公开(公告)号：KR1020030090828A

公开(公告)日：2003-12-01

申请号：KR1020020028414

申请日：2002-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  박홍식 ,  조범석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to etch metal and amorphous silicon layers in the same chamber by forming data wiring only by a wet etching. CONSTITUTION: Tungsten is deposited on a transparent insulating substrate(110) and is patterned by a photo etching to form gate wiring(121,123,125). A gate insulating layer(140) is formed on the gate wiring. Amorphous silicon layers(151,153) and resistant contact layers(161,163,165) are formed on the gate insulating layer. Data wiring formed of tungsten is formed on the resistant contact layers and the gate insulating layer. A passivation layer(180) is formed on the data wiring, including contact holes(181,182,183,184). Pixel electrodes(190) are formed on the passivation layer, and electrically connected with drain electrodes(175) through the contact holes.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过仅通过湿蚀刻形成数据布线来蚀刻同一腔室中的金属和非晶硅层。 构成：将钨沉积在透明绝缘衬底（110）上，并通过光蚀刻图案化以形成栅极布线（121,123,125）。 栅极绝缘层（140）形成在栅极布线上。 非晶硅层（151,153）和电阻接触层（161,163,165）形成在栅绝缘层上。 在耐电接触层和栅极绝缘层上形成由钨构成的数据布线。 在数据布线上形成钝化层（180），包括接触孔（181,182,183,184）。 像素电极（190）形成在钝化层上，并通过接触孔与漏电极（175）电连接。

公开(公告)号：KR1020030004682A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：KR1020010040310

申请日：2001-07-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating wires and a method for fabricating a TFT substrate by using the same are provided to pattern a conductive layer of Ag or Ag alloy by using an etch solution including phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, and ethylene-glycol. CONSTITUTION: A thin film for wires is stacked on an upper surface of a substrate(100). The thin film for wires includes a conductive material of Ag or Ag alloy having the lowest non-resistance. An etch process is performed by using a photoresist layer pattern(500) as an etch mask. The thin film for wires is patterned by performing the etch process. A wire(800) is formed on the thin film for wires by patterning the thin film for wires. In the etch process, the wire(800) is obtained by using a wet etch method. The wet etch process is performed by using a predetermined etching solution.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造导线的方法和通过使用该方法制造TFT基板的方法，通过使用包括磷酸，硝酸，乙酸和乙二醇的蚀刻溶液来对Ag或Ag合金的导电层进行图案化 。 构成：用于布线的薄膜层叠在基板（100）的上表面上。 用于电线的薄膜包括具有最低非电阻的Ag或Ag合金的导电材料。 通过使用光致抗蚀剂层图案（500）作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。 通过执行蚀刻工艺来对导线的薄膜进行图案化。 通过图案化电线用薄膜，在电线用薄膜上形成线（800）。 在蚀刻工艺中，通过使用湿蚀刻法获得线（800）。 通过使用预定的蚀刻溶液进行湿蚀刻工艺。

公开(公告)号：KR100299690B1

公开(公告)日：2001-11-05

申请号：KR1019990054873

申请日：1999-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이봉우 ,  이수원 ,  남효학 ,  주진호 ,  정수임 ,  박홍식 ,  강성철

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133711

Abstract: 본발명은액정배향재의재생방법에관한것으로 LCD 제조에서액정배향재를사용하는공정특성상대량발생하는배향재폐액을수거하여배향재폐액을배향재성분인폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드에대하여불용성을가지는유기용매또는초순수에넣어폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드를고형화한후 유기용매또는초순수로부터폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드를분리한다음, 분리된고형폴리아믹엑시드및 솔루블폴리이미드를용매에용해하면 LCD 액정공정에서원 액정배향재와동등한효과를나타낼수 있는액정배향막으로재생될수 있다. 이방법을이용하여액정배향막재료를재생하여사용하면원가절감에크게기여할수 있다.

