公开(公告)号：KR1020080065455A

公开(公告)日：2008-07-14

申请号：KR1020070002604

申请日：2007-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구태형 ,  조규철 ,  김희성 ,  최수열 ,  한신혁 ,  박숙현 ,  차혜진 ,  주현희

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for polishing a substrate is provided to reduce the quantity of used slurry by adjusting the flow of slurry. A substrate maintaining hole for receiving a substrate is formed in a substrate carrier(10). A first platen is disposed to confront one surface of the substrate carrier. A first polishing pad is attached to one surface of the first platen confronting one surface of the substrate carrier. A slurry supply apparatus supplies slurry to one surface of the substrate. A first flow path through which the slurry flows is formed in one surface of the substrate carrier confronting the first platen. The first flow path can be of a radial shape extended from the center of the substrate carrier to the edge of the substrate carrier.

Abstract translation: 提供一种用于抛光基底的装置，通过调节浆料的流动来减少使用的浆料的量。 在衬底载体（10）中形成用于接收衬底的衬底维持孔。 第一压板被设置成面对衬底载体的一个表面。 第一抛光垫附接到面对基板载体的一个表面的第一压板的一个表面。 浆料供给装置将浆料供给到基板的一个表面。 浆料流过的第一流动路径形成在与第一压板相对的基板载体的一个表面中。 第一流路可以是从基板载体的中心延伸到基板载体的边缘的径向形状。

公开(公告)号：KR1020070007495A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：KR1020050062151

申请日：2005-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강태수 ,  조규철 ,  김희성 ,  최수열 ,  박영수 ,  차혜진 ,  한신혁

IPC: H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/324

Abstract: A method for fabricating a silicon wafer is provided to increase the density of vacancy in the bulk of a silicon wafer and improve the density of BMD(bulk micro defect) by depositing a material layer like silicon nitride on the back surface of the silicon wafer and by applying compressive stress to the back surface of the silicon wafer. A material layer is deposited on the back surface of a silicon wafer to apply tensile stress to the front surface of the silicon wafer(S105). An RTA process is performed to generate vacancies in the silicon wafer(S110). A heat treatment is performed on the silicon wafer to deposit an oxygen BMD in the silicon wafer(S115). The material layer is made of a material for applying compressive stress to the back surface of the silicon wafer.

Abstract translation: 提供一种制造硅晶片的方法，以通过在硅晶片的背表面上沉积诸如氮化硅的材料层来提高硅晶片本体中的空位密度并提高BMD的密度（体微缺陷），以及 通过对硅晶片的背面施加压缩应力。 材料层沉积在硅晶片的背表面上以向硅晶片的前表面施加拉伸应力（S105）。 执行RTA处理以在硅晶片中产生空位（S110）。 在硅晶片上进行热处理以在硅晶片中沉积氧气BMD（S115）。 材料层由用于向硅晶片的背面施加压应力的材料制成。

公开(公告)号：KR100506814B1

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：KR1020030002586

申请日：2003-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김연숙 ,  조규철 ,  한신혁 ,  최삼종

IPC: H01L21/304

Abstract: 웨이퍼의 표면을 연마하기 위한 장치에 있어서, 웨이퍼는 상부 연마 테이블과 하부 연마 테이블 사이에 개재되며, 다수의 에지 연마 블록은 웨이퍼의 측면과 마주보도록 배치된다. 에지 연마 블록에는 웨이퍼 측면의 형상 프로파일을 균일하게 하기 위한 원형 그루브가 형성되어 있다. 웨이퍼의 측면 연마 공정을 수행하는 동안 웨이퍼는 상부 연마 테이블 및 하부 연마 테이블에 밀착되어 지지되며, 웨이퍼의 측면은 다수의 에지 연마 블록의 회전에 의해 연마된다. 웨이퍼의 전면 및 이면을 연마하는 공정을 수행하는 동안 웨이퍼는 다수의 에지 연마 블록에 밀착되어 지지되며, 웨이퍼의 전면 및 이면은 상부 및 하부 연마 테이블의 회전에 의해 연마된다. 따라서, 웨이퍼의 전면, 이면 및 측면에 대한 연마 공정이 하나의 연마 장치에 의해 수행될 수 있으며, 균일한 웨이퍼 측면의 형상 프로파일을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070059259A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020050117908

申请日：2005-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구태형 ,  조규철 ,  김희성 ,  한신혁 ,  주현희 ,  김연숙

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67742 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/68707

Abstract: A semiconductor substrate transferring apparatus is provided to safely transfer the semiconductor substrate along a set path and accurately guide the substrate on a set portion of substrate processing equipment. A blade(130) extends from a transfer arm(120) for transferring a semiconductor substrate, and supports the semiconductor substrate in a horizontal direction. A light emitting part(140) is disposed on one side of the blade to illuminate light in a horizontal direction crossing a transfer path of the semiconductor substrate. A light receiving part(150) is disposed opposite to the light emitting part to generate an electric signal according to the light interfered or illuminated by passage of the semiconductor substrate. A drive part(110) adjusts an angle of the blade.

