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公开(公告)号：KR1020040033526A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：KR1020020062652
申请日：2002-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A thinner composition and a stripping method of photoresist using the same are provided to be capable of obtaining excellent stripping characteristics and reducing the cost of thinner composition. CONSTITUTION: A thinner composition for stripping photoresist is mainly made of propylene glocol monomethyl ether acetate, ethyl 3-ethoxy propionate, and gamma-butyrolactone. Preferably, the contents of the propylene glocol monomethyl ether acetate, the ethyl 3-ethoxy propionate, and the gamma-butyrolactone are 50-80 weight%, 10-45 weight%, and 1-12 weight%, respectively. Preferably, the contents are 53-75 weight%, 12-30 weight%, and 2-10 weight%, respectively. Preferably, the thinner composition further contains surfactant.
Abstract translation: 目的：提供更薄的组合物和使用其的光致抗蚀剂的剥离方法，以能够获得优异的剥离特性并降低较薄组合物的成本。 构成：用于剥离光刻胶的较薄组合物主要由丙烯甘油单甲醚乙酸酯，3-乙氧基丙酸乙酯和γ-丁内酯制成。 丙烯·甘油单甲醚乙酸酯，3-乙氧基丙酸乙酯，γ-丁内酯的含量优选分别为50〜80重量％，10-45重量％，1-12重量％。 优选的含量分别为53-75重量％，12-30重量％和2-10重量％。 优选地，较薄的组合物还含有表面活性剂。
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公开(公告)号：KR1020010038794A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1019990046910
申请日：1999-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111
Abstract: PURPOSE: An etching method using an etching composition for manufacturing semiconductor device is provided to etch a silicon nitride layer at a high rate and to etch the silicon nitride layer even at a high rate when the silicon nitride layer is heated to a low temperature of 130 deg.C, by adding hydrofluoric acid to a phosphorous aqueous solution. CONSTITUTION: A mixed aqueous solution composed of phosphorous acid and hydrofluoric acid is contained in an etching bath, wherein the density of the phosphorous acid is 50-70 wt%. A wafer having a nitride layer is put to the etching bath to make the nitride layer etched by an etching composition.
Abstract translation: 目的：提供使用用于制造半导体器件的蚀刻组合物的蚀刻方法以高速蚀刻氮化硅层，并且即使在将氮化硅层加热至130℃的低温时也以高速率蚀刻氮化硅层 通过向磷酸水溶液中加入氢氟酸。 构成：由磷酸和氢氟酸组成的混合水溶液包含在蚀刻浴中，其中亚磷酸的密度为50-70重量％。 将具有氮化物层的晶片放入蚀刻槽中，以通过蚀刻组合物蚀刻氮化物层。
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公开(公告)号：KR100536044B1
公开(公告)日：2005-12-12
申请号：KR1020020013631
申请日：2002-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
Abstract: 신규한 신너 조성물 및 이 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 8 내지 95중량%, 감마-부티로 락톤 0.1 내지 13중량% 및 비아세트산 에스테르 화합물 3 내지 80중량%로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 42 내지 90중량%, 감마-부티로 락톤 1 내지 13중량% 및 다가 알코올 유도체 5 내지 45중량%로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100327342B1
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1019990046910
申请日：1999-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111
Abstract: 반도체소자제조용질화막의식각조성물및 이식각조성물을이용한식각방법을제공한다. 이에의하면인산및 불산의혼합수용액으로서인산의농도가 50~70중량%인식각조성물을담고있는식각조내에질화막이형성된웨이퍼를투입하여상기식각조성물에의하여질화막이식각되도록한다. 이식각조성물을 130℃이하의저온으로가열한경우에도매우빠른속도로식각하는것이가능하다. 불산의농도가 0.005~0.05 중량%인경우, 질화막자체의식각율을상승시킬뿐 아니라산화막에대한질화막의선택비를매우높게유지시킨다.
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公开(公告)号：KR1020050019064A
公开(公告)日：2005-02-28
申请号：KR1020040117881
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
Abstract: PURPOSE: A method is provided to strip various photoresists by using an inexpensive thinner composition having an excellent stripping property in a rework process and an EBR process. CONSTITUTION: The method contains the steps of: preparing the thinner composition, wherein the thinner composition comprises an acetic acid ester compound, a gamma-butyrolactone, and a non-acetate type ester compound or the thinner composition comprises an acetic acid ester compound, a gamma-butyrolactone, and a polyalcohol derivative; rotating a substrate coated with a photoresist at a first velocity and spraying the thinner composition on the substrate; and drying the thinner composition.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用在返工过程和EBR工艺中具有优异的剥离性能的廉价的较薄组合物来剥离各种光致抗蚀剂的方法。 方案：该方法包括以下步骤：制备较薄的组合物，其中较薄的组合物包含乙酸酯化合物，γ-丁内酯和非乙酸酯型酯化合物，或更薄的组合物包含乙酸酯化合物， γ-丁内酯和多元醇衍生物; 以第一速度旋转涂覆有光致抗蚀剂的基材并将更薄的组合物喷涂在基材上; 并干燥较薄的组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030051129A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020020013631
申请日：2002-03-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
Abstract: PURPOSE: Provided are a thinner composition and a method for stripping photoresist applied using the same, thereby it is possible to strip various kinds of photoresists applied on a substrate. CONSTITUTION: The thinner composition comprises 8 to 95 wt% of acetic acid ester compound, 0.1 to 13 wt% of gamma-butyro lactone and 3 to 80 wt% of a non-acetic acid ester compound. The acetic acid ester compound is at least one selected from the group consisting of normal butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate and isopropyl acetate. The non-acetic acid ester compound is at least one selected from the group consisting of ethyl lactate, ethyl-3-ethoxy propionate and methyl-3-methoxy propionate. Also, the composition may comprise 42 to 90 wt% of normal butyl acetate, 1 to 13 wt% of gamma-butyro lactone and 5 to 45wt% of a polyol derivative.
