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公开(公告)号：KR1020100025832A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080084549
申请日：2008-08-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N21/66
Abstract: PURPOSE: A gas detecting circuit capable of detecting and treating signals of multiple sensors is provided to maximally reduce power consumption by only activating a circuit required for detecting. CONSTITUTION: A gas detecting circuit capable of detecting and treating signals of multiple sensors comprises a sensor signal detecting part(100), a digital control part(200), and a Universal Asynchronous Receiver/Transmitter(300). The sensor signal detecting part detects multiple gas sensor signals. The digital control part controls the sensor signal detecting part. The UART is an I/O interface for data communication, and transfers data of a detected signal.
Abstract translation: 目的：提供能够检测和处理多个传感器信号的气体检测电路，通过仅启动检测所需的电路，最大限度地降低功耗。 构成：能够检测和处理多个传感器的信号的气体检测电路包括传感器信号检测部分（100），数字控制部分（200）和通用异步收发器（300）。 传感器信号检测部检测多个气体传感器信号。 数字控制部控制传感器信号检测部。 UART是用于数据通信的I / O接口，并传输检测信号的数据。
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公开(公告)号：KR100695674B1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：KR1020040087027
申请日：2004-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 단일 반도체 광증폭기(SOA)의 이득포화 특성을 이용한 전광 OR 논리소자 구현장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 광컴퓨팅과 같은 광회로의 임의의 지점에서 전송되는 광신호를 펌프신호와 조사신호로 이용하여 전광 논리동작을 하는 새로운 전광 OR 논리소자를 구현하는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 광펄스를 생성하기 위한 광펄스 발생기와; 상기 광펄스 발생기로부터 입력신호 패턴 A와 B를 생성하기 위한 모드잠김 광섬유 레이저(MLFL); 상기 모드잠김 광섬유 레이저의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제1 광분배기; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 시간 지연을 얻기 위한 제1 광지연수단; 상기 제1 광분배기로부터 출력광의 세기와 편광을 조절하기 위한 광조절 수단; 상기 제1 광지연수단 및 광조절 수단으로부터의 출력광을 결합시켜 조사신호로서 입력신호 패턴 A를 발생시키는 제1 광결합기; 상기 제1 광결합기로부터의 출력광을 50:50으로 분리하기 위한 제2 광분배기; 상기 제2 광분배기로부터의 출력광이 시간 지연되어 입력신호 패턴 B가 발생되는 제2 광지연수단; 상기 입력신호 패턴 B가 50:50으로 분리되기 위한 제3 광분배기; 상기 제3 광분배기에서 한 측의 입력신호 패턴 B를 펌프신호로 증폭하기 위한 어븀첨가 광섬유 증폭기(EDFA); 상기 펌프신호와 조사신호가 반대방향으로 입사되는 반도체 광증폭기(SOA); 상기 반도체 광증폭기로부터의 출력신호와 입력 신호 패턴(B)를 결합하는 제2 광결합기; 및 상기 제2 광결합기로부터의 출력광을 검출하여 분석하는 광신호 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전광 OR 논리소자 구현장치 를 제시한다.
반도체 광증폭기(SOA), 전광 OR 논리소자, 조사신호, 펌프신호-
公开(公告)号：KR100539465B1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040015790
申请日：2004-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법에 관한 것으로서 특히 스마트 컷(Smart-cut) 방법에 의해 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 박막층 분리의 필수 조건인 수소에 의해 유기된 미세균열(microcrack)이 형성된 결과로서 나타나는 표면 기포가 형성되는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 SOI 기판의 박막 분리를 위한 표면기포 형성방법에 있어서, 제 1기판의 일정 두께를 열산화하는 제 1단계와; 상기 제 1기판의 열산화막 두께 보다 깊은 일정 깊이로 이온 주입하는 제 2단계와; 상기 이온 주입된 제 1기판을 제 2기판과 접합하는 제 3단계와; 상기 접합된 제 1 및 제 2기판을 300 ~ 600℃ 범위에서 10 ~ 30분 동안 열처리함으로써 미세균열에 의해 표면 기포가 형성된 이온 주입 박막을 분리하는 제 4단계; 및 상기 분리된 박막 표면을 연마하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법을 제시한다.
따라서 본 발명은 스마트 컷(Smart-cut) 기술로 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 열처리 시간의 감소와 표면 기포의 형성 여부로 박막분리의 여부를 결정함으로써 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 박막분리 공정 에러를 줄일 수 있다.-
公开(公告)号：KR100524580B1
公开(公告)日：2005-10-31
申请号：KR1020030071073
申请日：2003-10-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02F1/0955 , G02B6/2813 , G02F2001/212 , G02F2001/217
Abstract: 본 발명은 다중모드 간섭형(Multi-Mode Interference : MMI) 구조 및 자기 광학 물질로 이루어진 클래딩층 이용하여 광 진행시 발생하는 불필요한 반사광들을 제거하고 단길이 집적화가 가능한 MMI 구조의 집적 광 아이솔레이터를 구현하는 것으로서, 광의 진행방향에 따라 광학적 성질들이 변화하는 비가역적 위상변위 효과를 이용한다.
