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公开(公告)号：KR102212267B1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：KR1020140032248
申请日：2014-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 반도체장치제조방법이제공된다. 반도체장치제조방법은, 기판상에트렌치를포함하는층간절연막을형성하고, 상기트렌치내에고유전율(high-k)막을형성하고, 상기고유전율막상에확산막과차단막을순차적으로형성하고, 상기기판에어닐링을수행하고, 상기차단막과상기확산막을순차적으로제거하고, 상기고유전율막상에제1 배리어막을형성하고, 상기제1 배리어막상에순차적으로일함수조절막, 제2 배리어막및 게이트메탈을형성하고, 상기게이트메탈상에캡핑막을형성하는것을포함한다.
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3.发明授权상보형 ＭＯＳ 트랜지스터, 상기 상보형 ＭＯＳ 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 반도체 모듈 有权包括半导体器件的CMOS晶体管半导体模块的CMOS晶体管半导体器件
公开(公告)号：KR101656444B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020100006553
申请日：2010-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/092
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L27/0811 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 상보형 MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS) 트랜지스터를제공할수 있다. 이를위해서, 반도체기판의제 1 및 2 영역들에제 1 및 2 배선구조체들이배치될수 있다. 상기제 1 및 2 영역들은반도체기판에서서로다른도전성들을가질수 있다. 상기제 1 및 2 배선구조체들은반도체기판상에위치할수 있다. 상기제 1 배선구조체는제 2 배선구조체와다른적층구조를가질수 있다. 상기상보형 MOS 트랜지스터는반도체장치에배치될수 있다. 더불어서, 상기반도체장치는반도체모듈에배치될수 있다.
Abstract translation: 提供了CMOS晶体管，具有晶体管的半导体器件和具有该器件的半导体模块。 CMOS晶体管可以包括分别设置在半导体衬底的第一和第二区域中的第一和第二互连结构。 半导体衬底的第一和第二区域可以具有不同的导电类型。 第一和第二互连结构可以设置在半导体衬底上。 第一互连结构可以具有与第二互连结构不同的堆叠结构。 CMOS晶体管可以设置在半导体器件中。 半导体器件可以设置在半导体模块中。
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公开(公告)号：KR1020150109159A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140032248
申请日：2014-03-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823864 , H01L21/845 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/435 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6681 , H01L29/7848
Abstract: 반도체장치제조방법이제공된다. 반도체장치제조방법은, 기판상에트렌치를포함하는층간절연막을형성하고, 상기트렌치내에고유전율(high-k)막을형성하고, 상기고유전율막상에확산막과차단막을순차적으로형성하고, 상기기판에어닐링을수행하고, 상기차단막과상기확산막을순차적으로제거하고, 상기고유전율막상에제1 배리어막을형성하고, 상기제1 배리어막상에순차적으로일함수조절막, 제2 배리어막및 게이트메탈을형성하고, 상기게이트메탈상에캡핑막을형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成包括沟槽的层间绝缘层; 在沟槽中形成高k电介质层; 在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层; 随后在衬底上进行退火; 退火后依次去除阻挡层和扩散层; 在高k电介质层上形成第一阻挡层; 在第一阻挡层上依次形成功函数控制层，第二阻挡层和栅极金属; 并在栅极金属上形成覆盖层。
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公开(公告)号：KR1020130118601A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：KR1020120041598
申请日：2012-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/0886 , H01L29/4966
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a fin-type field effect transistor is provided to improve the uniformity of electrical properties by minimizing the variations of the electrical properties in a plurality of FinFETs on one substrate. CONSTITUTION: A gate insulating layer (120) covers the upper surface and both lateral surfaces of an active region (106). A gate line (130) covers the upper surface and both lateral surfaces of the active region and is extended across the active region. The gate line includes a metal nitride containing film (132), an Al-doped metal containing film (134), a conductive capping layer (136), and a gap-fill metal film (138). The Al-doped metal containing film covers the upper surface and both lateral surfaces of the active region with a preset thickness. The gap-fill metal film is formed on the Al-doped metal containing film.
