公开(公告)号：KR101143005B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020050049614

申请日：2005-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종안 ,  한지행 ,  정영배 ,  정배현

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F1/28 ,  G03F1/32 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14689 ,  H01L51/56

Abstract: An exposure mask is provided, which includes: a light blocking opaque area blocking incident light; a translucent area; and a transparent area passing the most of incident light, wherein the translucent area generates the phase differences in the range of about −70° to about +70°.

公开(公告)号：KR1020080022917A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：KR1020060086744

申请日：2006-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최호근 ,  정배현 ,  김용우

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67253

Abstract: An etchant supplying device, an etching apparatus and an etching method are provided to uniformly etch a glass substrate by supplying a control component according to a measured result obtained by a condensation measuring unit. An etchant supplying device supplies an etchant containing composite consisting of water, hydrofluoric acid, and inorganic acid to an etching apparatus for etching a glass substrate in an etching bath. An etchant tank(210) receives the etchant used in the etching bath. The etchant is supplied from the etchant tank to the etchant bath by an etchant transfer unit. A concentration measuring unit(220) measures a concentration of a control component among the components in the etchant in the etchant tank. A component supply unit(230) supplies the respective control component to the etchant tank.

Abstract translation: 提供蚀刻剂供给装置，蚀刻装置和蚀刻方法，以通过根据由冷凝测量单元获得的测量结果提供控制部件来均匀地蚀刻玻璃基板。 蚀刻剂供给装置将由水，氢氟酸和无机酸组成的含蚀刻剂的复合材料提供给用于在蚀刻槽中蚀刻玻璃基板的蚀刻装置。 蚀刻槽（210）接受在蚀刻槽中使用的蚀刻剂。 蚀刻剂由蚀刻剂槽通过蚀刻剂转移单元供应到蚀刻液。 浓度测量单元（220）测量蚀刻剂槽中的蚀刻剂中的组分中的控制组分的浓度。 部件供应单元（230）将各个控制部件供应到蚀刻槽。

公开(公告)号：KR1020070040565A

公开(公告)日：2007-04-17

申请号：KR1020050096061

申请日：2005-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정배현 ,  최원우 ,  김용우 ,  최호근

IPC: G02F1/1341

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1341 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 박막 패턴이 형성된 상부 기판과 하부 기판을 접합하는 단계와, 접합된 두 기판의 가장자리 영역의 적어도 일부를 실링하는 단계와, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장지의 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 상부 기판과 하부 기판을 접합한 다음, 접합된 상부 기판과 하부 기판의 가장자리 영역에 실링 부재를 마련하여 후속 기판 식각 공정시 접합된 두 기판 사이 영역으로 슬러지 및 식각액의 침투를 방지할 수 있다.
기판, 접합, 실링부재, 식각액, 기판 식각, 가장자리

公开(公告)号：KR1020060084589A

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020050005305

申请日：2005-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조능호 ,  김성욱 ,  박용길 ,  정배현 ,  채동엽 ,  최연수

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: The present invention provides a method of manufacturing a TFT array panel in a cost-effective manner. The method includes: forming thin film transistors each having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode; forming an insulating layer on the thin film transistors; forming a first conductive layer electrically connected to the drain electrodes on the insulating layer; forming a second conductive layer on the first conductive layer; forming a photoresist layer including first portions and second portions thinner than the first portions; selectively etching the second conductive layer with a first etchant by using the photoresist layer as an etch blocker; and selectively etching the first conductive layer with a second etchant by using the photoresist layer and the second conductive layer as etch blockers.

公开(公告)号：KR1020060071024A

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020040109915

申请日：2004-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상권 ,  정배현 ,  조능호 ,  이재형

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/41733 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78696

Abstract: 신뢰성이 향상된 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 박막 트랜지스터는 제1 도전 라인, 반도체 패턴, 제2 도전 라인 및 제3 도전 라인을 포함한다. 제1 도전 라인은 기판 상에 배치되며 제1 반도체 패턴부 및 제2 반도체 패턴부는 각각 채널 패턴부로부터 연장된다. 제2 도전 라인은 제1 반도체 패턴부 및 채널 패턴부의 일부에 형성되며, 제1 반도체 패턴부의 제1 폭과 실질적으로 동일한 제2 폭을 갖는다. 박막 트랜지스터의 제조 방법은 반도체 패턴의 형성 전에 포토레지스트 패턴을 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 표시장치는 박막트랜지스터를 갖는 제1 표시기판, 제2 표시기판 및 액정층을 포함한다. 따라서, 박막 트랜지스터의 신뢰성이 향상되고, 표시장치의 화질이 향상된다.
표시장치, 박막 트랜지스터, 반도체 패턴, 도전 라인, 식각, 폭

公开(公告)号：KR100170739B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019960004062

申请日：1996-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오병일 ,  정배현 ,  박성수

IPC: B41J2/235

Abstract: 세라믹 기판과 방열판과의 열전도성을 개선할 수 있도록 균일한 두께를 갖는 접착 수단을 개재하여, 소자의 고속 동작시 방열 특성이 양호한 감열 기록 소자에 대하여 기재되어 있다. 이는 그 상부의 소정부에 발열 저항체가 형성되고, 인쇄 회로 기판(PCB)과 배선을 형성한 세라믹 기판, 세라믹 기판 및 인쇄 회로 기판의 발열 저항체가 형성된 배면에 부착된 방열판, 세라믹 기판과 방열판 간극의 소정 부위에 발열 저항체로부터 발생한 열을 방열판으로 전도하기 위하여 개재된 열전도성 물질 및 열전도성 물질이 형성된 간극 영역 외의 간극 영역에 세라믹 기판을 방열판에 부착시키기 위하여 개재된 필름을 구비하는 것을 특징으로 하는 감열 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019920007534B1

公开(公告)日：1992-09-05

申请号：KR1019900005650

申请日：1990-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정배현

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/00 ,  H01L27/08

Abstract: The method comprises the steps of forming a resistive film (33) and a wiring film (34) on a substrate (50), etching the desired portion of wiring film by using a photolithographic method to form a resistive heating element (35), forming a protection film (38) on the wiring film adjecent to the element (35), forming a thick conduction film (39) on the wiring film formed on the required region of the substrate (50), and forming a common wiring soldering part (40) on the film (39). The film (39) is formed by using a silver polymer paste. The method minimizes the internal resistance of the common wiring because the common wiring is formed as the thick Pb film by a dipping method.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在衬底（50）上形成电阻膜（33）和布线膜（34），用光刻法蚀刻所需的布线膜部分以形成电阻加热元件（35），形成 在与所述元件（35）相邻的所述布线膜上的保护膜（38），在形成在所述基板（50）的所需区域上的布线膜上形成厚导电膜（39），以及形成公共布线焊接部 40）在胶片（39）上。 通过使用银聚合物糊形成膜（39）。 由于通过浸渍法将普通布线形成为厚Pb膜，所以该方法使公共布线的内部电阻最小化。