公开(公告)号：KR100307593B1

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：KR1019990001255

申请日：1999-01-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  임법선

IPC: H04N7/08

Abstract: 본발명은텔레비전동작방법에관한것으로서, 보다상세하게는캡션키를사용하여캡션신호가입력되고있는지감지하여채널의가변에상관없이캡션방송을디스플레이하는캡션방송디스플레이방법에관한것이다. 캡션방송디스플레이방법은캡션키를구비한텔레비젼시스템에서캡션을자동으로감지하는방법에있어서, 상기캡션키 신호가입력되면방송중인채널의캡션데이터를감지하여디스플레이하는제1과정, 상기제1과정수행중사용자에의해채널이가변될때마다그 채널의캡션데이터를체크하여감지된캡션데이터를화면에표시하는제2과정을포함한다. 본발명에따르면, 사용자의선택에의해간편하게캡션동작을조작하여채널변동에상관없이캡션방송을시청할수 있어사용자의편리성을극대화할 수있는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020010019745A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990036321

申请日：1999-08-30

Applicant: 동우 화인켐 주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 주진호 ,  이유경 ,  박홍식 ,  나윤정 ,  김기수 ,  강성철

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0226

Abstract: PURPOSE: Provided is a positive type photoresist composition useful in formation of photoresist film for liquid crystal display circuit and/or microcircuit used in semiconductor area by comprising polymer resin and sensitive compound and reducing bad smell. CONSTITUTION: A positive type photoresist composition comprises polymer resin to form photoresist film, sensitive compound to alterate solubility of the film and solvent such as 3-methoxybutylacetate and 4-butyrolactone. The composition preferably contains novolak resin as the polymer resin, diazide compound as the sensitive compound. The 3-methoxybutylacetate and 4-butyrolactone are blended, by weight part, in a ratio of 60-80 : 2-10. The positive type photoresist composition effects industrial application because of its excellent properties such as sensing rate, residual rate, resolution and/or adhesiveness to substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种正型光致抗蚀剂组合物，其可用于形成用于半导体领域的液晶显示电路和/或微电路的光致抗蚀剂膜，其包含聚合物树脂和敏感化合物，并减少不良气味。 构成：正型光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂以形成光致抗蚀剂膜，敏化剂以改变膜的溶解性和溶剂如3-甲氧基丁酸乙酯和4-丁内酯。 组合物优选含有酚醛清漆树脂作为聚合物树脂，重氮化合物作为敏感化合物。 将3-甲氧基丁酸乙酯和4-丁内酯按重量比例混合，比例为60-80：2-10。 正型光致抗蚀剂组合物由于其优异的性能如感光速率，残留率，分辨率和/或对基材的粘附性而具有工业应用。

公开(公告)号：KR100271757B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019970017066

申请日：1997-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  강성철 ,  주진호 ,  박달

IPC: H01L21/30

Abstract: PURPOSE: An etch method for a semiconductor device is provided to improve productivity, by eliminating a defect in etching a chrome layer, and by shortening process time. CONSTITUTION: Photoresist is applied on the entire surface of an alloy layer. A photolithography process is performed to form a photoresist pattern. The alloy layer is etched to form an alloy layer pattern by using the photoresist pattern as a mask. The photoresist pattern is eliminated. Chrome etchant is deposited on a chrome layer exposed to the exterior by the alloy layer pattern, and is left alone for 30-70 seconds to eliminate an organic material absorbed to the chrome layer while the photoresist pattern is removed. The chrome layer is etched to form a chrome layer pattern by using the alloy layer pattern as a mask.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的蚀刻方法，通过消除蚀刻铬层的缺陷以及缩短处理时间来提高生产率。 构成：将光致抗蚀剂涂覆在合金层的整个表面上。 进行光刻工艺以形成光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻合金层以形成合金层图案。 消除光致抗蚀剂图案。 铬蚀刻剂通过合金层图案沉积在暴露于外部的铬层上，并且被单独留下30-70秒以消除吸收到铬层的有机材料，同时除去光致抗蚀剂图案。 通过使用合金层图案作为掩模，蚀刻铬层以形成铬层图案。

