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    포토마스크 및 그 제조 방법
    1.
    发明公开
    포토마스크 및 그 제조 방법 有权
    照相机和制作光电子的方法

    公开(公告)号：KR1020120081654A

    公开(公告)日：2012-07-20

    申请号：KR1020100126890

    申请日：2010-12-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 오종근 ,  강대혁 ,  전찬욱 ,  고형호 ,  한성재 ,  김정진

    IPC: G03F1/76 ,  H01L21/027

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F1/76 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337

    Abstract: PURPOSE: A photo-mask and a method for manufacturing the same are provided to improve the reliability of a semiconductor device manufacturing process by being repeatedly used without the line width change of patterns. CONSTITUTION: A method for manufacturing a photo-mask includes the following: a light shielding pattern(115) and a reflection preventive film pattern(125) are successively stacked on a transparent substrate(100). The light shielding pattern is based on at least one of chrome(Cr), aluminum(Al), rubidium(Ru), tantalum(Ta), tantalum boron oxide(TaBO), and tantalum boron nitride(TaBN). The sidewall of the light shielding pattern is oxidized and nitrided to form a protective film pattern(135) based on plasma treatment. The plasma treatment uses oxygen gas and nitrogen gas as reactive gas. The mixed ratio of the oxygen gas and the nitrogen gas is in a range between 5 and 8. The temperature of a chamber for the plasma treatment is kept in a range between 200 and 400 degrees Celsius.

    Abstract translation: 目的：提供一种光掩模及其制造方法，以通过在没有图案的线宽变化的情况下重复使用来提高半导体器件制造工艺的可靠性。 构成：用于制造光掩模的方法包括以下：在透明基板（100）上依次层叠遮光图案（115）和防反射膜图案（125）。 遮光图案基于铬（Cr），铝（Al），铷（Ru），钽（Ta），钽氧化硼（TaBO）和钽氮化硼（TaBN）中的至少一种。 基于等离子体处理，遮光图案的侧壁被氧化并氮化以形成保护膜图案（135）。 等离子体处理使用氧气和氮气作为反应气体。 氧气和氮气的混合比在5和8之间。用于等离子体处理的室的温度保持在200和400摄氏度之间的范围内。

    펠리클 프레임, 펠리클, 리소그래피 장치 및 펠리클 프레임의 제조방법
    2.
    发明公开
    펠리클 프레임, 펠리클, 리소그래피 장치 및 펠리클 프레임의 제조방법 有权
    薄膜框架，薄膜，平面设备和制作薄饼框架的方法

    公开(公告)号：KR1020110029005A

    公开(公告)日：2011-03-22

    申请号：KR1020090086670

    申请日：2009-09-14

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 에프에스티

    Inventor： 김정진 ,  안범현 ,  전찬욱 ,  유장동 ,  김승완 ,  김익준 ,  최재혁 ,  이한신

    IPC: G03F1/64 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F1/142 ,  C25D11/024 ,  C25D11/026 ,  C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  G03F1/64 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/1317 ,  G03F7/70983

    Abstract: PURPOSE: A pellicle frame, pellicle, a lithographic apparatus, and a method for manufacturing the pellicle frame are provided to effectively reduce the amount of outgas by implementing a cleaning process with high temperature ultra-pure water. CONSTITUTION: A pellicle frame(19) includes aluminum, an aluminum oxide, and transition metal. The pellicle frame includes a first material layer(11) and a second material layer(12) which is formed on the first material layer. The first material layer includes aluminum. The second material layer includes an aluminum oxide and transition metal. The second material layer is in direct contact with the first material layer. The second material layer is directly exposed around the pellicle frame.

    Abstract translation: 目的：提供防护薄膜组件，防护薄膜，光刻设备和防护薄膜组件框架的制造方法，以通过使用高温超纯水进行清洁处理来有效地减少排气量。 构成：防护薄膜组件框架（19）包括铝，氧化铝和过渡金属。 防护薄膜框架包括形成在第一材料层上的第一材料层（11）和第二材料层（12）。 第一材料层包括铝。 第二材料层包括氧化铝和过渡金属。 第二材料层与第一材料层直接接触。 第二材料层直接暴露在防护薄膜框架周围。

    ＥＵＶＬ 교호 위상반전 마스크의 제조 방법
    5.
    发明授权
    ＥＵＶＬ 교호 위상반전 마스크의 제조 방법 有权
    EUVL交替相移掩模的制造方法

