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公开(公告)号：KR1020070098310A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060029806
申请日：2006-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/385 , H01J31/127 , H01J2329/941
Abstract: A field emission display device and a field emission type backlight device having a sealing structure for vacuum exhaustion are provided to remove a rear space by removing an exhaust tube protruded to a backside of a panel. A field emission display device includes a cathode substrate and an anode substrate in order to form predetermined images. A vacuum-exhausted panel space is formed between the cathode substrate and the anode substrate. A sealing member(150) is formed along edges between the cathode substrate and the anode substrate in order to seal the panel space. At least, one inlet(152) exposed to the panel space and an exhaust path for connecting the display device to the outside are formed in the sealing member. The sealing member includes a rectangular frame and a pair of exhaust tubes and a pair of frit bars extended in a long side and an exhaust path formed along a length extended in a short side.
Abstract translation: 提供具有用于真空耗尽的密封结构的场致发射显示装置和场致发射型背光装置，通过去除突出到面板背面的排气管来去除后部空间。 场致发射显示装置包括阴极基板和阳极基板，以形成预定图像。 在阴极基板和阳极基板之间形成真空排空的面板空间。 密封构件（150）沿着阴极衬底和阳极衬底之间的边缘形成，以便密封面板空间。 至少在密封构件中形成暴露于面板空间的一个入口（152）和用于将显示装置连接到外部的排气路径。 密封构件包括矩形框架和一对排气管以及沿长边延伸的一对玻璃料条和沿着短边延伸的长度形成的排气通路。
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22.发明授权나노와이어 전기기계 스위칭 소자 및 그 제조방법, 상기나노와이어 전기기계 소자를 이용한 전기기계 메모리 소자 有权나노와이어전기기계스위칭소자및그제조방법，상기나노와이어전기기계소자를이용한전기기계메모리소자
公开(公告)号：KR100745769B1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020060087426
申请日：2006-09-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A nano wire electromechanical switching device and its manufacturing method, an electromechanical memory device using the same are provided to acquire stable on-off switching characteristics and low voltage driving characteristics from a portion between two nano wires. Source and drain electrodes(14,15) are spaced apart from each other on an insulating substrate(12). A first nano wire(24) is vertically grown on the source electrode. A first voltage is applied to the first nano wire. A second nano wire(25) is vertically grown on the drain electrode. A second voltage is applied to the second anon wire. A gate electrode(50) is spaced apart from the second nano wire. The gate electrode encloses the second nano wire. The gate electrode has an opening structure corresponding to the first nano wire to prevent the gate electrode from functioning as an obstruction in an inter-switching operation between first and second nano wires. A switching process is performed by contacting or non-contacting the first and second nano wires using an electrostatic force between the first and the second nano wires and the gate electrode and an elasticity of the second nano wire.
Abstract translation: 提供一种纳米线机电开关器件及其制造方法，使用该纳米线机电开关器件的机电存储器件以从两个纳米线之间的部分获得稳定的开关切换特性和低电压驱动特性。 源电极和漏电极（14,15）在绝缘衬底（12）上彼此间隔开。 第一纳米线（24）垂直生长在源电极上。 第一电压被施加到第一纳米线。 第二纳米线（25）垂直生长在漏电极上。 第二电压被施加到第二anon线。 栅电极（50）与第二纳米线间隔开。 栅电极包围第二纳米线。 栅电极具有对应于第一纳米线的开口结构，以防止栅电极用作第一和第二纳米线之间的交换操作中的障碍。 使用第一纳米线和第二纳米线与栅电极之间的静电力和第二纳米线的弹性，通过使第一纳米线与第二纳米线接触或不接触来执行切换过程。
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公开(公告)号：KR1020060015181A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：KR1020040064031
申请日：2004-08-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283 , B82B3/00 , C01B31/02 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L21/28512 , B82B3/0004 , B82Y30/00
Abstract: 나노 튜브를 갖는 전자소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 전자소자를 제공한다. 상기 전자소자는 하부 도전층 상에 차례로 적층된 하부 절연막 및 상부 절연막을 구비한다. 상기 상부 절연막 내에 상부 콘택 홀이 배치된다. 상기 상부 콘택 홀의 바닦면을 통하여 상기 하부 도전층의 소정영역을 노출시키는 상기 상부 콘택 홀 보다 작은 폭을 갖는 하부 콘택 홀이 배치된다. 상기 하부 콘택 홀에 의하여 노출된 부분의 상기 하부 도전층 상에 촉매층 패턴이 배치된다. 상기 상부 절연막 상에 상기 상부 콘택 홀의 적어도 상부 영역을 채우도록 상부 도전층이 배치된다. 상기 촉매층 패턴 상에서 성장되어 상기 상부 도전층과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 나노튜브를 포함한다.
나노튜브, 촉매층, 콘택홀-
公开(公告)号：KR100319723B1
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：KR1019940025184
申请日：1994-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1337
Abstract: 본 발명은 고분자 액정복합막을 이용하는 고분자분산 반사정 액정표시소자에 관한것으로, 반사형 표시장치에서는 투과율이 높은특성보다 기본적인 대비에 의한 콘트라스트가 중요하므로 하부기판 내면에 비표시부위의 기본투과율을 저하시켜 콘트라스트를 향상시키는 오버레이 그래픽수단을 부가한 것으로, 오버레이 그래픽 수단은 필름 스페이서에 표시부위만 고분자 액정층을 도포시켜 구현하거나, 도전성 하부 또는 상부기판의 비표시부 해당부위를 열처리하여 투과율을 낮춘구조로 구현 가능한 것이며, 별도의 오버레이 그래픽층이 필요없어 제조공정이 간단해지고 콘트라스트 향상 및 공정을 간소화시킨다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102225508B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020140133370
申请日：2014-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L51/42 , H01L27/146
Abstract: 광이입사되는측에위치하는제1 투광전극, 상기제1 투광전극과마주보는제2 투광전극, 상기제1 투광전극과제2 투광전극사이에위치하는특정파장영역의광을선택적으로흡수하는광 활성층, 및상기제1 투광전극과상기광 활성층사이, 상기제2 투광전극과상기광 활성층사이, 또는상기제1 투광전극과상기광 활성층사이및 상기제2 투광전극과상기광 활성층사이에위치하여상기광 활성층이흡수하는특정파장영역외의광의투과율을증가시키는선택적광 투과층을포함하는유기광전소자및 상기이미지센서를포함하는전자장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170137648A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020170068530
申请日：2017-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D421/14 , C07D421/04 , C07D495/04 , C07F5/02 , H01L51/00 , H01L27/30 , G01J1/44
Abstract: 하기화학식 1로표현되는화합물, 이를포함하는광전소자, 이미지센서및 전자장치에관한것이다. [화학식 1]화학식 1에서, 각치환기의정의는명세서에기재된바와같다.
Abstract translation: （1），包括其的光电子器件，图像传感器和电子器件。 [化学式1]在化学式1中，每个取代基的定义如说明书中所述。
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