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公开(公告)号：KR1020090070025A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070137883
申请日：2007-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027 , H01L21/32
CPC classification number: G01B11/0625 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/32
Abstract: A reflective photomask and a method for optimizing the thicknesses of layers in the same are provided to reduce the height of an absorption stack and reflective stack by supplying a spacer on a reflective area. A substrate(10) comprises a reflective region(RR) and a absorption region(AR), and the reflective layer(20) is formed on the reflective region and the absorption region. An absorbing pattern(50) is formed on the reflective layer of the absorption region, and a spacer(30) is positioned under, upper, and inside reflective layer. The absorption pattern comprises an attenuated phase shift layer.
Abstract translation: 提供反射光掩模和用于优化其中的层的厚度的方法，以通过在反射区域上供应间隔物来减小吸收堆叠和反射堆叠的高度。 基板（10）包括反射区域（RR）和吸收区域（AR），反射层（20）形成在反射区域和吸收区域上。 吸收图案（50）形成在吸收区域的反射层上，并且间隔物（30）位于反射层的下面，上部和内部。 吸收图案包括衰减相移层。
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公开(公告)号：KR1020080090013A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：KR1020070032941
申请日：2007-04-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/62 , G03F1/38 , G03F7/70983
Abstract: A photo-mask and a manufacturing method thereof are provided to correct the registration of the photo-mask by preventing the bending phenomenon generated when a pellicle is attached to the photo-mask and to improve a depth of focus(DOF) in an exposure process. A photo-mask includes a substrate, a light-shielding pattern formed on the substrate, a pellicle(20) attached to the substrate to protect the light-shielding pattern, and a compensation insert to be fill in the space between the substrate and the pellicle. The height of the compensation insert is varied according to the height of a chink where the compensation insert is located.
Abstract translation: 提供了一种光掩模及其制造方法，以通过防止当防护薄膜组件附着到光掩模上时产生的弯曲现象并且在曝光过程中改善焦深（DOF）来校正光掩模的配准 。 光掩模包括基板，形成在基板上的遮光图案，附着在基板上的保护遮光图案的防护薄膜组件（20），以及填充基板与基板之间的空间的补偿插入件 薄膜。 补偿刀片的高度根据补偿刀片所在的铣削高度而变化。
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公开(公告)号：KR1020070051546A
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：KR1020050109253
申请日：2005-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 포토마스크의 제작을 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 이 방법은 마스크 레이아웃 데이터를 이용하여 취약지점 데이터를 준비하고, 마스크 레이아웃 데이터를 이용하여 포토마스크를 제작한 후, 취약지점 데이터에 이용하여 제작된 포토마스크의 에이리얼 이미지를 분석함으로써 중요 지점 데이터를 추출하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100674969B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050032756
申请日：2005-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: EUVL 교호 위상반전 마스크로부터 유도되는 웨이퍼상의 ΔCD 또는 X-현상을 감소시키기 위하여 비위상반전영역에서 반사층에 물리적 충격을 가하여 저반사도 영역을 형성하는 EUVL 교호 위상반전 마스크의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 방법에서는 다중층 구조의 반사층을 구비하는 기판을 준비한다. 상기 반사층의 반사 영역을 노출시키도록 상기 반사층의 상면 중 일부를 덮는 차광막 패턴을 상기 반사층 위에 형성한다. 상기 반사층의 반사 영역 중 위상반전 영역을 식각하여 상기 반사층에 트렌치를 형성한다. 상기 반사층의 반사 영역 중 비위상반전 영역에서 EUV 광의 반사도를 낮추도록 상기 반사층의 구조를 물리적으로 변화시킨다.
EUVL, 교호 위상반전 마스크, ΔCD, X-현상, 반사광-
公开(公告)号：KR1020060099708A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020050021095
申请日：2005-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 디자인 룰 감소가 가속화됨에 따라 포토마스크의 임계 치수(Critical Dimension : CD) 균일도와 MTT(mean to target)에 대한 규정도 점차로 엄격해지고 있다. 본 발명은 100nm 이하 소자 개발에서 요구되어지는 CD 균일도 및 MTT를 만족시키기 위해 필요한 포토마스크 CD에 대한 측정과 분석을 자동으로 수행하며 필요시 CD 에러가 발생한 부분에 대한 교정을 수행함으로써 마스크 수정(mask revision)을 최소화하고 궁극적으로 마스크 제조비용과 턴 어라운드 타임(turn around time : TAT)을 절감할 수 있는 교정 방법과 이를 위한 교정 시스템을 제공하는 것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020050073507A
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：KR1020040056426
申请日：2004-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/70 , G03F7/70625
Abstract: 포토리소그라피 공정에서 피측정 패턴의 임계치수 변이가 발생한 경우에 피측정 패턴의 임계치수를 보정하는 방법에 대하여 개시한다. 임계치수를 보정하기 위하여 본 발명에서는 먼저 포토리소그라피 공정의 임계치수 변이를 측정하고, 그 임계치수 변이에 따라서 포토리소그라피 공정의 노광원의 파장λ보다 크기가 작은 크기로 포토 마스크의 투명 기판을 식각하여, 리세스, 언더 컷, 수직 홈, 등방성 홈, 리세스된 수직 홈 및/또는 리세스된 등방성 홈을 형성한다.
