线的步骤，从而施加第一写入 电压到选定的存储单元; 以及在第二设定写入范围内向第一信号线施加低于第一电压且高于第二电压的第三电压的步骤，从而向选择的存储单元施加第二写入电压。 因此，可以提高存储装置的耐久性。
-
公开(公告)号：KR1020160023480A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020140109957
申请日：2014-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/003 , G11C8/06 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C8/14 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71
Abstract: 크로스포인트어레이구조의메모리장치, 메모리시스템및 메모리장치의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른크로스포인트어레이(cross point array) 구조를갖는메모리장치의동작방법에있어서, 상기메모리장치는다수의타일들(Tile)을포함하고, 각각의타일(Tile)은다수개의레이어들의메모리셀들을포함하며, 제1 타일(Tile)에서, 하나이상의제1 라인과제2 라인이교차하는영역에배치된제1 레이어의다수개의메모리셀들을억세스하는단계와, 상기제1 타일(Tile)에서, 하나이상의제1 라인과제2 라인이교차하는영역에배치된제2 레이어의다수개의메모리셀들을억세스하는단계및 상기제1 타일(Tile)의다수개의레이어들의메모리셀들이억세스된후, 제2 타일(Tile)에구비되는다수개의메모리셀들을억세스하는단계를구비하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种交叉点阵列结构存储器件，存储器系统和用于操作存储器件的方法。 存储器件包括多个瓦片，并且每个瓦片包括多个层的存储器单元。 根据本发明的技术领域的具有交叉点阵列的存储器件的操作方法包括以下步骤：访问布置在一个或多个第一线和第二线交叉的区域中的第一层的多个存储单元， 在第一个瓷砖; 访问设置在所述第一瓦片中的一个或多个第一线路和第二线路交叉的区域中的第二层的多个存储器单元; 以及访问所述第一瓦片的多个层的存储单元，以及访问设置在第二瓦片中的多个存储单元。
-
公开(公告)号：KR1020160011488A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：KR1020140092660
申请日：2014-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0033 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리장치의동작방법에관한것으로서, 메모리셀 어레이의적어도일부의메모리셀들에대한리프레시수행여부를결정하는단계; 상기메모리셀들각각의저항상태를판단하는단계; 및복수의저항상태들중 임계저항레벨이하의저항상태를갖는제1 메모리셀에대하여재기입을수행하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种操作包括多个存储单元的电阻式存储器件的方法。 该方法包括以下步骤：确定是否对存储单元阵列中的至少一些存储单元执行刷新操作; 确定每个存储单元的电阻状态; 并且在电阻状态等于或小于临界电阻水平的多个电阻状态之间对具有电阻状态的第一存储单元执行重写操作。
-
公开(公告)号：KR1020140083475A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153269
申请日：2012-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0052 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: Provided is a non-volatile memory device and an operation method thereof. The operation method of a non-volatile memory device includes the steps of determining a read voltage which can acquire a sensing margin higher than or equal to a predetermined level for a non-volatile memory cell; and adjusting a clamping voltage and a line resistance connected to the non-volatile memory cell to apply the determined read voltage to the non-volatile memory cell when the data stored in the non-volatile memory cell is read.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。 非易失性存储器件的操作方法包括以下步骤：确定可获取高于或等于非易失性存储器单元的预定电平的感测裕度的读取电压; 以及当读取存储在所述非易失性存储单元中的数据时，调整连接到所述非易失性存储单元的钳位电压和线电阻以将所确定的读取电压施加到所述非易失性存储单元。
-
公开(公告)号：KR1020130128989A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120053253
申请日：2012-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2213/72
Abstract: A variable resistance non-volatile memory device includes a variable resistance memory cell array and an input/output circuit for inputting writing data from the outside or outputting reading data. The memory device includes an encoder for generating the writing data as DC balance code data and a writing circuit for writing the DC balance code data to the memory cell array. The memory device includes a sensing circuit for sensing the stored data from the memory cell array and a decoder for recovering the reading data offered to the input/output circuit by decoding the DC balance code data. The sensing circuit compares the average current of cell lead currents with each cell lead current. When the average current is bigger than a cell lead current, the sensing circuit senses a reset state. When the average current is smaller than the cell lead current, the sensing circuit senses a set state. The present invention reduces the impact of changes in cell resistance, which is generated by time, by using the average current of a DC balance state.
Abstract translation: 可变电阻非易失性存储器件包括可变电阻存储单元阵列和用于从外部输入写入数据或输出读取数据的输入/输出电路。 存储装置包括用于产生作为DC平衡码数据的写入数据的编码器和用于将DC平衡码数据写入存储单元阵列的写入电路。 存储器件包括用于感测来自存储单元阵列的存储数据的感测电路和用于通过解码DC平衡码数据来恢复提供给输入/输出电路的读取数据的解码器。 感测电路将电池引线电流的平均电流与每个电池引线电流进行比较。 当平均电流大于单元引线电流时，感测电路检测复位状态。 当平均电流小于单元引线电流时，感测电路感测设定状态。 本发明通过使用DC平衡状态的平均电流来减少由时间产生的电池电阻变化的影响。
-
Patent Agency Ranking
-
-
-
公开(公告)号：KR1020170047098A
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：KR1020150147542
申请日：2015-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445
Abstract: 메모리장치및 메모리장치의에지워드라인관리방법에관하여개시한다. 메모리장치의에지워드라인관리방법은소거커맨드에따라서메모리장치에서의소거동작을수행하는단계, 더미패턴의데이터를랜덤하게결정하는단계및, 상기소거동작을수행하고나서상기소거동작이수행된메모리블록에포함된셀 스트링의메인메모리셀로부터인접한더미메모리셀에상기더미패턴의데이터를기입하는포스트프로그램(post-program) 동작을수행하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了存储器件的存储器件和边缘字线管理方法。 执行的存储器装置的边缘字线管理方法的步骤，所述步骤和用于随机确定的虚设图案的数据擦除操作，根据所述擦除命令来执行擦除操作eseoui存储器设备，并且其中，所述擦除操作的存储器块之后执行 包括在执行应用程序后（后编程）操作以写入虚设图案的数据的步骤，从在主存储器单元串的相邻小区的空存储单元。
-
公开(公告)号：KR1020160050401A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140148456
申请日：2014-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C13/00 , G11C7/06 , G11C11/4091
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0061 , G11C2013/0054 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , G11C13/00 , G11C7/06 , G11C11/4091
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리장치및 저항성메모리장치의동작방법에관한것으로서, 저항성메모리장치는메모리셀이연결된제1 신호라인에연결되고, 제1 기준전류에기초하여상기메모리셀의데이터를센싱하는센싱회로; 및상기제1 기준전류에기초하여, 센싱결과의출력시점을결정하는기준시간신호를생성하는기준시간생성기를포함한다.
Abstract translation: 本公开涉及包括存储器单元的电阻式存储器件及其操作方法。 电阻式存储器件包括感测电路，其连接到连接到存储器单元的第一信号线，并且基于第一参考电流感测存储器单元的数据; 以及参考时间生成器，其基于第一参考电流生成用于确定感测结果的输出点的参考时间信号。 因此，在读出操作过程中可以减少电流消耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.028 seconds)