Abstract translation: 目的：提供一种更薄的组成和一种剥离使用其的光致抗蚀剂的方法，从而可以剥离施加在基底上的各种光致抗蚀剂。 构成：较薄的组合物包含8至95重量％的乙酸酯化合物，0.1至13重量％的γ-丁内酯和3至80重量％的非乙酸酯化合物。 乙酸酯化合物是选自乙酸正丁酯，乙酸戊酯，乙酰乙酸乙酯和乙酸异丙酯中的至少一种。 非乙酸酯化合物是选自乳酸乙酯，3-乙氧基丙酸乙酯和3-甲氧基丙酸甲酯中的至少一种。 此外，组合物可以包含42-90重量％的正丁酸丁酯，1至13重量％的γ-丁内酯和5至45重量％的多元醇衍生物。
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公开(公告)号：KR100571721B1
公开(公告)日：2006-04-17
申请号：KR1020040008678
申请日：2004-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/266 , C11D11/0047
Abstract: ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 포토레지스트 등의 용해능 및 EBR 특성을 가지는 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 등의 제거방법이 개시되어 있다. 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 에터 아세테이트와 에틸 락테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 혼합물인 에스터 화합물, 그리고 메틸 2-하이드록시-2-메틸 프로피오네이트를 가진다. 이러한 신너 조성물을 기판 상에 형성된 포토레지스트막 또는 패턴에 적용하여 포토레지스트를 제거한다. 본 발명에 따른 신너 조성물은 다양한 포토레지스트막 및 하부 반사방지막에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성 및 리워크(rework) 특성이 모두 우수하여 포토레지스트의 잔류 문제를 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100508751B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020040117880
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
Abstract: 신규한 신너 조성물 및 이 신너 조성물을 사용하여 기판 상에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 방법이 개시되어 있다. 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 8 내지 95중량%, 감마-부티로 락톤 0.1 내지 13중량% 및 비아세트산 에스테르 화합물 3 내지 80중량%로 이루어진다. 또한, 상기 신너 조성물은 노말 부틸 아세테이트 42 내지 90중량%, 감마-부티로 락톤 1 내지 13중량% 및 다가 알코올 유도체 5 내지 45중량%로 이루어질 수도 있다. 그리고, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 에지와 이면 부위에 도포되어 있는 포토레지스트를 선택적으로 스트립핑할 수 있다. 또한, 상기 신너 조성물을 사용하여 기판 전면에 도포되어 있는 포토레지스트를 스트립핑할 수도 있다. 저렴한 비용의 신너 조성물을 사용하여 다양한 종류의 포토레지스트를 스트립핑할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000008056A
公开(公告)日：2000-02-07
申请号：KR1019980027702
申请日：1998-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: An apparatus for measuring a pollution level of high purity chemical materials is provided to achieve an analysis of high concentration without affection of impurities. CONSTITUTION: The pollution level measuring apparatus comprises a nebulizer(3) connected to a sample supplying source(1) through a sample inject tube(2); a membrane desolvator(5) for removing a solvent from the vaporized sample in accordance with the nebulizer(3); and an analyzing apparatus(9) for analyzing the isolated solid sample form the membrane desolvator(5). The nebulizer(3) is composed of vessel of cavity enable to heating such as PTFE(poly-tetra-fluoro-ethylene).
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量高纯度化学物质污染水平的设备，以实现高浓度的分析，而不影响杂质。 构成：污染水平测量装置包括通过样品注入管（2）连接到样品供应源（1）的雾化器（3）; 用于根据喷雾器（3）从蒸发的样品中除去溶剂的膜去混合器（5）; 以及分析装置（9），用于分离由膜分离器（5）形成的分离的固体样品。 雾化器（3）由PTFE（聚四氟乙烯）等加热腔构成。
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公开(公告)号：KR1020050080603A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020040008678
申请日：2004-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/266 , C11D11/0047
Abstract: ArF용 포토레지스트를 비롯한 다양한 포토레지스트 및 하부 반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 포토레지스트 등의 용해능 및 EBR 특성을 가지는 신너 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 등의 제거방법이 개시되어 있다. 신너 조성물은 프로필렌 글리콜 에터 아세테이트와 에틸 락테이트, 에틸 3-에톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 혼합물인 에스터 화합물, 그리고 메틸 2-하이드록시-2-메틸 프로피오네이트를 가진다. 이러한 신너 조성물을 기판 상에 형성된 포토레지스트막 또는 패턴에 적용하여 포토레지스트를 제거한다. 본 발명에 따른 신너 조성물은 다양한 포토레지스트막 및 하부 반사방지막에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성 및 리워크(rework) 특성이 모두 우수하여 포토레지스트의 잔류 문제를 해결할 수 있다.
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