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公开(公告)号：KR1020130103877A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020120024853
申请日：2012-03-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/203 , C23C14/35
Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film transparent top electrode of an optical device with a sputtering method is provided to simplify manufacturing processes by directly depositing the thin film transparent top electrode on the end of a nanowire with the sputtering method. CONSTITUTION: A substrate (120) with a nanowire is arranged on one side of a reaction chamber. A sputtering target (110) is arranged on the other side of the reaction chamber. An RF magnetron sputtering process is performed in the reaction chamber under reference pressure, reference temperatures, and reference time. The substrate faces the end (122) of the nanowire. A thin film transparent top electrode is formed on the end of the nanowire.
Abstract translation: 目的：提供一种通过溅射法形成光学器件的薄膜透明顶部电极的方法，以通过溅射方法在纳米线的末端直接沉积薄膜透明顶部电极来简化制造工艺。 构成：具有纳米线的衬底（120）布置在反应室的一侧。 溅射靶（110）布置在反应室的另一侧。 在参考压力，参考温度和参考时间下，在反应室中进行RF磁控溅射工艺。 衬底面向纳米线的端部（122）。 在纳米线的末端形成薄膜透明顶部电极。
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公开(公告)号：KR101302893B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020110043895
申请日：2011-05-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 치밀한 구조 및 일정한 두께를 가진 상부전극을 나노선과 간단히 결합할 수 있으며, 나노선이 균일한 두께로 수직 성장할 수 있는 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 AZO 버퍼층이 형성된 나노 구조체의 제조방법은 투명전극 상에 AZO(Al doped ZnO) 버퍼층이 형성되는 S1단계, AZO 버퍼층 상에 제1금속을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노선이 성장되는 S2단계 및 성장된 나노선 상에 접촉되도록 상부전극이 배치되는 것을 S3단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
23.发明授权버퍼층이 형성된 금속산화물 나노구조체 자외선 센서 및 이를 응용한 화재경보장치 有权具有缓冲层的金属氧化物纳米结构的超紫外线检测器和使用具有缓冲层的金属氧化物纳米结构的超紫外线检测器的火灾监测装置
公开(公告)号：KR101220041B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020110043817
申请日：2011-05-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 버퍼층이 형성된 금속산화물 나노구조체 자외선 센서로서, 투명 전극(100); 투명 전극 상에 형성된 버퍼 층(200); 버퍼 층 상에 금속산화물로 이루어지는 금속산화물 나노구조체(300); 및 금속산화물 나노구조체(300)의 상단면에 형성된 상부 전극(400)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고 버퍼층이 형성된 금속산화물 나노구조체 자외선 센서를 구비한 화염감지센서부(800); 자외선 센서가 자외선을 감지하면, 상기 화염감지센서부로부터 신호를 받아 경보를 하는 화재경보부(1000,1100); 및 상기 화염감지센서부와 화재경보부에 전력을 공급하는 전력공급부(900)를 포함하는 것을 특징으로 하는 화재경보장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 버퍼층이 형성된 금속산화물 나노구조체 자외선 센서는 투명 기판 측에서 자외선이 조사되면, 금속산화물 나노구조체가 자외선에 반응하는 물성적 특징을 이용하여 자외선센서로 이용하는 기술분야이다.-
24.发明授权
公开(公告)号：KR101155769B1
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020090134305
申请日：2009-12-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법에 관한 것으로서, 제1 바이알 내부에 기판을 배치하고, 상온에서 바이알 내부에 아연함유 유기금속, 반응활성화제 및 용매제를 투입하는 S1 단계; 제1 바이알을 실링하는 S2 단계; 오븐에서 제1 바이알의 내부용액의 온도를 기준온도대로 상승 및 유지시키며 ZnO 나노막대를 성장시키는 S3 단계; 상기 S1 단계를 거친 제2 바이알을 상기 오븐에 넣고, 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액의 온도를 교체대상인 제1 바이알의 내부 용액의 온도로 상승시키고 에이징을 하는 S4 단계; 및 제1 바이알의 교체대상 용액에서 상기 기판을 꺼내고 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액에 배치하면서 기판을 제2 바이알에 배치한 후 제2 바이알을 실링하는 S5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 교체시 교체 용액의 온도를 기준온도로 유지하여 ZnO 나노막대를 수직방향으로 성장시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 성장온도를 유지하는 교체될 용액이 투입됨에 따라 ZnO 나노막대의 가로세로비가 향상되어 나노막대의 직경이 축소되는 효과가 있고, 용액교체시에 교체될 용액의 온도를 교체할 용액의 온도로 유지시켜 기판상에 증착된 씨앗층의 분리의 발생이 최소화되는 효과가 있다.
수열합성법, ZnO, 나노막대, 용액교체, 에이징-
公开(公告)号：KR101137632B1
公开(公告)日：2012-04-20
申请号：KR1020090078460
申请日：2009-08-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0262 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , Y10S977/811 , Y10S977/89
Abstract: Disclosed herein is a manufacturing method of metal oxide nanostructure, including the steps of: (S1) supplying a precursor containing a first metal, a precursor containing a second metal and oxygen onto a substrate; (S2) forming an amorphous second metal oxide layer on the substrate; (S3) forming first nuclei containing the first metal as a main component and second nuclei containing the second metal as a main component on the substrate; (S4) converting the first nuclei into single crystalline seed layers spaced apart from each other and converting the second nuclei into amorphous layers surrounding the first nuclei; and (S5) selectively forming rods on the seed layers and then growing the rods. The manufacturing method of metal oxide nanostructure is advantageous in that the area and thickness of an amorphous layer can be controlled by controlling the flow rate of the main component of the amorphous layer and the flow rate of the main component of the single crystalline seed layer, thereby controlling the density and diameter of the seed layer.