公开(公告)号：KR100185050B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019960003621

申请日：1996-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  홍동관

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 디지탈 타이머에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화공 약품을 사용하는 세정 공정에서 액조에 담구어 웨이퍼의 산화막을 식각하는 데 필요한 세정시간을 설정시키는 디지탈 타이머에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은 식각 시간과 각종 제어 신호를 입력하는 키입력부와, 상기 키입력부에서 발생되는 데이터를 저장하는 램과, 시스템 프로그램을 저장하는 롬과, 상기 키입력부에서 발생되는 식각 시간이 분, 초 단위로 표시되고 입력된 각종 제어 신호가 표시되는 표시부와, 상기 각 구성 블록을 제어하는 중앙 처리부로 구성한다.

公开(公告)号：KR100177346B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019960003620

申请日：1996-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 터널 콘택(Tunnel Contact)의 제조방법에 관한 것으로 웨트 에칭 공정을 제거하여 터널 콘택의 미스얼라인에 의한 터널링 불량을 제거하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은 기판위에 옥사이드를 형성한 후 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 포토리소그래피법으로 상기 터널 콘택 패턴을 형성하고 노광, 현상하는 단계와, 상기 옥사이드의 표면에 형성된 잔류물을 제거하는 단계와, 하드 베이크하는 단계와, 플라즈마 에칭으로 상기 옥사이드를 상기 기판표면까지 에칭하는 단계와, 상기 포토레지스트를 벗겨내고 화학적 클리닝을 실시하는 단계와, 상기 터널 콘택에 터널 옥사이드를 도포하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970063489A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960003620

申请日：1996-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 터널 콘택(Tunnel Contact)의 제조방법에 관한 것으로 웨트 에칭 공정을 제거하여 터널 콘택의 미스얼라인에 의한 터널링 불량을 제거하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은 기판위에 옥사이드를 형성한 후 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계와, 포토리소그래피법으로 상기 터널 콘택 패턴을 형성하고 노광, 현상하는 단계와, 상기 옥사이드의 표면에 형성된 잔류물을 제거하는 단계와, 하드 베이크하는 단계와, 플라즈마 에칭으로 상기 옥사이드를 상기 기판표면까지 에칭하는 단계와, 상기 포토레지스트를 벗겨내고 화학적 클리닝을 실시하는 단계와, 상기 터널 콘택에 터널 옥사이드를 도포하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970061724A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004816

申请日：1996-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식

IPC: H01L21/304

Abstract: 케미컬 운반적업이 효율적이고 환경문제에 대처할 수 있으며 공정설비로의 케미컬 공급이 용이하도록 된 케미컬 운반용 용기 및 이를 이용한 케미컬 공급 장치에 관한 것으로, 케미컬 운반용 용기는 케미컬을 수용하기 위한 저장조와, 상기 저장조의 상부를 밀폐하도록 설치된 상판, 상기 상판에 관통설치된 케미컬 배출파이프 및 N
2 가스 유입파이프, 상기 케미컬 배출파이프 및 N
2 가스 유입파이프의 상단부에 각각 설치되어 유로를 선택적으로 개폐하기 위한 밸브로 구성되고, 케미컬 공급장치는 케미컬을 일정량 저장하기 위한 서비스 탱크, 케미컬 운반용 용기내의 케미컬을 상기 서비스 탱크로 옮기기 위해 연결된 케미컬 공급라인, 상기 케미컬 운반용 용기내에 N
2 가스를 주입시키기 위한 N
2 공급라인 및 상기 케미컬 공급량을 제어하는 제어부로 구성된 것이다. 따라서 케미컬의 운반 및 공급작업이 편리하여 작업성 및 생산성이 향상되고, 케미컬에 의한 환경오염이 예방되며, 케미컬의 장시간 보관시에도 케미컬의 오염 및 특성에 변화가 없어 품질이 유지되는 효과가 있다.