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公开(公告)号：KR101220991B1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：KR1020110040199
申请日：2011-04-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 상부 몸체 및 상기 상부 몸체에 힌지 연결된 하부 몸체; 프로브가 하단으로 연장되게 고정되어 있으며 상기 상부 몸체의 하단으로 상기 프로브가 노출되도록 상기 상부 몸체에 결합되는 프로브 척; 상기 프로브 척을 승강 동작시키며 상기 상부 몸체에 설치되는 프로브 승강부; 및 상기 상부 몸체가 상기 하부 몸체에 대하여 닫혔을 때 상기 하부 몸체에는 상기 프로브 척의 하부 위치에 센서 안착홈이 형성되고, 상기 센서 안착홈의 바닥면을 이루며 상기 프로브가 접촉 가능하게 설치되는 센서 지지판;을 포함하며, 외부에서 인가되는 검사 전류가 상기 프로브를 통하여 상기 센서 지지판에 안착되는 다중 센서에 인가되는 다중 센서용 프로브 스테이션을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101136521B1
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法，以在上半导体层上形成不平坦结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 包括孔的多孔氧化铝层（210）形成在上半导体层上。 蚀刻上部半导体层，有源层和下部半导体层的一部分以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：KR1020110112579A
公开(公告)日：2011-10-13
申请号：KR1020100031753
申请日：2010-04-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0002 , H01L2251/56
Abstract: 본 발명은 고휘도 및 고효율의 유기발광다이오드 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
굴곡구조가 형성된 유리기판과, 상기 유리기판의 상기 굴곡구조상에 형성되는 투명전극층과, 상기 투명전극층상에 형성되는 p-type 유기층과, 상기 p-type 유기층상에 형성되는 n-type 유기층과, 상기 n-type 유기층상에 형성되는 캐소드층을 포함하는 유기발광다이오드가 제시된다.-
公开(公告)号：KR1020110096825A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016300
申请日：2010-02-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/288
CPC classification number: C25D7/123 , A61N1/0529 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03466 , H01L2224/03515 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/0603 , H01L2224/11462 , H01L2224/11622 , H01L2224/11903 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/13082 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/1403 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/01027 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
Abstract: Disclosed herein is a processing method of a microelectrode array. A processing method of a microelectrode array includes: depositing a sacrificial layer on a silicon substrate; patterning a first polymer on the deposited sacrificial layer and then thermally curing the first polymer patterning a metal thin film on the first polymer to form a bonding pad site, an interconnection line and a recording pad site; closing the interconnection line site and coating a second polymer to pattern the bonding pad site and the recording pad site; depositing a seed layer on the second polymer and the metal thin film using a sputter; electroplating a metal on the bonding pad site and the recording pad site, thereby forming an electroplated layer; patterning a photoresist to open an upper portion of the electroplated layer; depositing platinum on the photoresist and the electroplated layer; and removing the photoresist.
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公开(公告)号：KR1020110058388A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090115158
申请日：2009-11-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to form an uneven structure on an upper semiconductor layer to reduce the total reflection in a light emitting diode, thereby increasing the light emitting efficiency of the light emitting diode. CONSTITUTION: A first conductive lower semiconductor layer(120), an active layer(130), and a second conductive upper semiconductor layer(140) are formed on a substrate(110). A porous alumina layer(210) including a hole is formed on the upper semiconductor layer. Parts of the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer are etched to form an etching unit(260). The etching process is performed using an alumina layer as a mask.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管及其制造方法以在上半导体层上形成不均匀结构，以减少发光二极管中的全反射，从而提高发光二极管的发光效率。 构成：在衬底（110）上形成第一导电下半导体层（120），有源层（130）和第二导电上半导体层（140）。 在上半导体层上形成包括孔的多孔氧化铝层（210）。 对上半导体层，有源层和下半导体层的部分进行蚀刻以形成蚀刻单元（260）。 使用氧化铝层作为掩模进行蚀刻处理。
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Patent Agency Ranking26.发明公开
公开(公告)号：KR1020110014849A
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090072420
申请日：2009-08-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G01J3/10 , G02F1/3501 , G02F1/365 , G02F1/37 , G02F2001/3507 , G02F2001/3528 , G02F2203/13
Abstract: PURPOSE: Terahertz wave and wideband super-continuous spectrum simultaneous generating device, a method for the same, and a spectroscopy method using the same are provided to plenty of the number of spectrum peaks by simultaneously detecting two bands. CONSTITUTION: A focusing lens(110) focuses light incident signal(100). A first light media(120) generates terahertz wave(130) based on the light incident signal. A second light media(140) generates wideband super-continuous spectrum(150) based on the light incident signal. A collimating lens(160) outputs both the terahertz wave and the wideband super-continuous spectrum.
