유기 반도체 물질 및 이를 포함하는 유기 반도체 소자
    21.
    发明授权
    유기 반도체 물질 및 이를 포함하는 유기 반도체 소자 有权
    有机半导体材料和含有它们的有机半导体器件

    公开(公告)号:KR101839803B1

    公开(公告)日:2018-03-19

    申请号:KR1020170055346

    申请日:2017-04-28

    Inventor: 박수영 조일훈

    Abstract: 본발명은유기반도체로사용될수 있는새로운유기분자의개발에관한것으로, 할로겐원소를포함한인돌로인돌(3,8-halogenated-indolo[3,2-b]indole)의합성과이를기반으로하는새로운유기반도체물질에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른화합물은, 유기반도체물질로서사용되는하기화학식 1의구조를갖는화합물이다. [화학식 1]여기서, R은알킬(alkyl)기이고, X는플르오르(F) 또는염소(Cl)이고, Y는알킬(alkyl)기이다.

    Abstract translation: 本发明涉及可用作有机半导体的新型有机分子的开发,并且涉及吲哚 - 吲哚(3,8-卤代 - 吲哚并[3,2- 半导体材料。 根据本发明的一个实施方式的化合物是具有由下式(1)表示的结构的化合物,其用作有机半导体材料。 其中R是烷基,X是氟(F)或氯(Cl),Y是烷基。

    전자받개로 사용되는 유기화합물 및 이의 제조방법
    22.
    发明授权
    전자받개로 사용되는 유기화합물 및 이의 제조방법 有权
    使用电子接受体的有机复合物及其制造方法

    公开(公告)号:KR101667338B1

    公开(公告)日:2016-10-18

    申请号:KR1020140148929

    申请日:2014-10-30

    Inventor: 박수영 권오규

    Abstract: 본발명은전자받개로사용되는유기화합물및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른전자받개로사용되는유기화합물은, 하기화학식 1로표시되고, (화학식 1)상기의화학식 1에서, Ar1은하기의화학식 2에나열된구조중 하나이고, (화학식 2)Ar2는하기의화학식 3에나열된구조중 하나이고, (화학식 3)R1은 -H, -OCnH2n+1, -CnH2n+1, -(OCH2CH2)n-OCH3, -F, -CF3, -CN 중하나이고, (n은양수) R는, 선상(linear) 또는가교상(branched) 구조를가지는알킬(CH), 알콕시(-OCH) 또는에틸렌옥사이드(-(OCHCH)-OCH) 중하나이고, (m은양수) R는, 선상(linear) 또는가교상(branched) 구조를가지는알킬(CH), 알콕시(-OCH) 또는에틸렌옥사이드(-(OCHCH)-OCH) 중하나이다. (p은양수)

    유기 금속 착체 및 이를 이용한 수소 생산 방법
    23.
    发明公开
    유기 금속 착체 및 이를 이용한 수소 생산 방법 无效
    有机复合物及其生成氢的方法

    公开(公告)号:KR1020140108204A

    公开(公告)日:2014-09-05

    申请号:KR1020140101865

    申请日:2014-08-07

    CPC classification number: Y02E60/36 C07F19/00 C01B3/042

    Abstract: Disclosed are an organometallic complex and a method for generating hydrogen using the same. According to an embodiment of the present invention, the an organometallic complex is presented by Chemical Formula 1-1 or 1-2. In Chemical Formula 1-1 or 1-2, A is a substituted or unsubstituted, in other words capable of having a substituent, aromatic or heteroaromatic ring; B is a substituted or unsubstituted, in other words capable of having a substituent, aromatic or heteroaromatic ring including nitrogen atoms. A and B is covalently bonded by Z. Z may be bonded a single bond, -O-, -S-, -CO-, -(CR′R′′)a-, -(SiR′R′′)a-, or -NR′-.

