반도체 메모리 장치의 클램퍼회로
    21.
    发明公开
    반도체 메모리 장치의 클램퍼회로 失效
    半导体存储器件的钳位电路

    公开(公告)号:KR1019930014563A

    公开(公告)日:1993-07-23

    申请号:KR1019910022108

    申请日:1991-12-04

    Inventor: 최영권 전동수

    Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 소정의 노드에 걸리는 필요 이상의 전압을 다른 노드로 방출시키기 위한 클램퍼(clamper) 회로에 관한 것으로, 종래 기술에서 제시된 클램퍼회로는 클램퍼 회로를 소정의 원하지 않는 상태시, 즉 예를 들어 전류소모를 줄이기 위하여 상기 클램퍼 회로를 동작시키고 싶지 않을 경우나 승압된 전압이 걸리는 노드의 전압레벨을 상기의 소정의 승압전압이상으로 상승시키고자 할 경우에도 이를 제어할 수 없게되어 문제시 되는 바, 본 발명에 의한 클램퍼 회로는 승압된 전압이 걸리는 노드에 차아지되는 전압을 소정의 원하는 상태시에만 방출하기 위하여 상기 승압노드와 클램퍼회로의 출력노드사이에 삽입되고 소정의 컨트롤신호에 의해 동작되는 스위치를 구비하므로서, 소정의 언하는 상태시에만 동자하게 하므 서 전류소비를 억제하고 보다 신뢰성있는 클램퍼회로를 제공할 수 있게 된다.

    식별회로를 구비한 반도체 집적회로 칩
    23.
    发明授权
    식별회로를 구비한 반도체 집적회로 칩 失效
    带识别电路的半导体集成电路芯片

    公开(公告)号:KR1019920007535B1

    公开(公告)日:1992-09-05

    申请号:KR1019900007481

    申请日:1990-05-23

    Inventor: 전동수 석용식

    Abstract: A semiconductor integrated circuit has a discrimination circuit connected between power source terminals (VDD,VSS) and three input terminals (IN1-IN3), the discrimination circuit discriminating specific operating modes with option functions. The discrimination circuit includes a voltage limiter (22) for limiting an input potential applied to the input terminals in opposition to the power sources, to a predetermined input logic level and an option means (24) connected to the limiter (22) to determine the current flow of the limiter (22) in a chip manufacturing process.

    Abstract translation: 半导体集成电路具有连接在电源端子(VDD,VSS)和三个输入端子(IN1-IN3)之间的鉴别电路,鉴别电路用选项功能来区分具体的操作模式。 判别电路包括限制器(22),用于将施加到与电源相对的输入端子的输入电位限制到预定输入逻辑电平,以及连接到限幅器(22)的选项装置(24),以确定 在芯片制造过程中限流器(22)的电流流动。

    고성능 디램을 위한 센스 증폭기
    24.
    发明授权
    고성능 디램을 위한 센스 증폭기 失效
    高质量DRAM的感知放大器

    公开(公告)号:KR1019890004762B1

    公开(公告)日:1989-11-25

    申请号:KR1019860009864

    申请日:1986-11-21

    Inventor: 전동수

    CPC classification number: G11C11/4094 G11C11/4091

    Abstract: The sense amplifier extends the margin to the X-particle by storing charges having enough voltage level in the storage capacitor of the memory. The amplifier comprises a sensing part composed of a pair of bidirectional stable flip-flops(20,21) and a latch transistor(22), a precharging part equalizing a pair of bit lines(BL,BL) with a control clock(05) and precharging them with a reference voltage(VREF), a transmitting part composed of a pair of power transistors(28,29), a charging part charging the pair of bit lines with control clocks(02,03), and a boosting part charging the storage capacitor with the voltage greater than the power supply voltage.

    Abstract translation: 读出放大器通过在存储器的存储电容器中存储具有足够的电压电平的电荷将边缘扩展到X-粒子。 放大器包括由一对双向稳定触发器(20,21)和锁存晶体管(22)组成的感测部分,预充电部分用一对控制时钟(05)均衡一对位线(BL,BL) 并用参考电压(VREF)对其进行预充电,由一对功率晶体管(28,29)构成的发送部分,利用控制时钟(02,03)对一对位线充电的充电部分,以及升压部分充电 存储电容器的电压大于电源电压。

    다이나믹 랜덤 액세스 메모리 어레이
    25.
    发明授权
    다이나믹 랜덤 액세스 메모리 어레이 失效
    DRAM访问记忆阵列

    公开(公告)号:KR1019890003372B1

    公开(公告)日:1989-09-19

    申请号:KR1019860009912

    申请日:1986-11-24

    Inventor: 전동수

    CPC classification number: G11C11/4097 G11C11/4099

    Abstract: The array including beat lines (40) connected to a row decoders, a word lines (50) connected to the column decoders, a memory cells placed between the word and beat lines and sense amplifier (10) for sensing the stored data in the memory by selecting the row and column decoder address, has a dummy beat line (3) placed at the outer edge of the cell array for preventing the nonbalanced charge of beat line connected to the sense amplifier. The dummy beat line is not connected to the sense amplifier.

