公开(公告)号：KR1020050058894A

公开(公告)日：2005-06-17

申请号：KR1020030090909

申请日：2003-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재준 ,  선종백 ,  정현담 ,  임진형 ,  신현진

IPC: G03F7/075

CPC classification number: C07F7/0859 ,  C07F7/1836 ,  C08G77/50

Abstract: 본 발명은 신규한 다반응성 선형 실록산계 화합물, 상기 화합물로부터 제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 모듈러스 등 기계적 물성과 열적 안정성이 뛰어나고 탄소함량 및 흡습률이 낮은 중합체를 제공할 수 있는 신규한 다반응성 선형 실록산 화합물, 상기 선형 실록산 화합물 또는 상기 화합물과 다른 단량체부터 제조된 실록산 중합체에 관한 것이고, 아울러 상기 중합체를 포함한 코팅액을 열경화하는 단계를 포함한 절연막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실록산 화합물은 높은 반응성을 가지며, 그로부터 제조된 중합체는 우수한 기계적 물성, 열안정성 및 균열 저항성을 가질 뿐만 아니라, 낮은 흡습률을 나타내며 기공형성물질과의 상용성도 우수하여 낮은 절연계수를 가질 수 있고, 나아가, 중합체 내에 탄소함량이 낮고 SiO
2 의 함량이 높아 반도체 공정에로의 적용성이 향상되어 반도체 소자의 절연막으로써 유용하게 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR101669953B1

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：KR1020100027347

申请日：2010-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  류명관 ,  박경배 ,  이상윤 ,  구본원

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24975

Abstract: 기판위에산화물전구체용액을적용하는단계및 상기산화물전구체용액을열처리하여비정질또는나노결정의산화물층을형성하는단계를반복적으로수행하는산화물박막의형성방법, 상기방법으로형성된산화물박막및 이를포함하는전자소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160091309A

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：KR1020160093408

申请日：2016-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 선종백 ,  김현재 ,  류명관 ,  김건희 ,  박경배 ,  신현수 ,  정웅희 ,  안병두 ,  이상윤

IPC: H01B1/08 ,  H01L29/26 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01B1/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 마그네슘을함유하는제3 화합물을포함하는산화물박막형성용용액조성물과상기용액조성물로부터형성되며아연, 인듐및 마그네슘을포함하는산화물반도체를포함하는전기소자를제공한다. 또한아연을함유하는제1 화합물, 인듐을함유하는제2 화합물및 하프늄을함유하는제3 화합물을포함하고, 상기아연과상기하프늄의원자수비율이 1:0.01 내지 1:1인산화물박막형성용용액조성물또한제공한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于形成氧化物薄膜的溶液组合物，其可改善电子元件的电性能。 提供了用于形成氧化物薄膜的溶液组合物，其包含含有锌的第一化合物，含铟的第二化合物和含有镁的第三化合物; 以及由所述溶液组合物制成并包含含有锌，铟和镁的氧化物半导体的电元件。 此外，提供了用于形成氧化物薄膜的溶液组合物，其包含含有锌的第一化合物，含铟的第二化合物和含有铪的第三化合物，其中锌和铪的原子比为1:0.01 至1：1。

公开(公告)号：KR101523384B1

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：KR1020080126640

申请日：2008-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정은정 ,  선종백

IPC: C08L83/04 ,  C08L83/08 ,  C08K3/10 ,  C08J5/22

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/26 ,  C08G77/58 ,  C08K5/0091 ,  C08K5/057 ,  C08K5/56 ,  C08L83/08 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  C08L2666/02

Abstract: 본발명의일 구현예에따른절연성수지조성물은 (A) 1차아민기, 2차아민기또는이들모두를포함하는규소계고분자화합물; (B) 유기금속화합물; 및 (C) 용매를포함하는데, 이러한절연성수지조성물은반도체소자형성공정에서물리화학적성질이유지되므로절연막결함, 얼룩, 뭉침등으로인한반도체소자의특성불량을방지할수 있을뿐 아니라, 히스테리시스를감소시킴으로써반도체소자의특성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101445876B1

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020080014787

申请日：2008-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이은경 ,  김주영 ,  선종백

IPC: C08L35/00 ,  C08L25/00 ,  C08K5/151 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L51/052

