이중기능성 고차구조의 PEG 및 생체활성 복합체를 이용한 췌장소도 표면개질 방법 및 이를 이용한 표면개질된 췌장소도
    22.
    发明公开
    이중기능성 고차구조의 PEG 및 생체활성 복합체를 이용한 췌장소도 표면개질 방법 및 이를 이용한 표면개질된 췌장소도 有权
    使用具有生物活性复合物的高功能高结构PEG和具有改性表面的胰岛素修饰胰蛋白酶表面的方法

    公开(公告)号:KR1020120110856A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:KR1020110029010

    申请日:2011-03-30

    CPC classification number: A61K47/59 A61K35/12 A61K47/36

    Abstract: PURPOSE: A method for modifying the surface of pancreatic islets is provided to effectively reduce immune response and to induce antithrombogenicity effect. CONSTITUTION: A method for modifying the surface of pancreatic islet comprises: a step of activating PEG or derivatives thereof for conjugation of PEG or derivatives thereof on the surface of the pancreatic islet; a step of conjugating the activated PEG or derivatives thereof with an amine group on the surface; and a step of conjugating the terminal function groups of the PEG or derivatives with the bioactive complex. The bioactive complex is conjugated with heparin or derivatives thereof, and bioactivation materials. [Reference numerals] (AA) Pancreatic islet cells; (BB) Heparin catechol; (CC) 8-armed star shaped PEG

    Abstract translation: 目的:提供一种改善胰岛表面的方法,有效降低免疫反应,诱发抗血栓形成的作用。 构成:用于改变胰岛表面的方法包括:活化PEG或其衍生物以在胰岛表面上缀合PEG或其衍生物的步骤; 将活化的PEG或其衍生物与表面上的胺基缀合的步骤; 以及将PEG或衍生物的末端官能团与生物活性复合物缀合的步骤。 生物活性复合物与肝素或其衍生物和生物活化材料缀合。 (AA)胰岛细胞; (BB)肝素儿茶酚; (CC)8型星形PEG

    자전거 고가도로의 경사조절 시스템
    23.
    发明授权
    자전거 고가도로의 경사조절 시스템 有权
    自行车高层道路斜坡调整系统

    公开(公告)号:KR101121036B1

    公开(公告)日:2012-03-15

    申请号:KR1020080127441

    申请日:2008-12-15

    CPC classification number: Y02A30/68

    Abstract: 자전거 고가도로의 경사조절 시스템은 자동차용 도로를 따라 설치된 기초부, 상기 기초 상에 설치되는 교각부, 상기 교각부 상에 설치되며 자전거의 주행성 확보를 위해 경사가 크지 않은 자전거용 도로부 및 상기 자동차용 도로의 경사가 급격히 변하는 부분에서 외부의 동력을 공급하여 자전거 및 자전거 이용자를 운송하는 경사조절부를 포함한다.
    이에 따라, 도심과 같이 자전거용 도로를 위한 별도의 공간이 없더라도 기존의 자동차용 도로상에 자전거용 도로를 설치함으로써, 공간확보가 어려운 장소에 자전거용 전용도로의 설치를 가능하게 한다.
    자전거 전용 도로, 자전거 고가 도로

    자동 입도 분석 장치 및 그를 이용한 입도 분석 방법
    24.
    发明公开
    자동 입도 분석 장치 및 그를 이용한 입도 분석 방법 有权
    用于分析颗粒尺寸分布的自动装置和使用其分析颗粒尺寸分布的方法

    公开(公告)号:KR1020110090405A

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:KR1020100010151

    申请日:2010-02-03

    Abstract: PURPOSE: Automatic granularity analyzing device and method are provided to shorten analyzing hours on granularity and automatically extract data required for analyzing granularity without error due to skill of an experimenter. CONSTITUTION: If a rotating shaft(100) rotates, one end of a container(200) is connected to the rotating shaft through a bearing(600) so that the rotating shaft rotates around one end of the container. Theodolite(300) measures tilt angle to the rotating shaft. A protruded unit(400) for controlling an initial tilt angle is installed on a support for the rotating shaft so that before the rotating shaft starts rotating, the container maintains a given tilt angle to the rotating shaft. A driving device(500) rotates the rotating shaft to maintain constant angular velocity.