광도파로 형태의 광 아이솔레이터를 구현하기 위해서는 입력되는 광을 동일한 파워를 가지는 두개의 광도파로로 나눠야 한다. 즉, 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄이기 위해서는 입력광을 두개의 도파로로 분리하는데 필요한 길이가 짧아져야 한다. MMI 구조의 광도파로는 입력광을 두개의 도파로로 나누는데 필요한 길이가 마하 젠더 형태의 광도파로보다 훨씬 짧기 때문에 광 아이솔레이터 소자의 길이를 줄일 수 있게 된다. 또한 MMI 구조는 제작상의 허용오차가 크므로 제작이 용이한 장점을 가진다.-
公开(公告)号：KR100507331B1
公开(公告)日：2005-08-08
申请号：KR1020030017651
申请日：2003-03-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 접합을 위한 시료 고정장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 동종 및 이종 반도체 웨이퍼를 접합할 때 접합면에서 양질의 균일성을 얻기 위해 임의 두께의 웨이퍼와 임의 크기의 시료에 임의 크기 압력을 직접 가할 수 있는 시료 고정장치에 관한 것이다.
본 발명의 시료 고정장치는, 접합될 웨이퍼 시료가 장착되는 장착부와 상기 시료를 조임으로써 결합되도록 볼트 구멍이 형성된 홀더와, 상기 홀더의 하부에 놓여지고 상기 시료를 조임으로써 결합되도록 볼트 구멍이 형성된 하판과, 상기 시료의 상부에 위치되고 홀더의 위로 일부가 돌출되는 가압 부재와, 상기 가압 부재의 돌출되는 부위와 접촉되고 상기 시료를 조임으로써 결합되도록 볼트 구멍이 형성된 상판과, 상기 홀더와 하판과 상판에 형성된 볼트 구멍을 통해 삽입되어 상기 각 구성부를 조임으로써 결합되는 다수개의 결합 볼트로 구성된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100492480B1
公开(公告)日：2005-05-30
申请号：KR1020020065155
申请日：2002-10-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 파장가변 전광 NOR 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 EMILD 소자의 구조중 EAM 영역에 순바이어스를 인가하여 SOA의 특성인 이득포화를 유도함으로써 전광 NOR 논리소자를 구현하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 논리소자 구현방법은, EAM 영역의 전면에 AR 코팅을 하는 제1단계; DFB-LD 영역의 후면에 HR 코팅을 하는 제2단계; 상기 EAM 영역과 DFB-LD 영역이 서로 연결된 EMILD 소자의 EAM 영역에 두 입력신호 A와 B를 합쳐서 주입하여 이득포화를 일으키는 제3단계; 및 상기 DFB-LD 영역에서 나오는 CW 신호가 EAM 영역에 주입되어 EAM 영역에서 이득포화에 의해 변조되는 제4단계;를 포함하여 NOR의 논리를 가지고 출력되는 것을 특징으로 한다.
본원발명에 의하면, 파장가변 전광 NOR 논리소자를 구현하면서도 집적소자를 이용하였으므로, 종래의 구성보다 간단하여 시스템의 구성이 용이하고, 결합손실을 줄일 수 있어 증폭기와 같은 시스템 구성요소가 필요없다.-
公开(公告)号：KR1020040091797A
公开(公告)日：2004-11-02
申请号：KR1020030025361
申请日：2003-04-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for producing an electro-optic NOR logic device are provided to produce a 10Gbit/s electro-optic NOR device using gain saturation characteristic of a semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An apparatus for producing an electro-optic NOR device includes a pump signal generator, a scan signal generator, and a NOR producing unit. The pump signal generator uses an input signal pattern A and an input signal pattern B to generate the signal A+B corresponding to the sum of the input signal patterns and uses the signal A+B as a pump signal. The scan signal generator generates a clock signal from the input signal A and uses the clock signal as a scan signal. The NOR producing unit simultaneously inputs the scan signal and pump signal to a semiconductor optical amplifier in opposite directions.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电光NOR逻辑器件的装置和方法，以使用半导体光放大器的增益饱和特性来产生10Gbit / s的电光NOR器件。 构成：用于制造电光NOR装置的装置包括泵信号发生器，扫描信号发生器和NOR产生单元。 泵浦信号发生器使用输入信号模式A和输入信号模式B产生对应于输入信号模式之和的信号A + B，并使用信号A + B作为泵浦信号。 扫描信号发生器从输入信号A产生时钟信号，并使用时钟信号作为扫描信号。 NOR产生单元同时将扫描信号和泵浦信号输入到相反方向的半导体光放大器。
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公开(公告)号：KR1020040083119A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：KR1020030017651
申请日：2003-03-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: A sample fixing apparatus for adhering a semiconductor wafer is provided to adhere various kinds of wafers within a wide range of temperature by using four blocks and three combination bolts. CONSTITUTION: A holder(30) includes a loading part on which a wafer sample(40) is loaded. Bolt holes are formed at the holder in order to fix the wafer sample. A lower substrate(50) is located at a lower part of the holder. Bolt holes are formed at the lower substrate in order to fix the wafer sample. A pressing member(20) is located at an upper part of the wafer sample and is projected to an upper part of the holder. An upper substrate(10) is in contact with a projected part of the pressing member. Bolt holes are formed at the upper substrate in order to fix sample. A plurality of combination bolts(60) are inserted into each hole of the holder, the lower substrate, and the upper substrate.