Abstract translation: 半导体衬底传送装置被设置为沿着设定路径安全地传送半导体衬底，并且将衬底精确地引导到衬底处理设备的设置部分上。 刀片（130）从用于传送半导体衬底的传送臂（120）延伸，并且在水平方向上支撑半导体衬底。 发光部分（140）设置在叶片的一侧上以照射与半导体衬底的传送路径交叉的水平方向的光。 光接收部分（150）与发光部分相对设置，以根据半导体衬底通过的干扰或照亮的光产生电信号。 驱动部分（110）调节叶片的角度。

公开(公告)号：KR100636011B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020000056457

申请日：2000-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김기정 ,  최삼종 ,  한신혁

IPC: H01L21/66

Abstract: 웨이퍼(100)가 놓여지는 XYZ-스테이지(104), 그 끝부분에 탐침(118a)을 갖는 캔틸레버(118)를 포함하고 상기 웨이퍼(100) 상의 결함(106) 형태를 측정하기 위해 상기 웨이퍼(100)의 표면을 따라 상기 캔틸레버(118)를 스캐닝하는 원자현미경(122), 상기 웨이퍼(100)를 관찰하기 위한 전하결합소자 카메라(112), 및 상기 웨이퍼(100) 표면에 대해 비스듬하게 레이저 광선을 조사하기 위한 레이저 광원(108)을 갖는 결함 검출장치가 개시되어 있다. 상기 전하결합소자 카메라(112)에 다크 필드(120)를 설치하여 영상 발생 부위가 밝은 점으로 보이는 다크 상태에서 상기 웨이퍼(100)를 관찰하고, 상기 레이저 광원(108)은 주기적인 신호에 따라 상기 레이저 광선을 발산한다. 웨이퍼 상의 결함 검출에 대한 감도를 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100517406B1

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：KR1020030046646

申请日：2003-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한신혁 ,  조규철 ,  최삼종 ,  김연숙 ,  전태훈

IPC: H01L21/68

Abstract: 보다 안정적인 그립(grip)을 통해 상기 웨이퍼의 이탈에 의한 파손을 줄이고, 그립핀의 수를 줄여 웨이퍼의 오염이 감소하도록 하는 웨이퍼 그립장치가 개시된다. 노치 그립핀은 웨이퍼의 노치 입구의 너비보다 좁은 너비를 가지며 상기 노치 내면 상에 접촉하기 위한 노치접촉부를 포함한다. 하나 이상의 에지 그립핀이 상기 웨이퍼의 에지에 접촉되기 위해 구비된다. 실린더는 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀을 부착하며, 상기 노치 그립핀 및 상기 에지 그립핀 사이의 거리를 조절한다. 따라서, 반도체 제조공정 중에 웨이퍼를 보다 안정적으로 그립하고, 웨이퍼의 오염이나 파티클(particle)로 인한 불량의 발생이 줄어들게 되어, 작업의 효율성 및 신뢰성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020040103222A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020030035156

申请日：2003-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최삼종 ,  김기정 ,  강태수 ,  조규철 ,  김연숙 ,  한신혁

IPC: H01L21/322

Abstract: PURPOSE: A wafer having denuded zone for controlling a thickness thereof according to kinds of main defects, a fabricating method thereof, and an apparatus for polishing a wafer are provided to improve the uniformity of the thickness of the wafer by improving a polishing method. CONSTITUTION: A wafer-shaped substrate(100) is formed from a single-crystalline-grown silicon ingot. An intrinsic gettering region(220) including an oxygen precipitate is formed in a predetermined depth from a surface of the wafer-shaped substrate. A denuded zone(200) is formed between the wafer-shaped substrate and the intrinsic gettering region and has a predetermined thickness corresponding to diffusivity of main defects in a semiconductor fabrication process.

