公开(公告)号：KR100483846B1

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：KR1020020062652

申请日：2002-10-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  최백순 ,  임영철 ,  배은미 ,  장옥석

IPC: H01L21/027

Abstract: 신규한 신너 조성물 및 이 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트 및 감마-부티로 락톤(gamma-butyro lactone)으로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트 및 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑 할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.

公开(公告)号：KR100476933B1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1020020061718

申请日：2002-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최삼종 ,  김기정 ,  조규철 ,  김연숙 ,  한신혁 ,  정회식

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 식별 표시를 갖는 반도체 웨이퍼를 제공한다. 이 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 식별 표시가 기록되는 마킹 영역을 구비하고, 그 측면은 상부 측면 및 하부 측면으로 구분된다. 이때, 하부 측면에는 상부 측면보다 넓은 폭을 갖는 넓은 영역이 배치되고, 상기 마킹 영역은 상기 넓은 영역에 배치되는 것을 특징으로 한다. 이를 위해, 반도체 웨이퍼의 단면은 비대칭적 모양, 즉 넓은 영역은 상부 측면보다 폭은 넓고 두께는 두껍다.

公开(公告)号：KR1020050017610A

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：KR1020040117880

申请日：2004-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  전미숙 ,  배은미 ,  최백순 ,  장옥석

IPC: G03F7/42

Abstract: PURPOSE: Provided are thinner composition and method for stripping photoresist on substrate, for selectively stripping photoresist on edge and rear side of substrate, and for stripping photoresist over entire portion of substrate using the same with economical expense. CONSTITUTION: The thinner composition comprises 42-90 wt.% of acetic ester compound, 1-13 wt.% of gamma-butyrolactone and 5-45 wt.% of polyhydric alcohol derivative. The stripping method comprises steps of preparing the thinner composition(S10); injecting and contacting(S14) the thinner composition on substrate and/or edge or rear side of the substrate coated with photoresist(S12) to strip the photoresist; and drying the contacted thinner composition(S16).

Abstract translation: 目的：提供用于剥离基底上的光致抗蚀剂的较薄的组合物和方法，用于选择性地剥离基底的边缘和背面上的光致抗蚀剂，并且以经济的费用以相同方式剥离光致抗蚀剂的整个部分。 构成：较薄的组合物包含42-90重量％的乙酸酯化合物，1-13重量％的γ-丁内酯和5-45重量％的多元醇衍生物。 剥离方法包括制备较薄组合物的步骤（S10）; 在涂覆有光致抗蚀剂的基板（S12）的基板和/或边缘或后侧上注入和接触（S14）更薄的组合物以剥离光致抗蚀剂; 并干燥所接触的稀释剂组合物（S16）。

公开(公告)号：KR1020040032529A

公开(公告)日：2004-04-17

申请号：KR1020020061718

申请日：2002-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최삼종 ,  김기정 ,  조규철 ,  김연숙 ,  한신혁 ,  정회식

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A semiconductor wafer having an identification indication is provided to be capable of effectively using the surface area of the semiconductor wafer and minimizing the particle failure due to the non-uniform shape of the identification indication. CONSTITUTION: A semiconductor wafer includes a marking region(200) for forming a wafer identification indication(300). A lower side(124) has a larger surface area than that of the upper side(122). The marking region is located at the lower side. Preferably, the sectional surface of the semiconductor wafer is asymmetrically formed. Preferably, the lower side has a larger thickness than that of the upper side. Preferably, the lower side is formed on the whole peripheral portion of the semiconductor wafer.

Abstract translation: 目的：提供具有识别指示的半导体晶片，以能够有效地使用半导体晶片的表面积，并且由于识别指示的不均匀形状使粒子失效最小化。 构成：半导体晶片包括用于形成晶片识别指示（300）的标记区域（200）。 下侧（124）具有比上侧（122）更大的表面积。 标记区域位于下侧。 优选地，半导体晶片的截面不对称地形成。 优选地，下侧具有比上侧更大的厚度。 优选地，下侧形成在半导体晶片的整个周边部分上。

公开(公告)号：KR1020010087022A

公开(公告)日：2001-09-15

申请号：KR1020000011083

申请日：2000-03-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유남희 ,  이창호 ,  윤상웅 ,  정회식

