公开(公告)号：KR101522903B1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020090004874

申请日：2009-01-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  동우 화인켐 주식회사

Inventor： 이안호 ,  최백순 ,  안승현 ,  김상태 ,  김용일 ,  성시진 ,  이경호

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42

Abstract: 다양한감광성물질에대하여향상된용해도를지니고감광막제조의여러공정단계에적용될수 있는신너조성물및 이를이용한감광막의형성방법에있어서, 신너조성물은프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 50 내지 90중량%, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 1 내지 20중량%, 감마부티로락톤 1 내지 10중량% 및노말부틸아세테이트 1 내지 20중량%를포함한다. 신너조성물은여러감광성물질에대한우수한용해도와적절한휘발도를지니고있어, 에지비드제거공정, 리워크공정또는감광막형성전에기판을프리웨팅하는공정등에유용하게사용될수 있다.

公开(公告)号：KR1020110112181A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：KR1020100103531

申请日：2010-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  케이피엑스케미칼 주식회사

Inventor： 강동민 ,  배동찬 ,  안승현 ,  조규철 ,  최백순 ,  김고은 ,  박명국

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/306

Abstract: 본 발명은 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용한 반도체 제조 공정을 제공한다. 이 조성물은 디메틸설폭사이드(Dimethyl sulfoxide)를 60~90 중량%로, 극성 유기 용매(polar organic solvent)를 10~30 중량%로, 수산화 알킬 암모늄(hydroxy alkyl ammonium)을 0.5~1.5 중량%로, 그리고 하이드록시기를 포함하지 않는 아민(amine containing no hydroxyl group)를 1~10 중량%로 포함한다. 이 조성물은 금속의 부식을 최소화할 수 있고, 포지티브형 포토레지스트 뿐만 아니라 기계적 강도가 향상된 네거티브형 포토레지스트 패턴도 깨끗하게 선택적으로 제거할 수 있다. 또한 본 발명의 개념에 따른 감광성 수지 제거제 조성물은 0℃에서도 결빙되지 않아 추운 겨울철에도 실외에서 운반 및 보관이 가능하다.

公开(公告)号：KR1020110100500A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：KR1020100019538

申请日：2010-03-04

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  솔브레인 주식회사

Inventor： 이안호 ,  임정훈 ,  홍영택 ,  김현탁 ,  박성환 ,  최백순 ,  안승현 ,  이병일

IPC: G03F7/42 ,  C11D11/00

CPC classification number: G03F7/42 ,  G03F7/422 ,  C11D11/0047

Abstract: 본 발명은 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용하는 반도체 제조 방법을 제공한다. 이 감광성 수지 제거제 조성물은 아민 화합물과 탈이온수를 포함하되 탈이온수의 함량이 45~99 중량%이다. 이 감광성 수지 제거제 조성물은 제거 촉진제를 더 포함한다. 이 감광성 수지 제거제 조성물은 경화되거나 변성된 감광성 수지 및 그 부산물을 효과적으로 짧은 시간 안에 제거할 수 있다. 또한 이 감광성 수지 제거제 조성물은 금속에 대한 부식을 최소화할 수 있다.이 감광성 수지 제거제 조성물은 물의 함량이 45~99 중량%로 높아서, 후속의 세정 공정에서 이소프로필 알콜 없이 증류수만을 이용하는 것이 가능하다. 이로써 전체 공정을 단순화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100571721B1

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1020040008678

申请日：2004-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  배은미 ,  최백순 ,  전상문 ,  김대중 ,  윤광섭 ,  박상규 ,  김재호 ,  이시용 ,  김경미 ,  윤여영

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 포토레지스트 등의 용해능 및 EBR 특성을 가지는 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 등의 제거방법이 개시되어 있다. 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 에터 아세테이트와 에틸 락테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 혼합물인 에스터 화합물, 그리고 메틸 2-하이드록시-2-메틸 프로피오네이트를 가진다. 이러한 신너 조성물을 기판 상에 형성된 포토레지스트막 또는 패턴에 적용하여 포토레지스트를 제거한다. 본 발명에 따른 신너 조성물은 다양한 포토레지스트막 및 하부 반사방지막에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성 및 리워크(rework) 특성이 모두 우수하여 포토레지스트의 잔류 문제를 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060005845A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020040054828

申请日：2004-07-14

Applicant: 솔브레인 주식회사 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 이경진 ,  안승현 ,  최백순 ,  백귀종 ,  한웅

IPC: C11D7/08 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  H01L21/02 ,  C23G1/10 ,  C23G1/12

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/106 ,  C23G1/125

Abstract: A metal-containing pattern structure is formed on a semiconductor substrate, and a cleaning composition is applied to the semiconductor substrate. The cleaning composition includes, based on a total weight of the cleaning composition, about 78 wt % to about 99.98 wt % of an acidic aqueous solution, about 0.01 wt % to about 11 wt % of a first chelating agent, and about 0.01 wt % to about 11 wt % of a second chelating agent. The metal-containing pattern structure includes an exposed first surface portion and a second surface portion covered with a polymer. Application of the cleaning solution forms a first corrosion-inhibition layer on the first surface portion of the metal-containing pattern structure, and removes the polymer from the second surface portion of the metal-containing pattern structure.