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公开(公告)号：KR100850214B1
公开(公告)日：2008-08-04
申请号：KR1020070050260
申请日：2007-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02B21/16 , G02B21/361 , G02B21/365
Abstract: A microscope and an image data providing method using the same are provided to generate accurate image data on a reflective mask by suppressing an optical error due to an imaging optical system. A microscope includes an object(120), condenser optics(110a,110b), a detector(130), and a calculator(140). The object contains a reflective material. The condenser optics are configured to irradiate radiation rays on the object. The detector receives a field spectrum, which is formed by the radiation ray reflected from the object. The calculator reconstructs images of the object from the field spectrum, which is received from the detector. The calculator includes a program for reconstructing the image of the object from the field spectrum.
Abstract translation: 提供显微镜和使用其的图像数据提供方法，以通过抑制由于成像光学系统引起的光学误差来在反射掩模上产生精确的图像数据。 显微镜包括物体（120），聚光镜（110a，110b），检测器（130）和计算器（140）。 物体包含反射材料。 聚光镜被配置成照射物体上的辐射线。 检测器接收由从物体反射的辐射线形成的场谱。 计算机从从检测器接收到的场谱中重建物体的图像。 计算器包括用于从场谱重建物体的图像的程序。
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公开(公告)号：KR100755395B1
公开(公告)日：2007-09-04
申请号：KR1020060083289
申请日：2006-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70708 , G03F7/70758 , G03F7/70775
Abstract: A reflection mask and an apparatus and a method for fixing the reflection mask are provided to control electrostatic force provided on a conductive pattern layer of the reflection mask by using a plurality of protrusions separated from each other. A plurality of protrusions(320) being separated from each other are formed on a body(310) so as to correspond to a conductive layer on a rear of a reflection mask and includes an insulating layer and a dielectric layer formed on the insulating layer. A plurality of electrodes are provided in the dielectric layer of the respective protrusions. A power source(340) supplies power to the respective electrode in order to generate electrostatic force for fixing the reflection mask. A controller(360) controls a voltage of the power supplied to the respective electrodes. A measuring unit is provided for measuring flatness of the reflection mask fixed to the protrusions by the electrostatic force. The controller controls the voltage according to the measurement result from the measuring unit.
Abstract translation: 提供一种反射掩模和用于固定反射掩模的装置和方法，以通过使用彼此分离的多个突起来控制设置在反射掩模的导电图案层上的静电力。 多个彼此分离的突起（320）形成在主体（310）上，以便对应于反射掩模背面上的导电层，并且包括形成在绝缘层上的绝缘层和电介质层。 在各突起的电介质层中设置多个电极。 电源（340）向相应的电极供电，以产生用于固定反射掩模的静电力。 控制器（360）控制提供给各个电极的电力的电压。 提供测量单元，用于通过静电力来测量固定到突起的反射掩模的平坦度。 控制器根据测量单元的测量结果控制电压。
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公开(公告)号：KR100674964B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050021095
申请日：2005-03-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F1/84
Abstract: 디자인 룰 감소가 가속화됨에 따라 포토마스크의 임계 치수(Critical Dimension : CD) 균일도와 MTT(mean to target)에 대한 규정도 점차로 엄격해지고 있다. 본 발명은 100nm 이하 소자 개발에서 요구되어지는 CD 균일도 및 MTT를 만족시키기 위해 필요한 포토마스크 CD에 대한 측정과 분석을 자동으로 수행하며 필요시 CD 에러가 발생한 부분에 대한 교정을 수행함으로써 마스크 수정(mask revision)을 최소화하고 궁극적으로 마스크 제조비용과 턴 어라운드 타임(turn around time : TAT)을 절감할 수 있는 교정 방법과 이를 위한 교정 시스템 장치를 제공하는 것이다.
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