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公开(公告)号：KR1019990076005A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980010596
申请日：1998-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 캘리브레이션용 샘플 제작을 생략할 수 있는 반도체장치 분석설비의 결합마운트에 관한 것이다.
본 발명은, 샘플홀더에 형성된 결합마운트홀 내부에 위치되며, 샘플이 부착된 샘플마운트가 위치되는 샘플마운트홀이 형성된 반도체장치 분석설비의 결합마운트에 있어서, 상기 결합마운트 상부 소정영역에 캘리브레이션용 금속봉을 삽입할 수 있는 금속봉 삽입홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 캘리브레이션용 샘플 제작 및 사용에 따라 발생된 로스타임을 줄일 수 있고, 캘리브레이션용 샘플로 제작되는 망간 또는 구리의 소모량을 줄일 수 있고, 캘리브레이션 작업의 신뢰도가 떨어지는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980082261A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970017066
申请日：1997-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 식각방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판 상에 크롬막 및 합금막이 순차적으로 기 형성된 영역을 게이트 패턴으로 형성시키기 위한 반도체장치의 식각방법에 있어서, (1) 사진공정의 수행으로 상기 게이트 영역의 포토레지스트를 제거시키는 사진공정단계; (2) 상기 (1)의 사진공정단계의 수행으로 노출되는 상기 게이트 영역의 합금막을 식각시키는 제 1 식각단계; (3) 상기 (1)의 사진공정단계의 수행으로 상기 반도체 기판 상에 잔류하는 포토레지스트를 완전히 제거하는 제거단계; 및 (4) 상기 (3)의 제거단계의 수행으로 포토레지스트가 제거된 반도체 기판 상의 크롬막 영역에 크롬 식각액을 점적시켜 소정의 시간 동안 방치시킨 후, 상기 크롬막을 식각시키는 제 2 식각단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 크롬막 식각이 용이하게 수행되고, 공정시간이 단축되어 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100499166B1
公开(公告)日：2005-09-26
申请号：KR1019980010595
申请日：1998-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/26
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조설비의 부속품을 비파괴분석할 수 있는 환경주사전자현미경 및 이를 이용한 반도체 제조설비 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 환경주사전자현미경은, 지지대에 의해서 지지되며, 상부에 분석대상물이 위치되는 샘플홀더가 구비되는 환경주사전자현미경에 있어서, 상기 샘플홀더 일측에 상기 샘플홀더의 직경을 외측으로 확장할 수 있는 직경확장수단이 더 구비되어 있으며, 상기 환경주사전자현미경을 이용한 반도체 제조설비 분석방법은, 일련의 반도체장치 제조공정이 진행된 웨이퍼를 샘플링하는 웨이퍼 샘플링단계, 상기 샘플링된 웨이퍼를 분석하는 웨이퍼 분석단계, 상기 웨이퍼 분석단계의 수행에 의한 결과값을 기준으로 반도체장치 제조설비의 분석대상 부품을 결정하는 분석대상 부품 결정단계 및 상기 분석대상 부품을 환경주사전자현미경을 사용하여 분석하는 환경주사전자현미경 분석단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조설비의 부품을 비파괴분석함으로서 반도체 제조설비의 부품 상에 존재하는 파티클이 공정과정에 오염원으로 작용하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020010090151A
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：KR1020000014800
申请日：2000-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: A control method of a surface temperature of a wafer is provided to improve a uniformity of the whole wafer surface temperature by a heating plate. CONSTITUTION: A heating plate(200) is divided by a plurality of point cell units. Each point cell units have a thermocouple semiconductor. A wafer is then loaded on the heating plate(200). A point cell region(210b) having locally low temperature is applied to a positive bias, thereby increasing the surface temperature of the wafer. Also, a point cell region(210c) having locally high temperature is applied to a negative bias, thereby decreasing the surface temperature of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供晶片的表面温度的控制方法，以通过加热板提高整个晶片表面温度的均匀性。 构成：加热板（200）由多个点电池单元分开。 每个点电池单元具有热电偶半导体。 然后将晶片装载在加热板（200）上。 将具有局部低温的点单元区域（210b）施加到正偏压，从而增加晶片的表面温度。 此外，具有局部高温的点单元区域（210c）被施加到负偏压，从而降低晶片的表面温度。