    公开(公告)号：KR100674969B1

    公开(公告)日：2007-01-26

    申请号：KR1020050032756

    申请日：2005-04-20

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 허성민 ,  김희범 ,  최성운 ,  김동완 ,  전찬욱

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  G03F1/30

    Abstract: EUVL 교호 위상반전 마스크로부터 유도되는 웨이퍼상의 ΔCD 또는 X-현상을 감소시키기 위하여 비위상반전영역에서 반사층에 물리적 충격을 가하여 저반사도 영역을 형성하는 EUVL 교호 위상반전 마스크의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 방법에서는 다중층 구조의 반사층을 구비하는 기판을 준비한다. 상기 반사층의 반사 영역을 노출시키도록 상기 반사층의 상면 중 일부를 덮는 차광막 패턴을 상기 반사층 위에 형성한다. 상기 반사층의 반사 영역 중 위상반전 영역을 식각하여 상기 반사층에 트렌치를 형성한다. 상기 반사층의 반사 영역 중 비위상반전 영역에서 EUV 광의 반사도를 낮추도록 상기 반사층의 구조를 물리적으로 변화시킨다.
    EUVL, 교호 위상반전 마스크, ΔCD, X-현상, 반사광

    캘리브레이션 패턴을 이용한 포토마스크 형성 방법 및 캘리브레이션 패턴을 포함하는 포토마스크
    7.
    发明授权
    캘리브레이션 패턴을 이용한 포토마스크 형성 방법 및 캘리브레이션 패턴을 포함하는 포토마스크 有权
    使用校准图案和具​​有校准图案的光掩模形成光掩模的方法

    公开(公告)号：KR101703745B1

    公开(公告)日：2017-02-08

    申请号：KR1020100129997

    申请日：2010-12-17

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 윤영근 ,  김희범 ,  이명수 ,  전찬욱 ,  한학승

    IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76

    CPC classification number: G03F1/70

    Abstract: 본발명은, 기판상에원하는패턴을정확하게전사할수 있는캘리브레이션패턴을이용한포토마스크형성방법을제공한다. 본발명의일실시예에따른포토마스크형성방법은, 제1 설계치수를각각가지는 1차원캘리브레이션설계패턴들및 제2 설계치수를각각가지는 2차원캘리브레이션설계패턴들을제공하는단계; 1차원캘리브레이션설계패턴들로부터 1차원캘리브레이션측정패턴들을취득하고, 2차원캘리브레이션설계패턴들로부터 2차원캘리브레이션측정패턴들을취득하는단계; 1차원캘리브레이션측정패턴들의제1 측정치수들을취득하고, 2차원캘리브레이션측정패턴들의제2 측정치수들취득하는단계; 제1 측정치수들과제2 측정치수들사이의상관관계를수립하는단계; 및상관관계를이용하여, 주패턴의주 측정치수를제1 측정치수로변환하는단계;를포함한다.

    Abstract translation: 使用可以将期望图案精确地转印到基板的校准图案形成光掩模的方法。 该方法包括提供一维校准设计图案，每个具有第一设计措施并提供每个具有第二设计措施的二维校准设计图案; 使用一维校准设计图案获得一维校准测量图案，并使用二维校准设计图案获得二维校准测量图案; 获得一维校准测量图案的第一测量度量，并获得二维校准测量图案的第二测量度量; 建立第一测量措施与第二测量措施之间的相关性; 以及使用所述相关性将主模式的主测量度量转换为所述第一测量测量值中的对应的一个。

    포토마스크 및 그 제조 방법
    9.
    发明授权
    포토마스크 및 그 제조 방법 有权
    照相机和制作光电子的方法

    公开(公告)号：KR101679721B1

    公开(公告)日：2016-11-28

    申请号：KR1020100126890

    申请日：2010-12-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 오종근 ,  강대혁 ,  전찬욱 ,  고형호 ,  한성재 ,  김정진

    IPC: G03F1/76 ,  H01L21/027

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

    Abstract: 투명기판상에순차적으로적층된차광막패턴과반사방지막패턴을형성한다. 차광막패턴의측벽을산화(oxidation) 및질화(nitridation)시킴으로써보호막패턴을형성한다. 보호막패턴을형성함으로써포토마스크제조공정에서사용되는산성용액에의해포토마스크패턴의선폭이감소되는것을방지할수 있다.

    Abstract translation: 在制造光掩模图案的方法中，在透明基板上依次形成遮光层图案和抗反射层图案。 在遮光层图案的侧壁上进行氧化和氮化处理，以在遮光层图案的横向部分上形成保护层图案。

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