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Patent Agency Ranking26.发明授权반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체나노 막대를 포함하는 태양 전지 및 반도체 나노막대를포함하는 전계 발광 소자 失效半导体纳米棒，制造纳米棒的方法，具有纳米棒的太阳能电池，具有纳米棒的场致发射器件
公开(公告)号：KR101105103B1
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：KR1020080081669
申请日：2008-08-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체 나노 막대를 포함하는 태양 전지 및 반도체 나노막대를 포함하는 전계 발광 소자를 제공한다. 상기 나노 막대 형성 방법은 기판을 제공하는 단계, 상기 기판 상에 섬 모양의 씨드를 형성하는 단계, 및 상기 씨드 상에 나노 막대를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 씨드는 ZnO계 금속산화물 씨드이고, 상기 나노 막대는 ZnO계 금속산화물 나노 막대일 수 있다. 상기 씨드 및 상기 나노 막대는 스퍼터링법을 사용하여 형성할 수 있다. 이와 같이 ,씨드 상에 나노 막대를 형성함으로써 금속 촉매제를 함유하지 않으면서도 결정성이 우수한 나노 막대를 형성할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 씨드 및 상기 나노 막대를 반도체 제조방법에서 많이 사용되는 스퍼터링법을 사용하여 형성함으로써 제조단가를 낮출 수 있다.
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27.发明授权
公开(公告)号：KR101091598B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020090048891
申请日：2009-06-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/205 , G09F9/00 , H01J1/30
Abstract: 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다. 상기 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법은 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 산화아연계 버퍼층을 형성하는 것을 구비한다. 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 산화아연계 버퍼층 상에 산화아연계 나노 와이어를 형성한다. 이를 이용하는 전자 장치의 제조 방법이 또한 제공된다.
산화아연계 나노 와이어, 수직 성장, 미세 성장-
公开(公告)号：KR1020110020963A
公开(公告)日：2011-03-04
申请号：KR1020090078460
申请日：2009-08-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/0262 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , Y10S977/811 , Y10S977/89
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a metal oxide nanostructure is provided to control the density and diameter of a seed layer on which a metal oxide nanostructure is formed by controlling a formation area of an amorphous layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a metal oxide nanostructure comprises the steps of: supplying a precursor containing a first metal, a precursor containing a second metal, and oxygen to a substrate; forming a second metal oxide film of an amorphous phase on the substrate; forming first nuclei containing the first metal as a main component and second nuclei containing the second metal as a main component on the substrate; converting the monocrystal first nuclei into seed layers which are mutually distanced and the second nuclei into amorphous layers; and growing a rod selectively formed on the seed layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属氧化物纳米结构的方法，通过控制非晶层的形成面积来控制形成金属氧化物纳米结构的种子层的密度和直径。 构成：制造金属氧化物纳米结构的方法包括以下步骤：将含有第一金属，含有第二金属的前体和氧的前体供给到基底; 在所述基板上形成非晶相的第二金属氧化物膜; 在所述基板上形成包含所述第一金属作为主要成分的第一核和包含所述第二金属作为主要成分的第二核; 将单晶第一核转化为相互间隔的种子层，将第二核转变为无定形层; 并生长选择性地形成在籽晶层上的棒。
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公开(公告)号：KR1020100130295A
公开(公告)日：2010-12-13
申请号：KR1020090048890
申请日：2009-06-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/28556 , H01L21/28525 , H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A method of fabricating semiconductor thin film with a single crystal and a method of fabricating an optoelectronic device using the same are provided to single crystal film which is continuously grown from the nano wire by forming a semiconductor nano wire on a substrate using chemical vapor deposition method and implementing the same process in low temperature. CONSTITUTION: A zinc oxide semiconductor layer(104) is formed consecutively on zinc oxide nanowires. The semiconductor film includes the zinc oxide semiconductor layer and the zinc oxide nanowires. The semiconductor thin film is separated from the substrate and used as the substrate for various electronic components.
Abstract translation: 目的：使用单晶制造半导体薄膜的方法以及使用其制造光电子器件的方法提供给单晶膜，该单晶膜通过使用化学蒸气在衬底上形成半导体纳米线而从纳米线连续生长 沉积方法和在低温下实施相同的工艺。 构成：在氧化锌纳米线上连续形成氧化锌半导体层（104）。 半导体膜包括氧化锌半导体层和氧化锌纳米线。 半导体薄膜与衬底分离并用作各种电子部件的衬底。
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公开(公告)号：KR1020210014856A
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR1020190092814
申请日：2019-07-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은금속전구체및 수산화이온을함유하는용액상에기판을함침하는단계, 및상기용액상에전압을인가하여상기기판상에금속산화물을형성하는단계를포함하고, 상기용액은계면활성제를포함하며, 상기계면활성제의종류에따라상기금속산화물의결정의성장방향이조절되는것인, 산화물반도체의제조방법에관한것이다.
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