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An organic anti-reflection layer composite of a semiconductor device is provided to be capable of enhancing the profile of an interface between a following photoresist layer and an anti-reflection layer by forming an anti-reflection layer including at least two TAGs(thermal acid generators). CONSTITUTION: The organic anti-reflection layer composite comprises a cross-linker(204), a monomer(206) including a chromophore, and at least two TAGs(208,210) which operational temperature ranges are different from each other. In this state, one of the TAGs(208,210) having an operational temperature range including a bake process temperature is decomposed during a bake process to separate acid catalyst promoting cross-linking reaction between the cross-linker(204) and the monomer(206). Preferably, the acid catalyst is hydrogen ions.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的有机抗反射层复合材料，其能够通过形成包括至少两个TAG（抗热反射层）的抗反射层，来提高随后的光致抗蚀剂层和抗反射层之间的界面的轮廓 酸发生器）。 构成：有机抗反射层复合物包含交联剂（204），包含发色团的单体（206）和至少两个操作温度范围彼此不同的TAG（208,210）。 在这种状态下，在烘烤过程中分解具有包括烘烤过程温度的操作温度范围的一个TAG（208,210），以分离交联剂（204）和单体（206）之间促进酸催化剂交联反应的酸催化剂， 。 优选地，酸催化剂是氢离子。

公开(公告)号：KR1020010077101A

公开(公告)日：2001-08-17

申请号：KR1020000004679

申请日：2000-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정회식 ,  윤상웅 ,  김영선

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091 ,  G03F7/34

Abstract: PURPOSE: Provided is a photoresist striper composition containing ethyl lactate and an organic solvent, which can remove photoresist effectively and fast from a substrate such as a silicon wafer. CONSTITUTION: The photoresist striper composition comprises the ethyl lactate(EL) and one organic solvent selected from the group consisting of n-butyl acetate(NBA), propylene glycol methyl ether acetate(PGMEA), and propylene glycol monomethyl ether(PGME) in the weight ratio of 1-9:9-1 or the EL and two organic solvent selected from the group consisting of the NBA, the PGMEA, and the PGME in the weight ratio of 1-8:1-8:1-8.

Abstract translation: 目的：提供含有乳酸乙酯和有机溶剂的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其可以有效地从诸如硅晶片的基底去除光致抗蚀剂。 构成：光致抗蚀剂剥离剂组合物包含乳酸乙酯（EL）和选自乙酸正丁酯（NBA），丙二醇甲基醚乙酸酯（PGMEA）和丙二醇单甲基醚（PGME））中的一种有机溶剂 重量比为1-9：9-1或EL和选自NBA，PGMEA和PGME的两种有机溶剂，其重量比为1-8：1-8：1-8。

公开(公告)号：KR1020010073700A

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：KR1020000002480

申请日：2000-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정회식 ,  윤상웅 ,  김영선

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397

Abstract: PURPOSE: A photoresist stripper composition is provided for efficiently and speedily removing photoresist from failed wafers or test wafers without causing damage or contamination to the substrate film by comprising particular solvents in the composition. CONSTITUTION: The photoresist stripper composition comprise a mixture comprising two components or more consisting of GBL(gamma-butyrolactone) as a main component and at least one solvent selected from NBA(n-butyl acetate), PGMEA(propylene glycol methyl ether acetate) and/or PGME(propylene glycol monomethyl ether) in a weight ratio of 1-9:9-1. The composition is introduced to a wafer rotating at 1000-3000 rpm by a spin coater for 1-5 minutes to remove the photoresist coated on the wafer. The photoresist removed wafer can be applied in the working process as it is or after baking treatment of the wafer at 80-130 deg.C for 60-120 second.