    Abstract translation: 公开了一种有机金属络合物和使用其制造氢的方法。 根据本发明的一个实施方案,有机金属络合物由化学式1-1或1-2表示。 在化学式1-1或1-2中,A是取代或未取代的,换句话说,可以具有取代基,芳族或杂芳族环; B是取代或未取代的,换句话说能够具有取代基,包括氮原子的芳族或杂芳族环。 A和B通过Z共价键合,Z可以键合单键,-O - , - S - , - CO-, - (CR'R“)a - , - (SiR'R” ,或-NR'-。

    유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조방법
    24.
    发明授权
    유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조방법 有权
    有机半导体材料,使用其的晶体管器件和使用其制造晶体管的方法

    公开(公告)号:KR101401424B1

    公开(公告)日:2014-06-02

    申请号:KR1020120137383

    申请日:2012-11-29

    Abstract: The present invention relates to an organic semiconductor material capable of emitting light in a visible light wavelength region and, more specifically, to an organic semiconductor material in which a p-type electron donor and a n-type electron acceptor are formed in a spontaneously co-crystallized charge transfer structure with a stoichiometric constant ratio, a transistor device using the same, and a method for manufacturing the transistor device.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够在可见光波长区域发光的有机半导体材料,更具体地说,涉及在自发地形成p型电子给体和n型电子受体的有机半导体材料 - 化学计量常数比的结晶电荷转移结构,使用其的晶体管器件以及晶体管器件的制造方法。

    n형 전기 특성을 가지는 유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조 방법
    26.
    发明公开
    n형 전기 특성을 가지는 유기물 반도체 물질, 이를 이용한 트랜지스터 소자 및 트랜지스터 소자의 제조 방법 有权
    具有N型电气特性的有机半导体材料,使用其的晶体管器件以及使用其制造晶体管器件的方法

    公开(公告)号:KR1020130035539A

    公开(公告)日:2013-04-09

    申请号:KR1020110099892

    申请日:2011-09-30

    Abstract: PURPOSE: An organic semiconductor material with n-type electrical property, a transistor device using the same, and a method for manufacturing the transistor device are provided to ensure stabilized energy level which is beneficial for electron injection and various molecular interaction. CONSTITUTION: A transistor device using an organic semiconductor material with n-type electrical property comprises a gate electrode(160), a source, a drain electrode(130,140), and an organic thin film layer(120). The gate electrode is formed on a substrate. The organic thin film layer connects the source to the drain electrode and contains the organic semiconductor material.

    Abstract translation: 目的:提供具有n型电性能的有机半导体材料,使用其的晶体管器件和晶体管器件的制造方法,以确保有利于电子注入和各种分子相互作用的稳定的能级。 构成:使用具有n型电性质的有机半导体材料的晶体管器件包括栅极(160),源极,漏极(130,140)和有机薄膜层(120)。 栅电极形成在基板上。 有机薄膜层将源极连接到漏电极并且包含有机半导体材料。

    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법
    28.
    发明公开
    유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블, 이를 이용한 광·전자 소자 및 유기 반도체성 공축 p-n 접합구조 나노케이블의 제조 방법 有权
    同轴四层半导体有机纳米金属包括导电电荷转移P-N结,使用其的光电器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020100057449A

    公开(公告)日:2010-05-31

    申请号:KR1020080116495

    申请日:2008-11-21

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of the optical electric organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable is provided to offer an organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable which is characterized in that a core layer thereof is made of chemical material choosen from a goup of chemical compounds. CONSTITUTION: An organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable is fromed by a p-n junction of a core layer and a shell layer. The core layer is made of one or more chemical selected from a goup of chemicals comprising chemicals represented by a chemical formular 1 and chemicals represented by chemical formular 2. The organic semiconductor coaxial p-n junction nano cable forms the p-n junction of the cell layer and core layer. The core layer is the p-type semiconductor layer. The cell layer is the n-type semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机半导体同轴p-n结纳米电缆的制造方法,其特征在于,其核心层由化学化合物选择的化学材料制成。 构成:有机半导体同轴p-n结纳米线由核心层和壳层的p-n结开始。 核心层由一种或多种选自化学物质的化学物质组成的化学物质组成,化学式由化学式1表示的化学物质和由化学式2表示的化学物质。有机半导体同轴pn结纳米电缆形成电池层和芯的pn结 层。 核心层是p型半导体层。 电池层是n型半导体层。

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