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公开(公告)号：KR1019990076004A
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019980010595
申请日：1998-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/26
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조설비의 부속품을 비파괴분석할 수 있는 환경주사전자현미경 및 이를 이용한 반도체 제조설비 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 환경주사전자현미경은, 지지대에 의해서 지지되며, 상부에 분석대상물이 위치되는 샘플홀더가 구비되는 환경주사전자현미경에 있어서, 상기 샘플홀더 일측에 상기 샘플홀더의 직경을 외측으로 확장할 수 있는 직경확장수단이 더 구비되어 있으며, 상기 환경주사전자현미경을 이용한 반도체 제조설비 분석방법은, 일련의 반도체장치 제조공정이 진행된 웨이퍼를 샘플링하는 웨이퍼 샘플링단계, 상기 샘플링된 웨이퍼를 분석하는 웨이퍼 분석단계, 상기 웨이퍼 분석단계의 수행에 의한 결과값을 기준으로 반도체장치 제조설비의 분석대상 부품을 결정하는 분석대상 부품 결정단계 및 상기 분석대상 부품을 환경주사전자현미경을 사용하여 분석하는 환경주사전자현미경 분석단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 제조설비의 부품을 비파괴분석함으로서 반도체 제조설비의 부품 상에 존재하는 파티클이 공정과정에 오염원으로 작용하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100605097B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1019990013312
申请日：1999-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 서셉터는 판넬, 제 1의 실리콘막 및 제 2의 실리콘막을 포함한다. 상기 판넬은 카본의 재질을 갖는다. 상기 제 1의 실리콘막은 상기 판넬의 모든 면에 소정의 두께로 형성된다. 상기 제 2의 실리콘막은 상기 제 1의 실리콘막의 소정의 면에 형성되며, 상기 제 1의 실리콘막보다 얇은 두께를 가진다. 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 서셉터는 판넬 상에 형성된 제 1의 실리콘막의 소정의 면에 형성된 제 2의 실리콘막을 갖는다. 이와 같이, 상기 서셉터의 제 1의 실리콘막 상에 제 2의 실리콘막이 형성되어 제 1의 실리콘막 표면으로부터의 파티클의 발생이 제 2의 실리콘막에 의해 방지됨으로써, 반도체 제조 공정의 수율이 높아진다.
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公开(公告)号：KR1020000066303A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990013312
申请日：1999-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A susceptor in device for fabrication a semiconductor is provided to prevent the particles from being produced in a first silicon layer by a second silicon layer and to increase the yield. CONSTITUTION: A susceptor in a semiconductor fabrication device comprises a susceptor(400) which includes a first silicon layer(420), a second silicon layer(430), and a panel(410) made of carbon. The first silicon layer(420) is uniformly formed on the panel(410), and the second silicon layer(430) having a thinner depth than the first layer(420) is formed on the first silicon layer(420). So the particles being produced from cleavage of silicon layer by the abrupt pressure change is prevented by the second silicon layer(430). The susceptor make the surface of the first and the second silicon layer smooth and hardened, and the second silicon layer is formed by HGC(hemispherical glass processing) in the chamber.
Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体的器件中的感受体，以防止通过第二硅层在第一硅层中产生颗粒并提高产量。 构成：半导体制造装置中的感受体包括包含第一硅层（420），第二硅层（430）和由碳制成的面板（410）的基座（400）。 第一硅层（420）均匀地形成在面板（410）上，并且具有比第一层（420）更深的深度的第二硅层（430）形成在第一硅层（420）上。 因此，通过突然的压力变化由硅层的裂解产生的颗粒被第二硅层（430）所阻止。 基座使第一和第二硅层的表面平滑硬化，并且第二硅层通过室中的HGC（半球形玻璃加工）形成。
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公开(公告)号：KR1019980039935A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059053
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/48
Abstract: 자동으로 챔버 내부의 온도와 압력을 체크하여 일정 수준이 되면 자동으로 분석을 수행하도록 개선시킨 열탈착 스펙트로스코피의 구동장치에 관한 것이다.