Abstract: 본 발명은 유기 절연체 고분자와 알킬기 또는 불소계 측쇄를 갖는 에폭시계 가교제를 포함하는 유기 절연체 조성물, 이를 이용하는 유기 절연층 및 유기 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 유기 절연층 조성물을 이용하는 유기 절연층은 내화학성이 우수할 뿐 아니라 유기 박막 트랜지스터의 히스테리시스를 줄일 수 있어 균일한 소자의 특성을 제공할 수 있다.
유기 절연체 조성물, 에폭시계 가교제, 히스테리시스, 유기 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020130084125A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：KR1020120004912

申请日：2012-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 선종백 ,  류명관 ,  이상윤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/46 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02623

Abstract: PURPOSE: A thin film patterning method and a manufacturing method of a semiconductor device using the same are provided to simplify a manufacturing process by patterning a thin film of a simple process without a separate sensitive film. CONSTITUTION: A precursor solution including a precursor of metal oxide is prepared. A thin film (200) is formed by spreading the precursor solution on a substrate (100). The thin film is softly dried. The thin film is exposed to the light by using a photomask in an ozone atmosphere. The part which is not exposed to the light is developed. A patterned metal oxide thin film is formed by hardly drying the developed thin film.

Abstract translation: 目的：提供薄膜图案化方法和使用其的半导体器件的制造方法，以通过在不具有单独的敏感膜的情况下对简单工艺的薄膜进行图案化来简化制造工艺。 构成：制备包含金属氧化物前体的前体溶液。 通过将前体溶液铺展在基底（100）上来形成薄膜（200）。 薄膜轻轻干燥。 通过在臭氧气氛中使用光掩模将薄膜暴露于光。 未曝光的部分被开发出来。 通过几乎不干燥显影的薄膜来形成图案化的金属氧化物薄膜。

公开(公告)号：KR1020100092878A

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020100007951

申请日：2010-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  이상윤 ,  박정일 ,  류명관 ,  박경배

IPC: C09D1/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: C09D1/00 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A solution composition, a thin film formation method using thereof, and a manufacturing method of a thin film transistor are provided to simplify the manufacturing process, and to improve the property of the thin film transistor. CONSTITUTION: A solution composition for manufacturing an oxide thin film contains a first compound including zinc, a second compound including indium, and a third compound including more than one metal or semi-metal selected from the group consisting of hafnium, magnesium, tantalum, cerium, lanthanum, silicon, germanium, vanadium, niobium, and yttrium.

Abstract translation: 目的：提供一种溶液组合物，其薄膜形成方法和薄膜晶体管的制造方法，以简化制造工艺，并提高薄膜晶体管的性能。 构成：用于制造氧化物薄膜的溶液组合物含有包含锌的第一化合物，包含铟的第二化合物和包含多于一种选自铪，镁，钽，铈的金属或半金属的第三化合物 ，镧，硅，锗，钒，铌和钇。

公开(公告)号：KR1020080087246A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：KR1020070029179

申请日：2007-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  이영관 ,  한정석 ,  이상윤

IPC: C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08F2/34

CPC classification number: H05K3/02 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  C08J2367/02 ,  C08J2400/14 ,  H05K2201/0329 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/1142 ,  Y10T428/31504

Abstract: A method for producing a conductive polymer film capable of UV patterning is provided to obtain a conductive polymer film maintaining high conductivity, high transparency and flexibility while being patterned by a simple process. A method for producing a conductive polymer film capable of UV patterning comprises the steps of: (a) coating a mixed solution containing a UV curable binder and an oxidant onto a transparent substrate; (b) forming a conductive film on the coating layer of the binder and the oxidant by using a vapor phase polymerization process; and (c) carrying out UV patterning of the conductive polymer film. The binder includes a photosensitive polymer resin.