Abstract translation: 目的：提供光致抗蚀剂剥离剂组合物，用于通过在组合物中包含特定溶剂来有效且快速地从失效的晶片或测试晶片上除去光致抗蚀剂而不会对基材膜造成损伤或污染。 构成：光致抗蚀剂剥离剂组合物包括由以GBL（γ-丁内酯）为主要成分和至少一种选自NBA（乙酸正丁酯），PGMEA（丙二醇甲醚乙酸酯）和 /或PGME（丙二醇单甲醚），重量比为1-9：9-1。 将组合物通过旋转涂布机引入旋转1000-3000rpm的晶片1-5分钟以除去涂覆在晶片上的光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂去除的晶片可以在工作过程中直接施加或在80-130℃下对晶片进行烘烤处理60-120秒。

公开(公告)号：KR100250637B1

公开(公告)日：2000-04-01

申请号：KR1019970000130

申请日：1997-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정진항 ,  정회식

IPC: H01L21/312

CPC classification number: H01L21/312 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02118

Abstract: PURPOSE: A method for priming a wafer by dihydropyran is provided to prevent the generation of a harmful byproduct when forming an organic layer on a wafer. CONSTITUTION: A dihydropyran as a primer is primed on a surface of a wafer under non-oxygen condition before coating a photoresist to manufacture a semiconductor device. The non oxygen condition is an air current condition formed as a gas such as helium or nitrogen. The dihydropyran is bubbled by a nitrogen gas and moved to a wafer under a vacuum depression condition. The wafer is reacted with the dihydropyran. The wafer is heated previously under a temperature of 30 deg.C to 200 deg.C.

Abstract translation: 目的：提供一种通过二氢吡喃引发晶片的方法，以防止在晶片上形成有机层时产生有害的副产物。 构成：在涂覆光致抗蚀剂以制造半导体器件之前，在非氧条件下将作为底漆的二氢吡喃引发在晶片的表面上。 非氧气条件是形成为诸如氦气或氮气的气体的气流条件。 将二氢吡喃用氮气鼓泡并在真空抑制状态下移动到晶片。 晶片与二氢吡喃反应。 预先将晶片在30℃至200℃的温度下加热。

公开(公告)号：KR1019980065253A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000130

申请日：1997-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정진항 ,  정회식

IPC: H01L21/312

Abstract: 본 발명은 친수성의 웨이퍼 표면을 소수성으로 하고, 포토레지스트의 웨이퍼에의 접착력을 증대시키는 프라이머로서 디하이드로피란에 의한 웨이퍼 프라임 방법 및 웨이퍼 프라임용 디하이드로피란에 관한 것이다.
본 발명에 따른 디하이드로피란에 의한 웨이퍼 프라임 방법은 반도체 장치의 제조를 위한 포토레지스트의 코팅 전에 웨이퍼의 표면을 프라임하는 프라이머로서 디하이드로피란을 사용하는 것으로 이루어진다.
따라서, 디하이드로피란과 웨이퍼 표면 간의 부가반응에 의하여 반응부산물이 발생되지 않도록 하면서 프라이머로서 디하이드로피란을 웨이퍼 표면에 적용시킴으로써 강제적인 배기가 필요없는 프라이머공정을 가능하게 하며, 특히, 종래의 헥사메틸디실라잔을 프라이머로 사용하는 경우에서와 같이 유독한 암모니아가스를 발생시키지 않기 때문에 환경오염을 방지함과 동시에 반응부산물에 의한 웨이퍼의 재오염을 근원적으로 예방토록 함으로써 반도체 장치의 수율을 증대시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980065180A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000029

申请日：1997-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  정회식

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 노광공정용 광분석 시스템은, 광원, 렌즈, 프리즘, 거울 등을 구비하여 정제된 다경로의 빛을 만드는 DPA부와 상기 다경로의 빛을 받게 될 샘플 셀이 비치되는 DSC부로 이루어지는 반도체 노광공정용 광분석 시스템에 있어서, DPA부에서 나온 복수 경로의 빛이 DSC부로 진입하기 전에 어테뉴에이터(Attenuator)를 거치도록 하고, 외부의 빛이 들어오는 것을 막기 위해, DPA부와 DSC부 사이의 경로를 폐쇄적으로 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빛의 세기변화에 따른 포토레지스트의 광화학반응을 분석할 수 있고, 포토레지스트의 평가 및 필드에서 발생할 수 있는 포토레지스트 프로파일, 해상도, DOF, 균일성 등을 평가하여 공정의 질을 개선할 수 있다는 이점이 있다.