    Abstract translation: 所述阵列包括连接到行解码器的节拍线(40),连接到列解码器的字线(50),放置在字和节拍线之间的存储器单元和用于感测存储在存储器中的数据的读出放大器 通过选择行和列解码器地址,具有放置在单元阵列的外边缘处的虚拟节拍线(3),用于防止连接到读出放大器的节拍线的不平衡电荷。 虚拟节拍线未连接到读出放大器。

    불 휘발성 메모리 모듈 및 그것의 동작 방법
    26.
    发明公开
    불 휘발성 메모리 모듈 및 그것의 동작 방법 审中-实审
    非易失性存储器模块及其操作方法

    公开(公告)号:KR1020140075848A

    公开(公告)日:2014-06-20

    申请号:KR1020120138079

    申请日:2012-11-30

    CPC classification number: G06F12/1433 G06F21/64 G06F2212/202

    Abstract: A non-volatile memory module according to the present invention includes: a non-volatile memory; and an authentication unit which receives an initialization request from a user system, generates an authentication value based on the device identifiers of the devices included in the user system in response to the received initialization request, and controls the access to the non-volatile memory based on the generated authentication value; and an authentication value storage unit storing the generated authentication value.

    Abstract translation: 根据本发明的非易失性存储器模块包括:非易失性存储器; 以及认证单元,其从用户系统接收初始化请求,响应于接收的初始化请求,基于包括在用户系统中的设备的设备标识符生成认证值,并且控制对非易失性存储器的访问 对生成的认证值; 以及存储所生成的认证值的认证值存储部。

    미디어 파일 재생 장치에서 이퀄라이저를 설정하는 방법 및이를 위한 장치
    27.
    发明公开
    미디어 파일 재생 장치에서 이퀄라이저를 설정하는 방법 및이를 위한 장치 有权
    用于配置媒体播放器均衡器的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020090008610A

    公开(公告)日:2009-01-22

    申请号:KR1020070071683

    申请日:2007-07-18

    Abstract: A method for setting up equalizer in a media file player and an apparatus for the same are provided to set up the optimum equalizer for each media file and reproduce the media file at the same equalizer value in another player. A media file reproduction method of a media file player comprises a step of reading mapping information including the location of sound field effect file from the fixed position in a media file(S220), a step of searching the sound field effect file for the media file with reference to the mapping information(S230), and a step for setting up the equalizer for the audio data based on the sound field effect file(S240).

    Abstract translation: 提供了一种用于在媒体文件播放器中设置均衡器的方法及其装置,用于为每个媒体文件建立最佳均衡器,并在另一播放器中以相同的均衡器值再现媒体文件。 媒体文件播放器的媒体文件再现方法包括从媒体文件中的固定位置读取包括声场效果文件的位置的映射信息的步骤(S220),搜索声音效果文件以进行媒体文件的步骤 参照映射信息(S230),以及基于声场效应文件设定用于音频数据的均衡器的步骤(S240)。

    펌웨어 업그레이드 시스템 및 그 제어방법
    28.
    发明公开
    펌웨어 업그레이드 시스템 및 그 제어방법 无效
    固件升级系统及其控制方法

    公开(公告)号:KR1020080103889A

    公开(公告)日:2008-11-28

    申请号:KR1020070087716

    申请日:2007-08-30

    CPC classification number: G06F3/0237 G06F3/123

    Abstract: A firmware upgrade system capable of upgrading a version of firmware by automatically searching the firmware of the new version and a control method thereof are provided to upgrade the firmware by periodically connecting a server through an administrator program and automatically searching the firmware of the new version. A user terminal(110) automatically generates search command signal for searching the electrical device firmware of a new version. A server(120) searches whether there is the electric device firmware of the new version if the search command signal is transmitted. The server transmits the electric device firmware of the new version to the user terminal if there is electric device firmware of the new version.

    Abstract translation: 提供能够通过自动搜索新版本的固件来升级固件版本的固件升级系统及其控制方法,以通过管理员程序周期性地连接服务器并自动搜索新版本的固件来升级固件。 用户终端(110)自动生成用于搜索电子设备固件的新版本的搜索命令信号。 如果搜索命令信号被发送,则服务器(120)搜索是否存在新版本的电子设备固件。 如果有新版本的电子设备固件,服务器将新版本的电子设备固件发送到用户终端。

    셀프리프레시 주기의 프로그래밍이 가능한 반도체 메모리장치
    30.
    发明授权
    셀프리프레시 주기의 프로그래밍이 가능한 반도체 메모리장치 失效
    可编程自我修复期的半导体存储器件

    公开(公告)号:KR1019950010139B1

    公开(公告)日:1995-09-07

    申请号:KR1019930010315

    申请日:1993-06-08

    Inventor: 최도찬 전동수

    Abstract: The refresh cycle selecting circuit of a semiconductor memory device comprises a fuse cutting unit for supplying a fuse cutting voltage applied via an external input pin to the fuse, thereby applying a control signal for designating the operation of the fuse cutting unit via the external input pin.

    Abstract translation: 半导体存储器件的刷新周期选择电路包括熔丝切割单元,用于将经由外部输入引脚施加的熔丝切割电压提供给熔丝,从而通过外部输入引脚施加用于指示熔丝切割单元的操作的控制信号 。

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