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公开(公告)号：KR1020140110388A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130024622
申请日：2013-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L29/42324 , H01L29/4933 , H01L29/513 , H01L29/7883 , H01L2924/0002 , H01L21/28141 , H01L21/28273 , H01L21/31144 , H01L21/3213 , H01L2924/00
Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device manufactured by the same. The method is to form the patterns of a fine pitch which overcomes the limit of an exposure process through a photolithography process and two spacer processes. Also, a line part and a pad part are simultaneously defined by the one-time photolithography process, thereby having no need to perform a separate photolithography process for forming the pad part only. Therefore, mask misalignment or bridge problems can be solved.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法及其制造的半导体器件。 该方法是形成精细间距的图案，其克服了通过光刻工艺和两个间隔物工艺的曝光过程的极限。 此外，通过一次光刻工艺同时限定线部分和焊盘部分，从而不需要仅进行用于形成焊盘部分的单独的光刻工艺。 因此，可以解决掩模未对准或桥接问题。
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公开(公告)号：KR1020120091621A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110011497
申请日：2011-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/764 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nonvolatile memory device is provided to remove an air gap filling process in a part of an area by selectively forming an air gap in a first area. CONSTITUTION: A substrate with a first region and a second region is provided. A first dielectric layer(120) and a charge storage floating pattern(130) are successively laminated on the substrate. A plurality of trenches(105) is filled with first insulation materials. A first recess is formed in the first area by removing the first insulation materials of the first area. A second insulation material(160) is formed on the upper side of the first recess. An air gap(110) is formed on the lower side of the first recess by removing sacrificial materials.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造非易失性存储器件的方法，以通过在第一区域中选择性地形成气隙来去除区域的一部分中的气隙填充过程。 构成：提供具有第一区域和第二区域的衬底。 第一电介质层（120）和电荷存储浮置图案（130）依次层叠在基板上。 多个沟槽（105）填充有第一绝缘材料。 通过去除第一区域的第一绝缘材料，在第一区域中形成第一凹部。 第二绝缘材料（160）形成在第一凹部的上侧。 通过去除牺牲材料，在第一凹部的下侧形成气隙（110）。
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公开(公告)号：KR1020120057794A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：KR1020100119297
申请日：2010-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L27/11519 , H01L21/28141 , H01L21/76205
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provide to effectively reduce parasitic capacitance and channel coupling by forming an air gap between word lines. CONSTITUTION: A plurality of gate structures(200) which is separated is located on a substrate(100). The plurality of gate structures comprises a tunnel insulating film pattern(110b), a floating gate electrode(120b), and a dielectric layer pattern(160a). A second insulating film pattern(220) is formed between the plurality of gate structures and has a second air gap(222) in inside. An element isolation structure has a first air gap(146) between the plurality of gate structures. The element isolation structure comprises a liner(140a) and a first buried film(142).
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，通过在字线之间形成气隙来有效地减少寄生电容和沟道耦合。 构成：分离的多个栅极结构（200）位于基板（100）上。 多个栅极结构包括隧道绝缘膜图案（110b），浮栅电极（120b）和电介质层图案（160a）。 第二绝缘膜图案（220）形成在多个栅极结构之间并且在内部具有第二气隙（222）。 元件隔离结构在多个栅极结构之间具有第一气隙（146）。 元件隔离结构包括衬垫（140a）和第一掩埋膜（142）。
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公开(公告)号：KR100851552B1
公开(公告)日：2008-08-11
申请号：KR1020070030468
申请日：2007-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28282 , H01L27/105 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L21/32051
Abstract: A non-volatile memory device and a forming method thereof are provided to perform different functions by forming a cell gate of a cell region and a peripheral circuit gate of a peripheral circuit region with different structures. A semiconductor substrate(100) includes a cell region and a peripheral circuit region. A cell gate(WL) is formed in the cell region. A peripheral circuit gate(150L) is formed in the peripheral circuit region. The cell gate includes a tunnel insulating layer(120), an electric charge storage layer(122), a blocking insulating layer(124), and a control gate electrode(126p). The peripheral circuit gate includes a gate insulating layer(110L), a semiconductor layer pattern(112p), and a metal-containing layer pattern(114p). The metal-containing layer pattern is made of a material different from a material of the control gate electrode.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其形成方法，通过形成具有不同结构的外围电路区域的单元区域的单元栅极和外围电路栅极来执行不同的功能。 半导体衬底（100）包括单元区域和外围电路区域。 在单元区域中形成单元栅极（WL）。 外围电路栅极（150L）形成在外围电路区域中。 电池栅极包括隧道绝缘层（120），电荷存储层（122），阻挡绝缘层（124）和控制栅电极（126p）。 外围电路栅极包括栅极绝缘层（110L），半导体层图案（112p）和含金属层图案（114p）。 含金属层图案由与控制栅电极的材料不同的材料制成。
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公开(公告)号：KR200239622Y1
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR2019990012463
申请日：1999-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: F24F1/00
Abstract: 벽면에 고정된 한 쌍의 못의 수평이 다소 어긋나 있더라도 이에 설치되는 실내기의 수평을 용이하게 맞출 수 있는 분리형 공기조화기의 실내기가 개시되어 있다. 개시된 분리형 공기조화기의 실내기는, 실내기가 설치될 벽면에 고정된 고정부재가 삽입되며, 상기 벽면에 고정된 고정부재에 대하여 실내기를 지탱하는 고정부재 삽입공이 형성된 후면판을 가지는 분리형 공기조화기의 실내기에 있어서, 상기 고정부재 삽입공은 수직 방향으로 길게 형성되며, 상기 고정부재 삽입공의 양측에는 복수의 핀 삽입공이 소정간격으로 형성된 핀 홀더가 형성되고, 상기 핀 삽입공에는 상기 고정부재에 대하여 실내기를 지탱하는 지지핀이 삽입되도록 된 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010019502A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1019990035939
申请日：1999-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
CPC classification number: F24F11/79 , F24F1/0011 , F24F11/745 , F24F13/08
Abstract: PURPOSE: A device for driving a louver is provided to simultaneously drive an upper and lower louver and a left and right louver without a port of a microcomputer. CONSTITUTION: A device for driving a louver comprises a signal inverting unit(130) to invert a fed control signal; a louver driving unit(120) to selectively drive an upper/lower louver(122) and a left/right louver(123); and a microcomputer(110) to feed the control signal and to control the louver driving unit(120). The louver driving unit contains an upper/lower louver driving motor to drive the upper/lower louver; a left/right louver driving motor to drive the left/right louver; and a motor driving unit to selectively drive the upper/lower louver driving unit and the left/right louver driving motor. Though a louver driving motor is added, the cheap microcomputer of 42 fins is used. Thereby, a production cost is reduced.