公开(公告)号：KR100508751B1

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020040117880

申请日：2004-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  전상문 ,  정회식 ,  전미숙 ,  배은미 ,  최백순 ,  장옥석

IPC: G03F7/42

Abstract: 신규한 신너 조성물 및 이 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 8 내지 95중량%, 감마-부티로 락톤 0.1 내지 13중량% 및 비아세트산 에스테르 화합물 3 내지 80중량%로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 42 내지 90중량%, 감마-부티로 락톤 1 내지 13중량% 및 다가 알코올 유도체 5 내지 45중량%로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000067357A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990015090

申请日：1999-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method for collecting a contaminated test sample on a surface of a semiconductor wafer is provided to precisely analyze a degree of contamination of heavy metals included in a silicon nitride layer, by analyzing how much a collected sampling material is contaminated with heavy metals by using a graphite furnace-atomic absorption spectrometer(GF-AAS). CONSTITUTION: A solution for smelting a silicon nitride layer formed on a surface of a semiconductor wafer is contained in a receptacle. The semiconductor wafer is loaded on the receptacle to have the surface of the semiconductor wafer soaked in the solution. The wafer maintains a state that the wafer is loaded on the receptacle for a predetermined interval of time, so that the silicon nitride layer is smelted by the solution. The solution in which the silicon nitride layer is smelted is collected.

Abstract translation: 目的：提供一种用于收集半导体晶片表面污染的测试样品的方法，以通过分析收集的取样材料被重金属污染的多少，以精确分析包含在氮化硅层中的重金属的污染程度 使用石墨炉原子吸收光谱仪（GF-AAS）。 构成：用于熔融形成在半导体晶片的表面上的氮化硅层的解决方案包含在容器中。 将半导体晶片装载在插座上，使半导体晶片的表面浸入溶液中。 晶片维持晶片以预定的时间间隔装载在插座上的状态，使得氮化硅层被溶液熔炼。 收集其中熔融氮化硅层的溶液。

公开(公告)号：KR100203749B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019950051499

申请日：1995-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  정경희

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 웨이퍼상에 형성된 폴리실리콘막내에 있는 금속성분의 량을 측정하여 금속오염의 정도를 측정하는 방법에 관한 것으로서, 시약을 사용하여 상기 폴리실리콘막을 용해하는 단계와; 상기 시약을 전처리하여 매트릭스를 제거하는 단계와; 상기 매트릭스가 제거된 시약을 정량분석하여 극미량의 금속성분을 측정하는 단계를 포함한다. 상술한 측정방법에 의하면, 웨이퍼상에 형성된 폴리실리콘막에 대해서 웨이퍼레벨의 금속오염정도를 극히 정밀하게 분석할 수 있다.

公开(公告)号：KR2019970050333U

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：KR2019960001045

申请日：1996-01-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  이석호

IPC: H01L21/18

Abstract: 반도체장치의기상분해시스템에대해기재되어있다. 이는, 기상분해박스의기상분해박스의제1영역에연결되고, 그중간에유량계측기가설치된질소유입관, 기상분해박스의제2영역에연결되고, 그단부에에어펌퍼가설치된수소플루오르가스분출관및 기상분해박수의제3영역에연결되고, 그단부에에어펌퍼가설치된공기유출관을포함하는것을특징으로한다. 따라서, 기상분해시분해박스로들어가는질소의양을정확하게계측할수 있고, 수소플로오르가스발생량을증대시켜기상분해시간을감소시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1019970053220A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950047178

申请日：1995-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안승현 ,  정경희

IPC: H01L21/66

Abstract: 옥사이드층과 폴리실리콘층에 대한 금속오염 정도를 분석할 수 있는 방법과, 이들을 분해할 수 있는 에천트 및 분해장치와 전처리장치가 개시되어 있다. 본 발명의 분석방법은, 반도체기판상에 차례로 형성된 옥사이드층과 폴리실리콘층을 습식 분해할 수 있는 에천트를 준비하는 단계, 상기 에천트를 사용하여 상기 기판상의 폴리실리콘층과 옥사이드층을 습식 분해하는 단계, 상기 분해된 폴리실리콘층과 옥사이드층으로부터 분석용 샘플을 채취하는 단계, 상기 샘플로부터 매트릭스를 제거하기 위해 전처리하는 단계 및 상기 전처리된 샘플에 대하여 금속오염 정도를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다. 따라서, 옥사이드층과 폴리층에 대한 금속오염 분석이 가능하며, 데이터의 신뢰성이 매우 향상되는 효과가 있다.