Abstract translation: 目的：提供用于粘附半导体晶片的样品定影装置，通过使用四个块和三个组合螺栓在宽的温度范围内粘附各种晶片。 构成：保持器（30）包括加载有晶片样品（40）的装载部件。 在保持器上形成螺栓孔，以固定晶片样品。 下基板（50）位于支架的下部。 在下基板上形成螺栓孔，以固定晶片样品。 按压构件（20）位于晶片样品的上部并且被突出到保持器的上部。 上基板（10）与按压部件的突出部分接触。 为了固定样品，在上基板上形成螺栓孔。 多个组合螺栓（60）插入保持器，下基板和上基板的每个孔中。
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公开(公告)号：KR1020040037732A
公开(公告)日：2004-05-07
申请号：KR1020020066339
申请日：2002-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: PURPOSE: An all-optical memory device using an EMILD(Electro-absorption Modulator Integrated Laser Diode) structure is provided to measure optical bistability features by using an EMILD structure, and to realize an all-optical flip-flop function by using the measured features, thereby reducing cost. CONSTITUTION: A variable laser(100) selects a wavelength of an input light. A pattern generator(110) forms the input light as 'set' and 'reset' pattern optical signals. An optical attenuator(120) controls strength of the pattern optical signals. A circulator(130) determines a path of the pattern optical signals. A phase controller(140) is applied with the pattern optical signals, and controls phases. An EMILD(150) is applied with the pattern optical signals, and obtains optical bistability features. A wavelength variable filter(160) filters an output light signal, and obtains a selected wavelength signal only. An optical measurer(170) obtains all-optical flip-flop wavelength features by using the optical bistability features.
Abstract translation: 目的：提供使用EMILD（电吸收式调制器集成激光二极管）结构的全光存储器件，通过使用EMILD结构来测量光学双稳态特性，并通过使用测量特征实现全光触发器功能 ，从而降低成本。 构成：可变激光（100）选择输入光的波长。 图案生成器（110）将输入光形成为“设置”和“复位”图案光信号。 光衰减器（120）控制图案光信号的强度。 循环器（130）确定图案光信号的路径。 相位控制器（140）被施加图案光信号，并且控制相位。 EMILD（150）被应用于图案光信号，并获得光学双稳态特性。 波长可变滤波器（160）对输出光信号进行滤波，仅获得所选择的波长信号。 光学测量器（170）通过使用光学双稳态特征获得全光触发器波长特征。
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公开(公告)号：KR100405940B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020010010094
申请日：2001-02-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S3/136
Abstract: PURPOSE: A horizontal coupled type laser diode is provided to widen a variable wavelength range by using two active elements having different propagation constants. CONSTITUTION: A horizontal coupled type laser diode is formed by coupling horizontally the first resonator including a laser diode(100) with the second resonator including an optical amplifier(200). The optical amplifier(200) has a propagation constant which is different from the laser diode(100). The first electrode(110) and the second electrode(210) are installed in an upper end portion and a lower end portion of the laser diode(100) in order to apply current to the laser diode(100) and the optical amplifier(200), respectively. Active layers of the laser diode(100) and the optical amplifier(200) are formed by InGaAsP of a multiple quantum well structures.
Abstract translation: 目的：提供水平耦合型激光二极管以通过使用具有不同传播常数的两个有源元件来扩大可变波长范围。 组成：水平耦合型激光二极管通过将包括激光二极管（100）的第一谐振器与包括光放大器（200）的第二谐振器水平耦合而形成。 光放大器（200）具有与激光二极管（100）不同的传播常数。 第一电极（110）和第二电极（210）安装在激光二极管（100）的上端部分和下端部分中，以便将电流施加到激光二极管（100）和光放大器（200） ）， 分别。 激光二极管（100）和光放大器（200）的有源层由多量子阱结构的InGaAsP形成。
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