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公开(公告)号：KR102198694B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020140087465
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며, 베이스층의일부가노출된복수의개구부를가지는마스크층, 및개구부상에배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 복수의나노발광구조물들은, 마스크층상의기둥형상의몸체부및 몸체부상에배치되는뿔 형상의상단부를포함하고, 복수의나노발광구조물들에서, 상단부의꼭짓점이몸체부의중심세로축으로부터몸체부의폭의 1.5 %의거리이내에배치되는비율이 60 % 이상이다.
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公开(公告)号：KR1020160008027A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087465
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에배치되며, 베이스층의일부가노출된복수의개구부를가지는마스크층, 및개구부상에배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 복수의나노발광구조물들은, 마스크층상의기둥형상의몸체부및 몸체부상에배치되는뿔 형상의상단부를포함하고, 복수의나노발광구조물들에서, 상단부의꼭짓점이몸체부의중심세로축으로부터몸체부의폭의 1.5 %의거리이내에배치되는비율이 60 % 이상이다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括由第一导电类型半导体制成的基底层，掩模层，其布置在基底层上并具有用于暴露基底部分的开口部分， 布置在开口部分上并分别包括第一导电型半导体芯，有源层和第二导电型半导体芯的发光结构。 纳米发光结构包括在掩模层上的柱状体的主体部分和布置在主体部分上的锥形的上端部。 在纳米发光结构中，将上端部的顶点的距离为身体部分的中心纵轴的1.5％的距离的比率为60％以上。
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公开(公告)号：KR1020150097322A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018699
申请日：2014-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명의 일 실시 예는, 나노구조 반도체 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층, 상기 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 배치되며, 상기 제1 도전형 반도체 베이스층이 노출된 복수의 개구부를 가지는 마스크층, 상기 복수의 개구부 상에 배치되며, 각각 제1 도전형 반도체로 이루어진 나노 코어, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노 발광구조물들 및 적어도 일부가 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하도록 상기 마스크층 상에 배치되는 다결정성 전류억제층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，其包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 掩模层，其设置在所述第一导电型半导体基底层上，并且具有多个开口部，所述第一导电型半导体基底层暴露于所述多个开口部; 多个纳米发光结构，设置在开口部分上，并且分别包括由第一导电类型半导体，有源层和第二导电类型半导体层制成的纳米孔; 以及多个电流限制层，其设置在掩模层上，使得其至少一部分可以位于第二导电类型半导体层下方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102252993B1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：KR1020140151379
申请日：2014-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에서로이격되어배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 제1 도전형반도체코어는, 베이스층으로부터상부로연장되는로드층및 로드층상에배치되는캡핑층을포함하고, 복수의나노발광구조물들중 적어도일부에서로드층들및 캡핑층들의높이는서로다르다.
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公开(公告)号：KR1020160008028A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087466
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/06 , H01L27/153 , H01L33/0025 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H05B33/0803 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어진나노코어와상기나노코어의측면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은동일한성장공정에의해형성되며, 각각 2개이상의나노발광구조물을갖는 n개의그룹(n은 2 이상인정수)으로구분되고, 상기각 그룹의활성층은각각서로다른광을방출하도록상기각 그룹의나노코어의직경, 높이및 피치중 적어도하나가상이한나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种纳米结构半导体发光器件。 根据本发明的一个方面，纳米结构半导体发光器件包括：基底层，包括第一导电半导体; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口，所述基底层的部分区域暴露在所述开口中; 以及具有分别形成在基底层的每个暴露区域上并且包括第一导电半导体的纳米孔的多个纳米发光结构以及依次形成在纳米孔一侧的有源层和第二导电半导体。 纳米发光结构在相同的生长工艺中形成，并分成具有两个或更多个纳米发光结构的n个基团（n为2以上的整数）。 每组中纳米孔的直径，高度和间距中的至少一个是不同的，使得每组的活性层分别发射不同的光。
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公开(公告)号：KR101544772B1
公开(公告)日：2015-08-17
申请号：KR1020130164521
申请日：2013-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/24
Abstract: 본발명의일 실시형태는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어지고, 그측면의결정면과다른결정면을갖는상단부를갖는나노코어와, 상기나노코어의표면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층과, 상기활성층과상기나노코어사이에위치하도록상기나노코어의상단부에형성된전류차단중간층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR102244218B1
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：KR1020140132545
申请日：2014-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층을마련하는단계와, 상기베이스층상에서로이격되도록제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어를형성하는단계와, 상기나노코어의표면상에활성층과제1 도전형질화물반도체층을갖는쉘을형성하는단계를포함하며, 상기쉘층을형성하는단계중 적어도일부구간에서, 막두께균일도가 80% 이상이되도록소스유량, 소스유속, 챔버압력, 성장온도및 성장속도중 적어도하나의공정인자를제어하는단계를포함하며, 여기서, 상기막 두께균일도(%)는상기나노코어의측면상에성장된막의최소두께와최대두께가각각 ta(㎚)와 tb(㎚)로나타낼때에, (ta/tb)×100으로정의되는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
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