    Abstract translation: 目的:提供自动粒度分析设备和方法,缩短粒度分析时间,并自动提取分析粒度所需的数据,无误由于实验者的技能。 构成:如果旋转轴(100)旋转,则容器(200)的一端通过轴承(600)连接到旋转轴,使得旋转轴围绕容器的一端旋转。 经纬仪(300)测量与旋转轴的倾斜角度。 用于控制初始倾斜角的突出单元(400)安装在用于旋转轴的支撑件上,使得在旋转轴开始旋转之前,容器保持与旋转轴的给定倾斜角度。 驱动装置(500)使旋转轴旋转以保持恒定的角速度。

    표면 검사 방법
    25.
    发明公开
    표면 검사 방법 审中-实审
    表面检查方法

    公开(公告)号:KR1020170138207A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:KR1020160070310

    申请日:2016-06-07

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른표면검사방법은미세패턴이형성된검사대상소자의표면에금속막을형성하는단계; 상기검사대상소자의상면과수직한방향으로평행한광선을입사시키는단계; 상기검사대상소자의표면으로부터반사된광선의스펙트럼을획득하는단계; 및상기스펙트럼을통하여상기검사대상소자에형성된상기미세패턴의구조적특징에대한정보를획득하는단계; 를포함할수 있다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例,提供了一种表面检查方法,包括:在具有精细图案的待检查元件的表面上形成金属膜; 在垂直于待检查元件的上表面的方向上引入平行光线; 获取待检查元件表面反射的光线光谱; 并且通过该光谱获得关于形成在检查目标元件上的精细图案的结构特征的信息; 该可包含。

    메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 반도체 저장장치
    26.
    发明公开
    메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 반도체 저장장치 审中-实审
    用于操作存储器控制器和包括其的半导体存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1020160092760A

    公开(公告)日:2016-08-05

    申请号:KR1020150013546

    申请日:2015-01-28

    Inventor: 박준범 심호준

    Abstract: 본발명에따른반도체저장장치는, 비휘발성메모리장치및 상기비휘발성메모리장치를제어하는메모리컨트롤러를포함하며, 상기메모리컨트롤러는, 상기메모리컨트롤러의상태정보를기반으로, 상기호스트로부터수신한명령에대응한동작을수행시에상기메모리컨트롤러의성능레벨을제어하는성능제어부를포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明,半导体存储装置包括:非易失性存储装置; 以及配置为控制所述非易失性存储器件的存储器控​​制器。 存储器控制器包括:性能控制单元,被配置为当执行与从主机接收的命令相对应的操作时,基于存储器控制器的状态信息来控制存储器控制器的性能水平。 因此,可以提高半导体存储装置的可靠性和操作速度。

    노어형 불 휘발성 메모리 소자 및 이를 형성하기 위한 형성방법
    27.
    发明公开
    노어형 불 휘발성 메모리 소자 및 이를 형성하기 위한 형성방법 失效
    NOR型非易失性存储器件及其形成方法

    公开(公告)号:KR1020080035799A

    公开(公告)日:2008-04-24

    申请号:KR1020060102310

    申请日:2006-10-20

    Abstract: A NOR-type device is provided to simplify a fabricating process and reduce the aspect ratio of a second contact plug connected to a bitline by forming at least one common source line on an uppermost semiconductor layer. First gate structures(210) and first impurity diffusion regions(211,212) are formed in a semiconductor substrate(200). A first interlayer dielectric(214) is disposed on the semiconductor substrate. A semiconductor layer(216) is formed on the first interlayer dielectric, having second gate structures(218) and second impurity diffusion regions(219,220). A second interlayer dielectric(222) is disposed on the semiconductor layer. At least one contact plug(226,232) is electrically connected to the first impurity diffusion regions and the second impurity diffusion regions. At least one common source line(228) is formed on the second interlayer dielectric, electrically connected to the contact plug. The semiconductor substrate can be connected to the semiconductor layer by a connection member having a pillar type penetrating the first interlayer dielectric. The connection member can be made of the same material as that of the semiconductor substrate.

    Abstract translation: 提供NOR型器件以通过在最上半导体层上形成至少一个公共源极线来简化制造工艺并减小连接到位线的第二接触插塞的纵横比。 第一栅极结构(210)和第一杂质扩散区(211,212)形成在半导体衬底(200)中。 第一层间电介质(214)设置在半导体衬底上。 半导体层(216)形成在具有第二栅极结构(218)和第二杂质扩散区(219,220)的第一层间电介质上。 第二层间电介质(222)设置在半导体层上。 至少一个接触插塞(226,232)电连接到第一杂质扩散区域和第二杂质扩散区域。 至少一个公共源极线(228)形成在第二层间电介质上,电连接到接触插塞。 半导体衬底可以通过具有穿过第一层间电介质的柱状的连接构件连接到半导体层。 连接构件可以由与半导体衬底相同的材料制成。