본 발명은, 챔버 내부에 온도센서와 진공게이지가 설치되고 상기 챔버를 히팅하도록 적외선 히팅 유니트와 상기 적외선 히팅 유니트를 제어하는 컨틀로러가 구성되는 열탈착 스펙트로스코프의 구동장치에 있어서, 상기 온도센서와 진공게이지로부터 소정 치 이상의 값 도달여부에 대한 신호를 인가받아서 앤드조합하는 논리조합수단 및 상기 논리조합수단의 판별신호 출력에 따라 스위칭되는 스위칭신호를 상기 컨트롤러로 인가하도록 구성되어서 상기 챔버내부의 샘플 가열을 제어하도록 스위칭되는 스위칭수단을 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 분석공정의 자동시작이 가능하여 번거로운 온도와 진공도의 확인없이 공정이 수행되므로, 작업성이 극대화되고, 분석기능이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020060116481A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050038898
申请日：2005-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An RFID(Radio Frequency IDentification) device is provided to increase business efficiency of a worker by making an external antenna in a small size while offering good coverage. The external antenna(40r) transceives an ID signal with RFID tags. The reader(10) is connected to the external antenna and displays the ID signal. The external antenna is attachable to the reader or detachable from the reader. The external antenna includes a transceiver(42r) including a coil for transceiving the ID signal with the RFID tags, a connector(44r) connecting to the reader, and a line(46r) connecting the transceiver and the connector. The transceiver has a ring shape and the connector has a jack shape. The reader is attached to a reader case(20). A wrist band(30) is connected to the reader case and attaches the reader case to a wrist.
Abstract translation: 提供RFID（射频识别）设备，通过在提供良好覆盖的同时制造小尺寸的外部天线来提高工作者的业务效率。 外部天线（40r）用RFID标签收发ID信号。 读取器（10）连接到外部天线并显示ID信号。 外部天线可附接到阅读器或从阅读器拆卸。 外部天线包括收发器（42r），包括用于用RFID收发ID信号的线圈，连接到读取器的连接器（44r）和连接收发器和连接器的线路（46r）。 收发器具有环形，并且连接器具有插座形状。 读取器附接到读取器盒（20）。 手腕带（30）连接到读取器壳体并将读取器壳体附接到手腕。
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公开(公告)号：KR1019990086239A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980019116
申请日：1998-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/17
Abstract: 본 발명은 주사전자현미경을 구비하는 시료분석장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
본 발명은 상측에 주사전자현미경이 부착되어 있는 시료분석 챔버, 상기 주사전자현미경의 하단부에 위치한 후방산란전자검출기, 상기 시료분석 챔버 하측에 설치되며 분석용 시료를 안착하여 상하구동이 가능한 시료 스테이지, 상기 시료 스테이지를 구동하는 시료 스테이지 구동부, 상기 후방산란전자검출기와 상기 시료 스테이지 사이를 광통과할 수 있도록 상기 시료분석 챔버에 대향하는 측벽에 설치되는 발수광센서, 상기 시료 스테이지에 부착되어 구동여부를 감지하는 진동센서, 및 상기 진동센서, 수광부로부터의 신호를 센싱신호로 입력받아 상기 시료 스테이지 구동부에 동작을 하는 제어신호와 상기 발광부에 전원 온/오프 신호를 출력하는 제어부를 구비하여 이루어진다.
따라서, 발수광센서를 설치하므로써, 시료가 후방산란전자검출기의 일정거리 이내까지 접근하는 것을 감지하여 시료 스테이지의 수직상승을 멈추게 하여 후방산란전자검출기의 파손을 방지하는 효과가 있다.
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