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公开(公告)号：KR1020150015288A
公开(公告)日：2015-02-10
申请号：KR1020130091170
申请日：2013-07-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/08
CPC classification number: G03G15/0812 , G03G15/081 , G03G15/0921 , G03G2215/0609
Abstract: 개시된 현상기는 이성분 현상제를 채용한 현상기로서, 현상 롤러와의 사이에 제1, 제2, 제3규제간격을 각각 형성하는 제1, 제2, 제3규제부재를 포함한다. 제3규제부재는 제2규제부재와의 사이에 제1, 제2규제간격을 통과하지 못한 초과 현상제를 교반 영역으로 회수하는 회수 경로를 형성한다. 현상 롤러의 회전 방향을 기준으로 하여 제2규제부재의 상류측 단부를 통과하는 연직선과 현상 롤러의 중심과의 거리는 현상 롤러의 반경보다 크며, 제3규제부재의 하류측 단부는 규제극과 캐치극 사이에 위치된다.
Abstract translation: 所公开的显影装置采用双层复合材料的显影剂，包括形成第一调节间隔，第二调节间隔和第三调节间隔的第一调节构件，第二调节构件和第三调节构件， 滚筒。 在第三调节构件和第二调节构件之间形成恢复路径，以回收在搅拌区域中不通过第一调节间隔和第二调节间隔的过量显影剂。 基于显影辊的旋转方向，显影辊的中心和通过第二调节构件的上侧的端部的垂直线之间的距离大于显影辊的半径。 第三调节构件的下侧的端部位于调节极和捕捉极之间。
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公开(公告)号：KR1020150011657A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR1020130086892
申请日：2013-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/28088 , H01L21/28556
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 반도체 장치는 기판 상의 게이트 전극, 및 상기 기판과 상기 게이트 전극 사이의 게이트 유전 패턴을 포함한다. 상기 게이트 전극은 상기 게이트 유전 패턴 상에 있고, 알루미늄(Al)을 포함하는 제1 도전 패턴, 및 상기 제1 도전 패턴과 상기 게이트 유전 패턴 사이에 있고, 상기 제1 도전 패턴보다 알루미늄(Al)의 농도가 높은 제2 도전 패턴을 포함한다. 상기 제2 도전 패턴의 두께는 상기 제1 도전 패턴의 두께보다 두껍다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括衬底上的栅电极和衬底与栅电极之间的栅电介质图案。 栅电极包括形成在栅极电图案上并包括Al的第一导电图案和位于第一导电图案和栅极电介质图案之间并且与第一导电图案相比具有较高Al浓度的第二导电图案。 第二导电图案的厚度比第一导电图案的厚度厚。
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公开(公告)号：KR1020150000267A
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020130072504
申请日：2013-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/42356 , H01L21/76831 , H01L29/7802
Abstract: 반도체 소자가 제공된다. 반도체 소자는, 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 기판 및 상기 제1 영역 상에 형성된 제1 폭의 제1 게이트 전극 및 상기 제2 영역 상에 형성된 상기 제1 폭과 다른 제2폭의 제2 게이트 전극을 포함하되, 상기 제1 게이트 전극은, 상기 제1 영역 상에 형성된 제1 트렌치를 포함하는 제1 게이트 절연막과, 상기 제1 게이트 전극의 일함수를 조절하고, 상기 제1 절연막 상에 상기 제1 트렌치를 채우도록 형성된 제1 기능막을 포함하고, 상기 제2 게이트 전극은, 상기 제2 영역 상에 각각 형성된 제2 트렌치를 포함하는 제2 게이트 절연막과, 상기 제2 게이트 전극의 일함수를 조절하며, 상기 제2 절연막 상에 형성되고 상기 제2 트렌치보다 작은 제3 트렌치를 포함하는 제2 기능막과, 상기 제3 트렌치를 채우도록 형성된 게이트 메탈을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供能够提高栅极性能的半导体器件。 根据本发明的半导体器件包括：衬底，其包括第一区域和第二区域，形成在第一区域上的第一宽度的第一栅极电极和形成在第二区域上的第二宽度的第二栅极电极， 第二个地区。 其中，第二宽度与第一宽度不同。 第一栅极包括第一栅极绝缘层，其包括形成在第一区域上的第一沟槽和控制第一栅电极的功函数并形成在第一绝缘层上以填充第一沟槽的第一功能层 。 第二栅电极包括第二栅极绝缘层，其包括形成在第二区域上的第二沟槽，第二功能层，其控制第二栅电极的功函数，并且包括形成在第二绝缘层上的第三沟槽 并且小于第二沟槽，以及填充第三沟槽的栅极金属部分。
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24.发明授权
公开(公告)号：KR101445340B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020070054135
申请日：2007-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L27/26
CPC classification number: H04L5/0044 , H04L1/0071 , H04L5/0007
Abstract: OFDM 송신 장치가 개시된다. 본 OFDM 송신 장치는, 서로 다른 우선 순위를 가지는 부반송파들을 생성하는 OFDM 송신처리부, 기 정의된 복수의 인터리빙 룰 중 하나를 순차적으로 선택하여, 부반송파 들에 대한 부반송파 단위의 인터리빙을 수행하는 인터리빙 부 및 인터리빙된 부반송파들로 구성된 OFDM 심볼을 무선 채널을 통해 출력하는 송신부를 포함한다. 이에 따라, 연속적인 페이딩 열화 현상을 방지할 수 있게 된다.
