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公开(公告)号：KR100998256B1
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020080136747
申请日：2008-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
Inventor： 황철성
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 본 발명은 선택 다이오드를 구비하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 형성되며, 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층되어 있는 전도체-절연체 수평 구조물을 구비한다. 그리고 전도체-절연체 수평 구조물의 일측에 배치되며, 메모리 특성을 나타내는 물질로 이루어진 메모리층을 구비한다. 그리고 전도체-절연체 수평 구조물과의 사이에 메모리층이 배치되도록 메모리층의 일측에 배치되며, 독립 전도층과 독립 절연층이 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 독립 전도체-절연체 구조물과 기판 상에 형성되어 있는 수직 분리막이 수평 전도층의 형성 방향으로 교번적으로 배치되는 복합 전도체-절연체 구조물을 구비한다. 그리고 메모리층과의 사이에 복합 전도체-절연체 구조물이 배치되도록 복합 전도체-절연체 구조물의 일측에 배치되는 선택 다이오드를 구비한다. 그리고 복합 전도체-절연체 구조물과의 사이에 선택 다이오드가 배치되도록 선택 다이오드의 일측에 배치되며, 기판 상에 형성되어 있는 수직 전도막과 기판 상에 형성되어 있는 수직 절연막이 수평 전도층의 형성 방향으로 교번적으로 배치되는 전도체-절연체 수직 구조물을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020100078472A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080136747
申请日：2008-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
Inventor： 황철성
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L21/28273 , H01L27/0688 , H01L27/2409 , H01L29/513 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A vertical nonvolatile memory device is provided to prevent the errors during an information reading process by including a selective diode. CONSTITUTION: A conductive-insulating horizontal structure is formed on a substrate by alternatively stacking a vertical conductive layer and a horizontal insulating layer. A memory layer is formed on one side of the conductive-insulating horizontal structure. A composite conductive-insulating structure(240) is formed on one side of a memory layer. The memory layer is arranged between the conductive-insulating horizontal structure and the composite conductive-insulating structure. A selective diode(250) is formed on one side of the composite conductive-insulating structure. A conductive-insulating vertical structure(260) is one side of the selective diode.
Abstract translation: 目的：提供垂直非易失性存储器件，以通过包括选择性二极管来防止信息读取过程中的错误。 构成：通过交替堆叠垂直导电层和水平绝缘层，在衬底上形成导电绝缘水平结构。 存储层形成在导电绝缘水平结构的一侧上。 复合导电绝缘结构（240）形成在存储层的一侧。 存储层布置在导电绝缘水平结构和复合导电绝缘结构之间。 在复合导电绝缘结构的一侧上形成选择二极管（250）。 导电绝缘垂直结构（260）是选择二极管的一侧。
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公开(公告)号：KR1020170003866A
公开(公告)日：2017-01-10
申请号：KR1020150093780
申请日：2015-06-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/316
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633
Abstract: 본발명은, 가변저항체, 이를이용한비휘발성메모리소자및 이들의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 타이타늄(Ti)의제 1 전극; 쇼트키장벽층을형성하기위한제 2 전극; 상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에, 산소결핍하프늄산화막(HfO, 0
Abstract translation: 提供一种半导体技术，更具体地说，涉及一种可变电阻器，使用该可变电阻器的非易失性存储器件及其制造方法。 可变电阻器可以包括包括钛（Ti）的第一电极; 用于形成肖特基势垒的第二电极; 以及在所述第一电极和所述第二电极之间包含氧缺氧氧化铪膜（HfO 2-x，0
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公开(公告)号：KR101632496B1
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020140131992
申请日：2014-09-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01G4/12
Abstract: 본발명은반강유전체를이용한세라믹커패시터, 이의제조방법및 이를포함하는전력전자기기에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, HfMO이고, 0.01 x ≤ 0.99 의화학식으로이루어진반강유전체세라믹커패시터가제공된다. 상기 M은지르코늄(Zr), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 이트듐(Y), 스트론튬(Sr), 란타넘(La) 및가돌리늄(Gd) 중어느하나또는 2 이상화합물을포함하며, 상기세라믹커패시터는적어도일부가유전층과중첩되는하부전극및 상부전극을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140108616A
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：KR1020140092509
申请日：2014-07-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: To improve the electrical property of a capacitor device, a capacitor device according to the embodiment of the present invention can include a substrate made of a semiconductor material, a first electrode arranged on the substrate, an oxide layer which is arranged on the first electrode and is made of an insulating material, a second electrode which is arranged on the oxide layer and made of a metallic material, and a third electrode which is arranged between the oxide layer and the second electrode and is made of a conductive oxide.
Abstract translation: 为了提高电容器器件的电性能，根据本发明的实施例的电容器器件可以包括由半导体材料制成的衬底，布置在衬底上的第一电极，布置在第一电极上的氧化物层和 由绝缘材料制成，第二电极布置在氧化物层上并由金属材料制成，第三电极设置在氧化物层和第二电极之间，并由导电氧化物制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140092421A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020120147637
申请日：2012-12-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L21/02046 , H01L21/02205 , H01L21/324 , H01L27/108 , H01L2924/01038 , H01L2924/01044
Abstract: The present invention relates to a method of fabricating a SrRuO_3 electrode, a method of fabricating a capacitor, and a semiconductor device. According to an embodiment of the present invention, a method of fabricating a SrRuO_3 film by repeating at least one super cycle includes a first step of performing an atom deposition sub-cycle m number of times (m is an integer equal to or greater than 1) to form a SrO layer on a substrate in a chamber; and a second step of performing a chemical vapor deposition sub-cycle n number of times (n is an integer equal to or greater than 1) to form a RuO_2 layer on the substrate while alternating with the first step in the same chamber as the first step.