Abstract translation: 目的：通过同时检测两个频带，提供太赫波和宽带超连续频谱同步发生装置，其方法和使用该方法的光谱方法来获得大量的频谱峰。 构成：聚焦透镜（110）聚焦光入射信号（100）。 第一光介质（120）基于光入射信号产生太赫兹波（130）。 第二光介质（140）基于光入射信号产生宽带超连续光谱（150）。 准直透镜（160）输出太赫兹波和宽带超连续光谱。
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公开(公告)号：KR101816804B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR1020160084907
申请日：2016-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은, 특정호기가스를필터링하며유입시키는흡습마우스필터및 상기호기가스를배출시키는배출관을구비하고, 상기호기가스를필터링가능하게수용하여배출시키는호기관; 상기배출관에연결되어상기호기관으로부터필터링된호기가스를제공받고, 상기제공된호기가스를측정하도록이루어지는센서부를구비하는가스챔버; 및상기센서부에연결되어측정된신호를제공받아서상기신호를처리하여가스농도를사용자에게표시하도록이루어지는신호처리부를포함하는호기가스진단장치를제공한다.
Abstract translation: 本发明中，具有呼气排出管的特定数目来过滤气体，并排出水分鼠标滤波器和呼出气体到入口和出口到被容纳过滤呼出气体发动机; 气体室，连接到排放管以接收从激励器过滤的呼出气体气体并测量呼出气体; 信号处理单元连接到传感器单元以接收测量信号并处理信号以向用户显示气体浓度。
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公开(公告)号：KR101709626B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150117449
申请日：2015-08-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , G01N27/12 , G01N33/497 , C07F7/02 , C07F7/10
Abstract: 본발명은기판상에적어도하나의가스감지영역을포함하는가스센서로서, 상기가스감지영역이아미노화합물및 탄소나노튜브를포함하는것을특징으로하는일산화질소를선택적으로감지하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 아미노화합물과탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써상온에서동작이가능하고, 저농도 NO 가스를높은감도로감지할수 있는가스센서및 그제조방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160082290A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140193371
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L2924/13061
Abstract: 본발명은, (a) 기판상에탄소나노튜브입자를흡착하는단계, (b) 탄소나노튜브입자가흡착된상기기판상에채널을형성하는단계, (c) 상기채널상에금속막을증착하는단계, (d) 상기금속막이외부분의탄소나토튜브입자를에칭하여제거하는단계, (e) 상기채널양쪽에전극을형성하는단계, (f) 상기채널상에증착된금속막을에칭하여제거하는단계를포함하는탄소나노튜브센서의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种碳纳米管传感器的制造方法，包括以下步骤：（a）在基板上吸收碳纳米管颗粒; （b）在其上吸收碳纳米管颗粒的基板上形成通道; （c）在通道上沉积金属膜; （d）蚀刻除去金属膜以外的部分的碳纳米管颗粒; （e）在通道的两侧形成电极; 和（f）蚀刻沉积在待消除的通道上的金属膜。 因此，该方法可以稳定传感器制造。
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公开(公告)号：KR101507516B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130109873
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은탄소나노튜브센서의제조방법및 이에의하여제조된탄소나노튜브센서에관한것이다. 본발명은기판의표면을개질하는단계(표면처리단계), 표면개질된기판을열처리하는단계(베이킹단계) 및열처리된기판상에탄소나노튜브를흡착시키는단계(흡착단계)를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면탄소나노튜브와기판사이의결합력이향상되기때문에반복적으로사용하더라도센서의성능이열화되지않아수명이길고안정성이높다.
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