OFDM, 인터리빙 룰, 페이딩-
公开(公告)号：KR1020140113045A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130027928
申请日：2013-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H05K9/0024 , G06F1/1613 , G06F1/185 , H04M1/026 , H04M1/0277 , Y10T29/49147
Abstract: The present invention relates to a portable terminal and a method of manufacturing a module of the portable terminal. The portable terminal according to the present invention includes a module, in which a storage member is disposed. The module comprises a first module having a shield can and a flexible circuit board attached on one surface of the shield can, and at least one socket unit mounted to an upper side of the first module, wherein the socket unit is mounted to the upper side of the flexible circuit board while the first module is positioned on a jig. Also, the method of manufacturing a module, in which a storage member is disposed, of a portable terminal according to the present invention comprises the steps of: attaching a flexible circuit board to one surface of a shield can to make a first module; positioning the first module on a jig; and mounting at least one socket unit on the flexible circuit board.
Abstract translation: 便携式终端及其制造方法技术领域本发明涉及一种便携式终端及其制造方法。 根据本发明的便携式终端包括其中设置有存储构件的模块。 该模块包括具有屏蔽罐的第一模块和安装在屏蔽壳的一个表面上的柔性电路板，以及安装在第一模块的上侧的至少一个插座单元，其中插座单元安装在上侧 的第一模块位于夹具上。 此外，根据本发明的制造便携式终端的存储部件的模块的制造方法包括以下步骤：将柔性电路板附接到屏蔽罐的一个表面以制造第一模块; 将第一模块定位在夹具上; 以及在柔性电路板上安装至少一个插座单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140094335A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：KR1020130007048
申请日：2013-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L27/1104 , H01L29/51 , H01L29/6681 , H01L21/28158 , H01L29/7802 , H01L29/7804
Abstract: A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises an interlayer insulating film formed on a substrate and including a trench; a gate insulating film formed in the trench; a density of interface trap (DIT) improvement film improving the DIT of the substrate; and a first conductivity type work function control film formed on the DIT improvement film.
Abstract translation: 提供半导体器件。 半导体器件包括形成在衬底上并包括沟槽的层间绝缘膜; 形成在沟槽中的栅极绝缘膜; 界面陷阱（DIT）改进膜的密度改善了基板的DIT; 以及形成在DIT改良膜上的第一导电型功函数控制膜。
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公开(公告)号：KR1020140090355A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020130001940
申请日：2013-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04R1/02 , H01Q1/2258 , H01Q1/2283 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H04M1/03 , H04R1/023 , H04R1/028 , H04R2499/11 , Y10T29/49016
Abstract: A terminal device including a speaker according to the present invention includes: a first top carrier which includes a speaker grille in a hole formed on one side thereof as an additional piece; and a second top carrier which includes an intenna pattern on at least one side thereof and is combined to one end of the first top carrier.