Abstract translation: 本发明涉及制造SrRuO_3电极的方法，制造电容器的方法和半导体器件。 根据本发明的一个实施方案，通过重复至少一个超级循环来制造SrRuO 3膜的方法包括执行原子沉积次周期m次的第一步骤（m是等于或大于1的整数） ）以在腔室中的衬底上形成SrO层; 以及进行化学气相沉积次周期n次数（n为1以上的整数）的第2工序，在与第1工序相同的室内与第1工序交替而在衬底上形成RuO_2层 步。
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公开(公告)号：KR1020110103185A
公开(公告)日：2011-09-20
申请号：KR1020100022392
申请日：2010-03-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C23C16/40 , C23C16/00 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 본 발명은 루테늄 사산화물을 이용하여 루테늄 산화막을 증착하되, 낮은 공정온도에서 높은 증착속도를 얻을 수 있는 루테늄 산화막 증착방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 루테늄 산화막 증착방법은 기판 상에 루테늄 사산화물(ruthenium tertoxide, RuO
4 )을 공급한 후, 루테늄 사산화물이 공급된 기판 상에 루테늄 사산화물을 환원시키는 환원가스를 임계시간(t
cr ) 이하의 시간 동안 공급하여, 기판 상에 루테늄 산화막을 형성한다. 임계시간은 기판 상에 루테늄 산화막이 형성되도록 하는 가장 긴 환원가스 공급시간이다.-
公开(公告)号：KR1020110049177A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020090106075
申请日：2009-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C23C16/305 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A method for depositing a chalcogenide thin film is provided to make a Te precursor, a Ge precursor, and a Sb precursor to directly react each other, thereby depositing a chalcogenide thin film without a separate reducing agent. CONSTITUTION: A chalcogenide thin film is deposited without a reducing agent such as H2, NH3, and alcohol at a low temperature which is under 100°C. A Te precursor, a Ge precursor, and a Sb precursor directly react each other so that a chalcogenide thin film such as Ge-Te, Sb-Te, and Ge-Sb-Te are deposited on a TiN substrate. Si is coupled with Te in a Te precursor. Oxygen is coupled with Ge and Sb in the Ge precursor and Sb precursor. A deposition temperature is reduced between 50 and 80°C.
Abstract translation: 目的：提供一种沉积硫族化物薄膜的方法，使Te前体，Ge前体和Sb前体直接相互反应，从而沉积无需单独还原剂的硫族化物薄膜。 构成：在低于100℃的低温下，不含还原剂如H 2，NH 3和醇沉积硫族化物薄膜。 Te前体，Ge前体和Sb前体直接相互反应，使得诸如Ge-Te，Sb-Te和Ge-Sb-Te的硫族化物薄膜沉积在TiN衬底上。 Si在Te前体中与Te结合。 氧与Ge前体和Sb前体中的Ge和Sb结合。 沉积温度在50至80℃之间降低。
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公开(公告)号：KR1020100051993A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：KR1020080110831
申请日：2008-11-10
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: PURPOSE: The capacitor of a semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to form a dielectric film with a high dielectric constant at a lower temperature by forming a ruthenium layer and a titanium oxide dielectric film after a titanium nitride electrode is treated with plasma. CONSTITUTION: A titanium nitride lower electrode(120) is formed on a semiconductor substrate. The surface of the titanium nitride lower electrode is treated with plasma. A ruthenium layer(130) is formed on the titanium nitride lower electrode. A titanium oxide dielectric film(140) is formed on the ruthenium layer. An upper electrode(150) is formed on the titanium oxide dielectric film.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的电容器及其制造方法，通过在氮化钛电极被处理之后形成钌层和氧化钛电介质膜，在较低温度下形成具有高介电常数的电介质膜 等离子体。 构成：在半导体衬底上形成氮化钛下电极（120）。 用等离子体处理氮化钛下电极的表面。 在氮化钛下电极上形成钌层（130）。 在钌层上形成氧化钛电介质膜（140）。 在氧化钛电介质膜上形成上电极（150）。
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公开(公告)号：KR1020100035248A
公开(公告)日：2010-04-05
申请号：KR1020080094502
申请日：2008-09-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/22 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1666
Abstract: PURPOSE: An information recording method and an information interpretation method of a nonvolatile memory element are provided to improve data maintenance and durability by recording and reading the information by applying an identical voltage to a memory layer. CONSTITUTION: An information storage layer(120) is formed on a lower electrode(110) and comprises ferroelectrics. The information storage layer stores information according to the polarity of a remnant polarization. A memory layer(140) displays a resistance characteristic in case the ferroelectric is reversed-polarized. In case the ferroelectric is not reverse-polarized or in case the ferroelectric is completed, the switching layer(130) shows that the capacitor features are provided. An upper electrode(150) is formed on the memory layer.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储元件的信息记录方法和信息解释方法，通过对存储层施加相同的电压来记录和读取信息来提高数据维护和耐久性。 构成：信息存储层（120）形成在下电极（110）上并且包括铁电体。 信息存储层根据残留极化的极性存储信息。 在铁电反极化的情况下，存储层（140）显示电阻特性。 在铁电不是反极化的情况下，或者铁电完成的情况下，开关层（130）表示提供电容器特征。 在存储层上形成上电极（150）。
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