Abstract translation: 提供了一种能够进行UV图案化的导电聚合物膜的制造方法，以便通过简单的工艺来形成图案，从而获得保持高导电性，高透明度和柔性的导电聚合物膜。 一种能够进行UV图案化的导电聚合物膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）将含有紫外线固化性粘合剂和氧化剂的混合溶液涂布在透明基板上; （b）通过使用气相聚合法在粘合剂和氧化剂的涂层上形成导电膜; 和（c）进行导电聚合物膜的UV图案化。 粘合剂包括光敏聚合物树脂。

公开(公告)号：KR1020080030454A

公开(公告)日：2008-04-04

申请号：KR1020070048233

申请日：2007-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선종백 ,  정현담 ,  이상윤

IPC: H01B3/10 ,  H01B3/18

Abstract: A composition for a dielectric thin film is provided to allow application of a low-temperature process, to realize a high dielectric constant, and to impart a low driving voltage and high charge transportability to electronic devices. A composition for a dielectric thin film comprises: a metal halide represented by the formula of MaXb (wherein M is a metal element selected from Group 1-14 metals, X is a halogen atom, a is an integer of 1-3, and b is an integer of 1-10), as a metal oxide precursor; at least one of metal alkoxide and ether compound; and an organic solvent. The composition preferably comprises 0.1-50 wt% of a metal halide, 0.1-50 wt% of at least one of metal alkoxide and ether compound, and the balance amount of an organic solvent.

Abstract translation: 提供了一种用于电介质薄膜的组合物，以允许施加低温工艺，实现高介电常数，并赋予电子器件低驱动电压和高电荷传输性。 一种电介质薄膜用组合物，其特征在于，含有下式所示的金属卤化物，式中，M为选自1-14族金属的金属，X为卤素原子，a为1-3的整数，b为 是1-10的整数，作为金属氧化物前体; 金属醇盐和醚化合物中的至少一种; 和有机溶剂。 组合物优选包含0.1-50重量％的金属卤化物，0.1-50重量％的金属醇盐和醚化合物中的至少一种，余量为有机溶剂。

公开(公告)号：KR1020050005759A

公开(公告)日：2005-01-14

申请号：KR1020040042522

申请日：2004-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  정현담 ,  선종백 ,  마상국 ,  임진형 ,  이재준

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/14

CPC classification number: C07F7/21 ,  C08G77/14

Abstract: PURPOSE: A multi-functional cyclic siloxane compound, a siloxane polymer prepared from the same compound and a process for preparing dielectric film using the same polymer are provided, which siloxane compound has improved reactivity, and which polymer has improved mechanical properties, thermostability and crack resistance, low hydroscopicity rate, low insulation coefficient, low carbon content, and high SiO2 content, so that the polymer is useful as an insulation membrane of a semiconductive device. CONSTITUTION: The multi-functional cyclic siloxane compound represented by formula (1a) is provided, wherein R1 is hydrogen, C1-C3 alkyl or C6-C15 aryl; R2 is C1-C10 alkyl or SiX1X2X3 in which X1, X2 and X3 are independently hydrogen, C1-C3 alkyl, C1-C10 alkoxy or halogen atom; and p is an integer of 3 to 8. The siloxane polymer is prepared by hydrolysis and condensation polymerization of one or more than two the multi-functional cyclic siloxane compound represented by formula (1) in organic solvent in the presence of acid or base catalyst and water, wherein the acid catalyst is hydrochloric acid, nitric acid, benzene sulfonic acid, oxalic acid, formic acid or a mixture thereof; and the base catalyst is potassium hydroxide, sodium hydroxide, triethylamine, sodium bicarbonate, pyridine or a mixture thereof.

Abstract translation: 目的：提供多功能环状硅氧烷化合物，由相同化合物制备的硅氧烷聚合物和使用相同聚合物制备电介质膜的方法，该硅氧烷化合物具有改善的反应性，并且该聚合物具有改善的机械性能，热稳定性和裂纹 电阻，低吸水率，低绝缘系数，低碳含量和高SiO 2含量，使得聚合物可用作半导体器件的绝缘膜。 构成：提供由式（1a）表示的多官能环状硅氧烷化合物，其中R 1是氢，C 1 -C 3烷基或C 6 -C 15芳基; R2是C1-C10烷基或SiX1X2X3，其中X1，X2和X3独立地是氢，C1-C3烷基，C1-C10烷氧基或卤素原子; 并且p为3至8的整数。硅酸酯聚合物通过一种或多于两种在式（1）表示的多官能环状硅氧烷化合物在有机溶剂中在酸或碱催化剂存在下水解和缩聚制备 和水，其中所述酸催化剂是盐酸，硝酸，苯磺酸，草酸，甲酸或其混合物; 碱催化剂为氢氧化钾，氢氧化钠，三乙胺，碳酸氢钠，吡啶或其混合物。