Abstract translation: 目的：提供一种包括鳍式场效应晶体管的半导体器件，通过最小化一个衬底上的多个FinFET中的电特性的变化来改善电特性的均匀性。 构成：栅极绝缘层（120）覆盖有源区域（106）的上表面和两个侧表面。 栅极线（130）覆盖有源区域的上表面和两个侧表面并且跨越有源区域延伸。 栅极线包括含金属氮化物膜（132），含Al掺杂金属膜（134），导电覆盖层（136）和间隙填充金属膜（138）。 含Al掺杂金属的膜覆盖有预定厚度的有源区的上表面和两个侧表面。 间隙填充金属膜形成在含Al掺杂金属的膜上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR200465443Y1
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR2020080001657
申请日：2008-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 외부로부터 물을 공급받지 않아도 저장박스 내부의 습도를 유지할 수 있는 수분공급장치를 구비한 냉장고를 개시한다. 본 고안의 수분공급장치는 저장실 내부의 수분을 응축하여 수집하는 응축부와, 저장실과 저장박스 각각에서 돌출하여 분할판을 관통하며, 응축부와 접촉되어 응축부에서 흡수된 수분을 전달받는 다공성전극과, 다공성전극과 이격되도록 설치되어 다공성전극과의 사이에서 정전분무를 발생시키는 접지전극과, 다공성전극과 접지전극에 전원을 각각 인가하는 전압원을 포함한다. 이에 따라 개시된 냉장고에서는 응축부와, 응축부에서 흡수된 수분을 저장박스로 정전분무 시키는 다공성전극, 접지전극, 전압원의 작용에 의해 외부의 물을 공급받지 않아도 저장박스 내부의 습도를 유지할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR200463891Y1
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR2020070020074
申请日：2007-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 고안은 냉장고 및 김치 냉장고에 관한 것으로서, 특히 오목렌즈를 이용하여 저장공간에 효과적으로 자외선 빛을 조사할 수 있어 인체에 유해한 분해산물을 생성하지 않고, 안전하게 농약을 저감할 수 있는 냉장고에 관한 것이다.
본 고안에 따른 냉장고는 일측이 개방된 저장 박스와, 상기 저장 박스의 개방부를 덮는 저장 박스 커버와, 상기 저장 박스 내부의 살균을 위해 설치된 자외선 램프를 포함하는 냉장고에 있어서, 상기 저장 박스 커버에 오목렌즈를 설치하여 상기 자외선 램프의 빛이 상기 오목렌즈에 의해 확산되어 빛의 조사 각도를 보다 크게 할 수 있는 것을 특징으로 한다.Abstract translation: 本主题创新涉及一种冰箱和泡菜冰箱，特别是，有可能通过使用凹透镜可以与紫外光有效地在所述存储空间照射而不产生有害的降解产物对人体，对能够安全地降低农药的冰箱。
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公开(公告)号：KR101101817B1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020060081233
申请日：2006-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명에 따른 냉장고는 저장실이 형성된 본체와; 저장실 내부를 구획하며, 고전압이 인가되는 고전압 선반과; 고전압 선반과 교호적으로 배치되며, 접지되는 접지 선반을 포함한다. 이에 의하여, 저장실 내부에 전기장의 밀도를 균일하게 유지하며, 저장된 식품의 신선도를 신뢰성 있게 유지시킬 수 있다.
냉장고, 선반, 고전압Abstract translation: 根据本发明的冰箱包括：具有储藏室的主体; 高压架子，用于分隔储藏室的内部并向其施加高电压; 它与高压架交替放置，并包括一个接地的接地板条。 因此，电场的密度可以均匀地保持在储存室中，并且可以可靠地保持储存的食物的新鲜度。
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公开(公告)号：KR2020090008361U
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：KR2020080002044
申请日：2008-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D29/00 , F25D11/022 , F25D2600/02 , F25D2600/06 , F25D2700/06 , F25D2700/12
Abstract: 본 고안은 냉장고에 관한 것으로, 본 고안은 냉장실 일측에 형성된 특정실,상기 특정실에 저장된 식품의 저장기간에 따라 상기 특정실의 온도를 가변 제어하는 제어부를 포함한다.
냉장고, 식품, 온도-
公开(公告)号：KR100706244B1
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020050029068
申请日：2005-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 엔형 트랜지스터 및 피형 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치에 관련된 것으로서, 집적회로의 소형화에 따른 적절한 게이트 구조를 개시한다. 본 발명에 따르면, 주변회로 영역의 피형 트랜지스터는 게이트 절연막과 접하는 금속층을 포함하고 셀 영역 및 주변회로 영역의 엔형 트랜지스터는 게이트 절연막과 접하는 폴리실리콘층을 포함한다.
씨모스, 일함수, 문턱전압, 금속 게이트, 폴리실리콘Abstract translation: 本发明涉及一种包括圆形晶体管和待成形晶体管的半导体器件，并且公开了用于集成电路小型化的适当的栅极结构。 根据本发明，要在外围电路区域中处理的晶体管包括与栅极绝缘膜接触的金属层，并且单元区域和外围电路区域中的晶体管包括与栅极绝缘膜接触的多晶硅层。
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