Abstract translation: 目的：提供具有根据主要缺陷的种类来控制其厚度的剥离区域的晶片，其制造方法和用于抛光晶片的装置，以通过改进抛光方法来提高晶片厚度的均匀性。 构成：晶片状基板（100）由单晶生长硅锭形成。 包含氧沉淀物的固有吸气区域（220）从晶片形衬底的表面形成在预定深度。 在晶片状基板和本征吸气区域之间形成有裸露区域（200），并且具有对应于半导体制造工艺中的主要缺陷的扩散率的预定厚度。

公开(公告)号：KR1020050006720A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020030046646

申请日：2003-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한신혁 ,  조규철 ,  최삼종 ,  김연숙 ,  전태훈

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus for gripping a wafer is provided to reduce contamination of a wafer by reducing wafer damage caused by separation of the wafer through a more stable grip and by decreasing the number of grip pins. CONSTITUTION: A notch grip pin(204c) has a width smaller than the entrance of the notch(202) of a wafer(200), including a notch contact part for coming in contact with the inner surface of the notch. At least one edge grip pin(206a) comes in contact with the edge of the wafer. The notch grip pin and the edge grip pin are attached to a distance control unit that controls the distance between the notch grip pin and the edge grip pin.

Abstract translation: 目的：提供一种用于夹持晶片的装置，通过减少由更稳定的把手分离晶片而造成的晶片损坏，以及通过减少夹紧销的数量来减少晶片的污染。 构成：凹口夹紧销（204c）的宽度小于晶片（200）的凹口（202）的入口的宽度，包括用于与凹口的内表面接触的切口接触部分。 至少一个边缘夹持销（206a）与晶片的边缘接触。 凹口夹紧销和边缘抓持销连接到距离控制单元，该距离控制单元控制凹口夹紧销和边缘夹紧销之间的距离。

公开(公告)号：KR1020040065587A

公开(公告)日：2004-07-23

申请号：KR1020030002586

申请日：2003-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김연숙 ,  조규철 ,  한신혁 ,  최삼종

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A wafer polishing apparatus is provided to polish simultaneously an upper side, a lower side, and a lateral part of a wafer by using only one wafer polishing device. CONSTITUTION: A wafer polishing apparatus includes a lower polishing table, an upper polishing table, and a plurality of edge polishing blocks. The lower polishing table(120) includes a lower polishing pad(122) to polish a lower side of a wafer. The upper polishing table(110) includes an upper polishing pad(112) to polish an upper side of the wafer. The edge polishing blocks(130) include plural edge polishing pads in order to polish a lateral part of the wafer. The edge polishing blocks are close to the lateral part of the wafer when the upper side and the lower side of the wafer are polished by the upper and the lower polishing tables. The upper side and the lower side of the wafer are close to the upper side and the lower side of the wafer when the lateral part of the wafer is polished by the edge polishing blocks.

Abstract translation: 目的：提供晶片抛光装置，通过仅使用一个晶片抛光装置同时抛光晶片的上侧，下侧和侧面部分。 构成：晶片抛光装置包括下抛光台，上抛光台和多个边缘抛光块。 下抛光台（120）包括用于抛光晶片下侧的下抛光垫（122）。 上抛光台（110）包括用于抛光晶片上侧的上抛光垫（112）。 边缘抛光块（130）包括多个边缘抛光垫，以便抛光晶片的侧面部分。 当晶片的上侧和下侧通过上下抛光台抛光时，边缘抛光块靠近晶片的侧部。 当晶片的侧面部分被边缘抛光块抛光时，晶片的上侧和下侧靠近晶片的上侧和下侧。

公开(公告)号：KR1020030059640A

公开(公告)日：2003-07-10

申请号：KR1020020000238

申请日：2002-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한신혁 ,  조규철 ,  허태열 ,  최삼종 ,  김연숙 ,  박준석 ,  김기정 ,  최수열

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A manual tweezer is provided to be capable of stably holding a wafer though the diameter of the wafer is large by supporting the wafer at three contact points. CONSTITUTION: A manual tweezer(30) is capable of supporting a wafer(10) at three contact points of the peripheral portion of the wafer. Preferably, the body structure of the manual tweezer is entirely shaped into an alphabet 'Y'. At this time, the body structure of the manual tweezer is divided into a trunk part(32) and a pair of branch parts(35). Preferably, a plurality of grips(34,36) are installed at the center point of the trunk part and at each end point of the branch parts for stably holding the wafer. Preferably, the each grip installed at the branch parts is fixed and the grip installed at the trunk part is capable of being controlled. Preferably, the manual tweezer is made of Teflon except the handle part(33).

Abstract translation: 目的：提供手动镊子，通过在三个接触点处支撑晶片，通过晶片的直径大，能够稳定地保持晶片。 构成：手动镊子（30）能够在晶片的周边部分的三个接触点处支撑晶片（10）。 优选地，手动镊子的身体结构完全成形为字母“Y”。 此时，手动镊子的身体结构被分成躯干部分（32）和一对分支部分（35）。 优选地，多个夹具（34,36）安装在主体部分的中心点处并且在分支部件的每个端部处，以稳定地保持晶片。 优选地，安装在分支部分处的每个把手是固定的，并且能够控制安装在躯干部分的把手。 优选地，除了手柄部分（33）之外，手动镊子由特氟隆制成。