    3차원 어레이 구조를 갖는 반도체 장치
    28.
    发明公开
    3차원 어레이 구조를 갖는 반도체 장치 有权
    具有三维阵列结构的半导体器件

    公开(公告)号:KR1020080033051A

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:KR1020070058411

    申请日:2007-06-14

    CPC classification number: H01L27/2463 H01L27/10891 H01L27/11551 H01L27/2436

    Abstract: A semiconductor device having a three-dimensional array structure is provided to process word lines of multi layers conveniently and secure a margin of metal contacts and metal wiring sufficiently by a low decoder which is located at both sides of a cell array area. A cell array region comprises a first cell block and a second cell block. The first cell block comprises a first gate line on a first floor of the cell array region. The second cell block comprises a second gate line on a second floor above the first floor of the cell array area. A low decoder region is adjacent to the cell array region, and comprises a first low decoder(DEC1) and a second low decoder(DEC2). Wherein, the first low decoder controls the first gate line, and the second low decoder controls the second gate line. A first wiring connects the first gate line and the first low decoder. A second wiring connects the second gate line and the second low decoder.

    Abstract translation: 提供具有三维阵列结构的半导体器件,用于方便地处理多层的字线,并通过位于单元阵列区域的两侧的低解码器来充分确保金属接触和金属布线的边缘。 单元阵列区域包括第一单元块和第二单元块。 第一单元块包括在单元阵列区域的第一层上的第一栅极线。 第二单元块包括在单元阵列区域的一层上方的第二层上的第二栅极线。 低解码器区域与单元阵列区域相邻,并且包括第一低解码器(DEC1)和第二低解码器(DEC2)。 其中,第一低解码器控制第一栅极线,而第二低解码器控制第二栅极线。 第一布线连接第一栅极线和第一低解码器。 第二布线连接第二栅极线和第二低解码器。

    개선된 캐리어 이동도를 갖는 반도체 소자의 제조방법
    29.
    发明授权
    개선된 캐리어 이동도를 갖는 반도체 소자의 제조방법 有权
    制造具有改进的载体移动性的半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR100702006B1

    公开(公告)日:2007-03-30

    申请号:KR1020050000192

    申请日:2005-01-03

    CPC classification number: H01L21/823807

    Abstract: 개선된 캐리어 이동도를 갖는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 앤모스 영역 및 피모스 영역을 갖는 반도체 기판을 준비하는 것을 구비한다. 상기 앤모스 영역 및 피모스 영역에 앤모스 트랜지스터 및 피모스 트랜지스터를 각각 형성한다. 상기 앤모스 트랜지스터를 갖는 상기 앤모스 영역 상에 제1 압축 응력을 갖는 제1 절연막을 형성한다. 상기 피모스 트랜지스터를 갖는 상기 피모스 영역 상에 제2 압축 응력을 갖되, 상기 제1 절연막 보다 높은 응력 완화율을 갖는 제2 절연막을 형성한다. 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 갖는 반도체 기판을 열처리하여 상기 제2 절연막이 상기 제1 절연막 보다 감소된 압축 응력을 갖도록 상기 제2 절연막의 압축 응력을 완화시킨다.
    씨모스, 이동도, 캐리어, 압축 응력

    콘텐츠를 공유하는 방법 및 그 전자 장치
    30.
    发明公开
    콘텐츠를 공유하는 방법 및 그 전자 장치 审中-实审
    用于共享内容的方法及其电子设备

    公开(公告)号:KR1020160060855A

    公开(公告)日:2016-05-31

    申请号:KR1020140162714

    申请日:2014-11-20

    Abstract: 본발명의다양한실시예는전자장치에서콘텐츠를공유하기위한장치및 방법에관한것이다. 전자장치의동작방법은, 적어도하나의콘텐츠를공유할수 있는적어도하나의다른전자장치에대응하는적어도하나의콘택트정보(contact information)를표시하는동작과상기적어도하나의콘택트정보중 적어도하나를선택하는동작, 및상기선택한적어도하나의콘택트정보에대응하는적어도하나의서비스정보를표시하는동작을포함할수 있다. 다른실시예들이가능하다.

    Abstract translation: 本发明的各种实施例涉及用于在电子设备中共享内容的设备和方法。 用于操作电子设备的方法可以包括:显示对应于能够共享至少一段内容的其他不同电子设备中的至少一个的至少一个联系人信息的动作; 选择所述联系人信息中的至少一个的动作; 以及显示与所选择的联系人信息相对应的至少一条服务信息的动作。 其他实施例是可用的。

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