Abstract translation: 目的：提供用于驱动百叶窗的装置，以同时驱动上，下百叶窗和左右百叶窗，而不需要微型计算机的端口。 构成：用于驱动百叶窗的装置包括：信号反相单元（130），用于反转馈送的控制信号; 百叶窗驱动单元（120），用于选择性地驱动上/下百叶窗（122）和左/右百叶窗（123）; 以及用于馈送控制信号并控制百叶窗驱动单元（120）的微型计算机（110）。 百叶窗驱动单元包含用于驱动上/下百叶窗的上/下百叶窗驱动电机; 用于驱动左/右百叶窗的左/右百叶窗驱动马达; 以及马达驱动单元，用于选择性地驱动上/下百叶窗驱动单元和左/右百叶窗驱动马达。 虽然增加了百叶窗驱动电机，但是使用了42个散热片的便宜的微型计算机。 由此，降低生产成本。
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公开(公告)号：KR2020010001943U
公开(公告)日：2001-01-26
申请号：KR2019990012463
申请日：1999-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: F24F1/00
Abstract: 벽면에고정된한 쌍의못의수평이다소어긋나있더라도이에설치되는실내기의수평을용이하게맞출수 있는분리형공기조화기의실내기가개시되어있다. 개시된분리형공기조화기의실내기는, 실내기가설치될벽면에고정된고정부재가삽입되며, 상기벽면에고정된고정부재에대하여실내기를지탱하는고정부재삽입공이형성된후면판을가지는분리형공기조화기의실내기에있어서, 상기고정부재삽입공은수직방향으로길게형성되며, 상기고정부재삽입공의양측에는복수의핀 삽입공이소정간격으로형성된핀 홀더가형성되고, 상기핀 삽입공에는상기고정부재에대하여실내기를지탱하는지지핀이삽입되도록된 것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1019990047132A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065388
申请日：1997-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: D06F33/02
Abstract: 본 발명은 세탁기의 불균형 감지 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 유도전동기구동부로 인가되는 교류전원에 직렬로 연결되어 상기 교류전원을 변류하여 출력하는 변류기와, 상기 변류기에서 변류되어 출력된 교류를 정류하여 직류를 출력하는 정류기, 상기 정류기에서 출력된 직류의 전류값에 상응하는 전압값을 가지는 전류감지값을 출력함과 동시에 상기 전류감지값을 소정전압 이하로 제한하는 클램핑 회로 및, 드럼이 불균형 감지 속도로 회전된 다음 일정시간 후에 상기 클램핑회로로부터 전류감지값을 입력받아 최대전류감지값과 최소전류감지값을 비교하여 전류변동값을 구하고, 상기 전류변동값과 기준전류변동값을 비교하여 불균형을 감지하는 제어부를 포함하여 구성되어, 상기 드럼이 불균형 감지 속도로 회전된 다음 일정시간 후에 유도� ��동기를 구동시키는데 사용되는 교류전원의 전류값을 감지하여 감지된 전류감지값 중에서 최대전류감지값과 최소전류감지값의 차이값으로 불균형을 감지함으로써, 구성이 간단할 뿐만 아니라 정확하게 불균형을 감지할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970059580A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019960000018
申请日：1996-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유장현
IPC: F23N5/24
Abstract: 본 발명은 가스기기를 사용하지 않은 대기상태에서 가스 중간밸브의 개폐여부를 자체 확인하여 중간 밸브가 열려 있는 경우 이를 감지하여 경보하는 가스기기의 안전장치에 관한 것이다. 본 발명은 마이크로 프로세서의 동작 전원과 가스 안전장치의 각 부분에 필요한 모든 동작 전원을 공급하는 전원부와, 사용자의 명령을 외부에서 입력하는 키입력부와, 가스기기의 내부배관을 흐르는 가스압력을 측정하는 가스 입력 감지부와, 상기 가스 입력 감지부의 감지신호를 체크하여 그 잠지된 입력에 따라 가스의 노출여부를 판단함과 동시에 가스를 사용하지 않는 대기상태에서 가스 중간 밸브가 열려있다고 판단되면 그 상태를 외부에 알려 사용자로 하여금 중간 밸브를 잠그도록 유도하기 위한 제어신호를 출력하는 제어수단과, 상기 제어수단의 제어에 따라 가스 안전장치의 동작 상황을 외부에 표시하는 디스플레이부와, 상기 제어수단의 출력에 따라 경보음 발생수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
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