Abstract translation: 包括根据本发明的扬声器的终端装置包括：第一顶部托架，其包括在其一侧形成的作为附加件的孔中的扬声器格栅; 以及第二顶部载体，其在其至少一侧包括天线图案，并且组合到第一顶部载体的一端。
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公开(公告)号：KR1020140062896A
公开(公告)日：2014-05-26
申请号：KR1020120129816
申请日：2012-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0231 , G06F1/1698 , H01Q1/2258 , H01Q1/2266 , H01Q1/241 , H01Q1/242 , H01Q1/243 , H01Q7/00
Abstract: The present invention relates to a keyboard which includes a wireless communication antenna mounted below the key caps on the keyboard and a mobile device including the keyboard. The keyboard according to an embodiment of the present invention includes: multiple key caps; and the wireless communication antenna which is mounted below the key caps on the keyboard. The wireless communication antenna is mounted below the key caps.
Abstract translation: 本发明涉及一种键盘，其包括安装在键盘上的键帽下方的无线通信天线和包括键盘的移动设备。 根据本发明实施例的键盘包括：多个键帽; 以及安装在键盘上的键帽下方的无线通信天线。 无线通信天线安装在钥匙盖下方。
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公开(公告)号：KR1020140025798A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120091920
申请日：2012-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L23/498 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/441 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L23/49844 , H01L23/5226 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/2481 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00 , H01L27/0688
Abstract: A method of forming a stack of electrodes and a three-dimensional semiconductor device fabricated thereby. The device may include an electrode structure where electrodes are successively stacked on a substrate. Each electrode may include a connection part which horizontally and externally protrudes from a sidewall of one among the electrodes which are located on the upper part thereof, and an arrangement part which has a sidewall which forms a common surface with a sidewall of one among the electrodes which are located on the upper or the lower part thereof. At this time, at least two arrangement parts which are vertically adjacent to each other among the electrodes may include sidewalls having a common surface. [Reference numerals] (CE) Common etching step (Simultaneously etching each part of a connection part) (At least once) (Single layer/Multilayer); (S1) Stack horizontal films in turn; (S2) Form a stair-type connection structure; (SE) Selective etching step (Locally etching a certain part of a connection part) (At least once) (Single layer/Multilayer)
Abstract translation: 形成电极堆叠的方法和由此制造的三维半导体器件。 该器件可以包括电极结构，其中电极依次堆叠在衬底上。 每个电极可以包括从位于其上部的电极中的一个的侧壁水平和从外部突出的连接部分，以及具有与电极中的一个的侧壁形成共同表面的侧壁的布置部分 它们位于其上部或下部。 此时，在电极之间彼此垂直相邻的至少两个布置部分可以包括具有共同表面的侧壁。 （附图标记）（CE）常用蚀刻步骤（同时蚀刻连接部分的每个部分）（至少一次）（单层/多层）; （S1）依次堆叠水平胶片; （S2）形成楼梯式连接结构; （SE）选择性蚀刻步骤（局部蚀刻连接部分的某一部分）（至少一次）（单层/多层）
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公开(公告)号：KR1020130038587A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110103026
申请日：2011-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B1/0458 , H04B1/18
Abstract: PURPOSE: An antenna matching device of a portable terminal, and a method thereof are provided to effectively control antenna matching in the portable terminal. CONSTITUTION: A control unit(110) inputs state information of a portable terminal to an FPGA(Field Programmable Gate Array) unit. The FPGA unit(120) outputs optimal TMN(Tunable Matching Network) control value corresponding to the state information of the portable terminal. A TMN unit(140) executes antenna matching through the optimal TMN control value outputted from the FPGA unit. A memory(130) stores a reference table storing the optimal TMN control value corresponding to the state information of the portable terminal . [Reference numerals] (110) Control unit; (120) FPGA unit; (130) Memory; (140) TMN unit; (150) RF unit; (160) Modem; (170) Proximity sensor; (180) Microphone; (190) Display unit; (AA,BB) Reference table;
Abstract translation: 目的：提供便携式终端的天线匹配装置及其方法，以有效地控制便携式终端中的天线匹配。 构成：控制单元（110）将便携式终端的状态信息输入到FPGA（现场可编程门阵列）单元。 FPGA单元（120）输出与便携式终端的状态信息对应的最佳TMN（可调匹配网络）控制值。 TMN单元（140）通过从FPGA单元输出的最佳TMN控制值执行天线匹配。 存储器（130）存储存储与便携式终端的状态信息相对应的最佳TMN控制值的参考表。 （附图标记）（110）控制单元; （120）FPGA单元; （130）记忆; （140）TMN单元; （150）射频单元; （160）调制解调器 （170）接近传感器; （180）麦克风; （190）显示单元; （AA，BB）参考表;
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